半导体纳米粒子的制造方法、半导体纳米粒子及发光器件

技术特征：
1.一种半导体纳米粒子的制造方法，该方法包括：对包含银(ag)盐、铟(in)盐、具有镓(ga)-硫(s)键的化合物、镓卤化物、以及有机溶剂的第1混合物进行第1热处理而得到第1半导体纳米粒子。2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，所述第1混合物中的镓卤化物相对于ag盐的含量的摩尔比为0.01以上且1以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，所述第1混合物中的ag盐的浓度为0.01毫摩尔/升以上且500毫摩尔/升以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，所述第1热处理以200℃以上且320℃以下进行。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，所述第1混合物中的镓卤化物包含氯化镓。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，所述第1混合物中的ag盐包含具有ag-s键的化合物。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体纳米粒子的制造方法，该方法进一步包括：对包含所述第1半导体纳米粒子和镓卤化物的第2混合物进行第2热处理而得到第2半导体纳米粒子。8.根据权利要求7所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，所述第2混合物中的镓卤化物相对于第1半导体纳米粒子的摩尔比为0.1以上且10以下。9.根据权利要求7或8所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，所述第2混合物中的镓卤化物包含氯化镓。10.根据权利要求7～9中任一项所述的半导体纳米粒子的制造方法，其中，所述第2热处理以200℃以上且320℃以下进行。11.一种半导体纳米粒子，其包含含有银(ag)、铟(in)、镓(ga)及硫(s)的第1半导体，其中，在所述半导体纳米粒子的表面配置有包含ga及s的第2半导体，所述半导体纳米粒子通过365nm波长的光照射，显示出在475nm以上且560nm以下的波长范围具有发光峰值波长的带边发光，带边发光纯度为70％以上，带边发光的内部量子产率为15％以上，在能量色散型x射线分析中，来自所述第2半导体的ga的特征x射线的强度大于来自所述第1半导体的ga的特征x射线的强度。12.根据权利要求11所述的半导体纳米粒子，其中，来自所述第2半导体的ga的特征x射线的强度的最大值相对于来自所述第1半导体的ga的特征x射线的强度的最小值之比为1.1以上且3以下。13.根据权利要求11或12所述的半导体纳米粒子，其中，所述半导体纳米粒子的发光光谱的半值宽度为45nm以下。14.根据权利要求11～13中任一项所述的半导体纳米粒子，其中，
所述半导体纳米粒子的表面通过镓卤化物进行了表面修饰。15.一种发光器件，其具备：包含权利要求11～14中任一项所述的半导体纳米粒子的光转换构件、和半导体发光元件。16.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述半导体发光元件为led芯片。

技术总结
本发明提供显示出带边发光、且显示出高带边发光纯度的半导体纳米粒子的高效的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：对包含银(Ag)盐、铟(In)盐、具有镓(Ga)-硫(S)键的化合物、镓卤化物、以及有机溶剂的混合物进行热处理而得到第1半导体纳米粒子。理而得到第1半导体纳米粒子。理而得到第1半导体纳米粒子。


技术研发人员：鸟本司 龟山达矢 桑畑进 上松太郎 五十川阳平 小谷松大祐 久保朋也
受保护的技术使用者：国立大学法人大阪大学 日亚化学工业株式会社
技术研发日：2022.03.03
技术公布日：2023/10/26