一种双银low
‑
e镀膜玻璃
技术领域
1.本发明涉及玻璃制造技术技术领域，具体来说，涉及一种双银low
‑
e镀膜玻璃。
背景技术：
2.镀膜玻璃（reflective glass）也称反射玻璃。镀膜玻璃是在玻璃表面涂镀一层或多层金属、合金或金属化合物薄膜，以改变玻璃的光学性能，满足某种特定要求。镀膜玻璃按产品的不同特性，可分为以下几类：热反射玻璃、低辐射玻璃（low
‑
e）、导电膜玻璃等，具有广阔的应用场景，因此提供一种新型的镀膜玻璃具有重要的意义。
技术实现要素：
3.本发明的目的在于提供一种双银low
‑
e镀膜玻璃，以解决上述背景技术中提出的问题。
4.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种双银low
‑
e镀膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有sixny基膜层、第一nicr阻挡层、第一ag层、第一znox介质层、第二sixny膜层、第二nicr阻挡层、第二ag层、第三nicr阻挡层、第三sixny膜层、以及zrnx顶膜层，各膜的材料依次为硅铝合金膜、镍铬合金膜、银膜、氧化锌膜、硅铝合金膜、镍铬合金膜、银膜、镍铬合金膜、硅铝合金膜和锆合金膜。
5.进一步的，所述sixny基膜层的厚度为30～40nm，所述zrnx顶膜层的厚度为10～15nm，所述第一nicr阻挡层的厚度为2～5nm，第二nicr阻挡层的厚度为1.7～5nm，第三nicr阻挡层的厚度为1.6～5nm，所述第一ag层和第二ag层的厚度为6～12nm，所述第一znox介质层厚度为15～20nm，所述第二sixny膜层60～80nm和第三sixny膜层为介质层厚度为30～50nm，所述sixny基膜层、所述zrnx顶膜层为保护层厚度为10～15nm。
6.与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：1、利用sixny作为基膜层和zrnx顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度；同时，利用znox提高玻璃的透光率。
7.2、本玻璃透过率≥50％，辐射率≤0.04，可见光室外反射≤15，遮阳系数sc≤0.40；本玻璃颜色显蓝色，通过色度仪可以测得如下颜色坐标值：a*＝
‑
1～
‑
3，b*＝
‑
25～
‑
30，光学性能良好。
具体实施方式
8.下面，结合具体实施方式，对本发明做出进一步的描述：根据本发明实施例的一种双银low
‑
e镀膜玻璃,包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有sixny基膜层、第一nicr阻挡层、第一ag层、第一znox介质层、第二sixny膜层、第二nicr阻挡层、第二ag层、第三nicr阻挡层、第三sixny膜层、以及zrnx顶膜层。
9.根据本实施例的上述方案，所述sixny基膜层的厚度为30～40nm。其采用磁控溅射
镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400sccm～520sccm)：(600sccm～750sccm)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
10.根据本实施例的上述方案，所述第一nicr阻挡层的厚度为2～5nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成,气体流量500～800sccm。
11.根据本实施例的上述方案，所述第一ag层的厚度为6～12nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500～650sccm。
12.根据本实施例的上述方案，所述第一znox膜层的厚度为15～20nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体射陶瓷azo靶制备而成，其中，氩氧比为(800sccm～1000sccm)：(50sccm～60sccm)，氩氧比是该膜层的核心。
13.根据本实施例的上述方案，所述第二sixny膜层的厚度为60～80nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400sccm～520sccm)：(600sccm～750sccm)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
14.根据本实施例的上述方案，所述第二nicr阻挡层的厚度为1.7～5nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成,气体流量500～800sccm。
15.根据本实施例的上述方案，所述第二ag层的厚度为6～12nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500～650sccm。
16.根据本实施例的上述方案，所述第三nicr阻挡层的厚度为1.6～5nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成,气体流量500～800sccm。
17.根据本实施例的上述方案，所述第三sixny膜层的厚度为30～50nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400sccm～520sccm)：(600sccm～750sccm)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
18.根据本实施例的上述方案，所述zrnx顶膜层的厚度为10～15nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射氧化锆靶制备而成，其中，氩氧比为(400sccm～520sccm)：(440sccm～600sccm)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
19.最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限定本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种双银low
‑
e镀膜玻璃，包括玻璃基材，其特征在于，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有sixny基膜层、第一nicr阻挡层、第一ag层、第一znox介质层、第二sixny膜层、第二nicr阻挡层、第二ag层、第三nicr阻挡层、第三sixny膜层、以及zrnx顶膜层。2.根据权利要求1所述的一种双银low
‑
e镀膜玻璃，其特征在于，所述sixny基膜层的厚度为30～40nm，所述zrnx顶膜层的厚度为10～15nm，所述第一nicr阻挡层的厚度为2～5nm，第二nicr阻挡层的厚度为1.7～5nm，第三nicr阻挡层的厚度为1.6～5nm，所述第一ag层和第二ag层的厚度为6～12nm，所述第一znox介质层厚度为15～20nm，所述第二sixny膜层60～80nm和第三sixny膜层为介质层厚度为30～50nm，所述sixny基膜层、所述zrnx顶膜层为保护层厚度为10～15nm。
技术总结
本发明公开了一种双银LOW
技术研发人员：范宝丰 秦子成
受保护的技术使用者：中建材佳星玻璃（黑龙江）有限公司
技术研发日：2021.05.11
技术公布日：2021/9/28
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e镀膜玻璃
技术领域
1.本发明涉及玻璃制造技术技术领域，具体来说，涉及一种双银low
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e镀膜玻璃。
背景技术：
2.镀膜玻璃（reflective glass）也称反射玻璃。镀膜玻璃是在玻璃表面涂镀一层或多层金属、合金或金属化合物薄膜，以改变玻璃的光学性能，满足某种特定要求。镀膜玻璃按产品的不同特性，可分为以下几类：热反射玻璃、低辐射玻璃（low
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e）、导电膜玻璃等，具有广阔的应用场景，因此提供一种新型的镀膜玻璃具有重要的意义。
技术实现要素：
3.本发明的目的在于提供一种双银low
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e镀膜玻璃，以解决上述背景技术中提出的问题。
4.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种双银low
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e镀膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有sixny基膜层、第一nicr阻挡层、第一ag层、第一znox介质层、第二sixny膜层、第二nicr阻挡层、第二ag层、第三nicr阻挡层、第三sixny膜层、以及zrnx顶膜层，各膜的材料依次为硅铝合金膜、镍铬合金膜、银膜、氧化锌膜、硅铝合金膜、镍铬合金膜、银膜、镍铬合金膜、硅铝合金膜和锆合金膜。
5.进一步的，所述sixny基膜层的厚度为30～40nm，所述zrnx顶膜层的厚度为10～15nm，所述第一nicr阻挡层的厚度为2～5nm，第二nicr阻挡层的厚度为1.7～5nm，第三nicr阻挡层的厚度为1.6～5nm，所述第一ag层和第二ag层的厚度为6～12nm，所述第一znox介质层厚度为15～20nm，所述第二sixny膜层60～80nm和第三sixny膜层为介质层厚度为30～50nm，所述sixny基膜层、所述zrnx顶膜层为保护层厚度为10～15nm。
6.与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：1、利用sixny作为基膜层和zrnx顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度；同时，利用znox提高玻璃的透光率。
7.2、本玻璃透过率≥50％，辐射率≤0.04，可见光室外反射≤15，遮阳系数sc≤0.40；本玻璃颜色显蓝色，通过色度仪可以测得如下颜色坐标值：a*＝
‑
1～
‑
3，b*＝
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25～
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30，光学性能良好。
具体实施方式
8.下面，结合具体实施方式，对本发明做出进一步的描述：根据本发明实施例的一种双银low
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e镀膜玻璃,包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有sixny基膜层、第一nicr阻挡层、第一ag层、第一znox介质层、第二sixny膜层、第二nicr阻挡层、第二ag层、第三nicr阻挡层、第三sixny膜层、以及zrnx顶膜层。
9.根据本实施例的上述方案，所述sixny基膜层的厚度为30～40nm。其采用磁控溅射
镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400sccm～520sccm)：(600sccm～750sccm)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
10.根据本实施例的上述方案，所述第一nicr阻挡层的厚度为2～5nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成,气体流量500～800sccm。
11.根据本实施例的上述方案，所述第一ag层的厚度为6～12nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500～650sccm。
12.根据本实施例的上述方案，所述第一znox膜层的厚度为15～20nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体射陶瓷azo靶制备而成，其中，氩氧比为(800sccm～1000sccm)：(50sccm～60sccm)，氩氧比是该膜层的核心。
13.根据本实施例的上述方案，所述第二sixny膜层的厚度为60～80nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400sccm～520sccm)：(600sccm～750sccm)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
14.根据本实施例的上述方案，所述第二nicr阻挡层的厚度为1.7～5nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成,气体流量500～800sccm。
15.根据本实施例的上述方案，所述第二ag层的厚度为6～12nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500～650sccm。
16.根据本实施例的上述方案，所述第三nicr阻挡层的厚度为1.6～5nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成,气体流量500～800sccm。
17.根据本实施例的上述方案，所述第三sixny膜层的厚度为30～50nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400sccm～520sccm)：(600sccm～750sccm)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
18.根据本实施例的上述方案，所述zrnx顶膜层的厚度为10～15nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射氧化锆靶制备而成，其中，氩氧比为(400sccm～520sccm)：(440sccm～600sccm)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。
19.最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限定本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种双银low
‑
e镀膜玻璃，包括玻璃基材，其特征在于，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有sixny基膜层、第一nicr阻挡层、第一ag层、第一znox介质层、第二sixny膜层、第二nicr阻挡层、第二ag层、第三nicr阻挡层、第三sixny膜层、以及zrnx顶膜层。2.根据权利要求1所述的一种双银low
‑
e镀膜玻璃，其特征在于，所述sixny基膜层的厚度为30～40nm，所述zrnx顶膜层的厚度为10～15nm，所述第一nicr阻挡层的厚度为2～5nm，第二nicr阻挡层的厚度为1.7～5nm，第三nicr阻挡层的厚度为1.6～5nm，所述第一ag层和第二ag层的厚度为6～12nm，所述第一znox介质层厚度为15～20nm，所述第二sixny膜层60～80nm和第三sixny膜层为介质层厚度为30～50nm，所述sixny基膜层、所述zrnx顶膜层为保护层厚度为10～15nm。
技术总结
本发明公开了一种双银LOW
技术研发人员：范宝丰 秦子成
受保护的技术使用者：中建材佳星玻璃（黑龙江）有限公司
技术研发日：2021.05.11
技术公布日：2021/9/28
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