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一种ALD反应腔室的制作方法

2021-10-24 16:51:00 来源:中国专利 TAG:沉积 薄膜 半导体 纳米 特别

技术特征:
1.一种ald反应腔室,其特征在于,包括:反应腔室,所述反应腔室顶部敞口,所述反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道,所述进气通道和所述出气通道以所述反应腔室的底部的第一方向的中心线相对设置;封盖,所述封盖可操作地将所述反应腔室顶部密封。2.根据权利要求1所述的ald反应腔室,其特征在于:所述进气通道为孔状,所述进气通道设置有多个,多个所述进气通道设置在所述反应腔室的底部的一侧;所述出气通道为孔状,所述出气通道也设置有多个,多个所述出气通道设置在所述反应腔室的底部的另一侧。3.根据权利要求2所述的ald反应腔室,其特征在于:所述进气通道设置有多组,多组所述进气通道沿第二方向依次设置,每组所述进气通道均呈弧形,每组所述进气通道的各个进气通道的孔径向靠近所述反应腔室的底部的第一方向的中心线的方向依次减小;所述出气通道设置有多组,多组所述出气通道沿第二方向依次设置,每组所述出气通道均呈弧形,每组所述出气通道的各个进气通道的孔径向靠近所述反应腔室的底部的第一方向的中心线的方向依次减小。4.根据权利要求1所述的ald反应腔室,其特征在于,所述进气通道为条状,所述进气通道设置有多个,多个所述进气通道设置在所述反应腔室的底部的一侧;所述出气通道为条状,所述出气通道也设置有多个,多个所述出气通道设置在所述反应腔室的底部的另一侧。5.根据权利要求4所述的ald反应腔室,其特征在于,所述进气通道的第二方向的尺寸向靠近所述反应腔室的底部的第一方向的中心线的方向依次减小;所述出气通道的第二方向的尺寸向靠近所述反应腔室的底部的第一方向的中心线的方向依次减小。6.根据权利要求1所述的ald反应腔室,其特征在于,所述反应腔室内设置有两个匀气板,两个所述匀气板以所述反应腔室的底部的第一方向的中心线相对设置,两个所述匀气板设置在所述进气通道及出气通道之间,两个所述匀气板将所述反应腔室沿第二方向分割成进气腔室、反应腔室以及出气腔室,每个所述匀气板上均设置多个通孔。7.根据权利要求1所述的ald反应腔室,其特征在于,所述反应腔室的底部固定设置有中转腔室,所述中转腔室的顶部敞口,所述反应腔室的底部覆盖在所述中转腔室的顶部上,所述中转腔室内设置有两个隔板,两个所述隔板将所述中转腔室沿第二方向分割成第一腔室、第二腔室以及第三腔室,所述进气通道和所述第一腔室连通,所述出气通道和所述第三腔室连通,所述第一腔室的底部设置有进气主孔,所述第三腔室的底部设置有出气主孔。8.根据权利要求7所述的ald反应腔室,其特征在于,两个所述隔板设置在所述进气通道及出气通道之间,所述进气主孔设置在所述进气通道和同侧的所述隔板之间,所述出气主孔设置在所述出气通道和同侧的所述隔板之间,所述进气主孔和所述出气主孔以所述反应腔室的底部的第一方向的中心线相对设置。9.根据权利要求1

8任一项所述的ald反应腔室,其特征在于,所述封盖的底部的边缘设置有第一止口,所述反应腔室的顶部敞口处设置有凸台,当所述封盖将所述反应腔室的顶部敞口密封时,所述凸台可嵌入到所述第一止口内。10.根据权利要求1

8任一项所述的ald反应腔室,其特征在于,所述封盖的边缘和所述
反应腔室的顶部为平面接触。

技术总结
本实用新型涉及一种ALD反应腔室,包括反应腔室和封盖,所述反应腔室顶部敞口,所述反应腔室的底部开设有进气通道及出气通道,所述进气通道和所述出气通道以所述反应腔室的底部的第一方向的中心线相对设置,所述封盖可操作地将所述反应腔室顶部密封。本实用新型保证沉积膜的成型质量和一致性,成膜效率高,周期短,提高前驱体源的利用率,适合批量性生产,具有很好的实用价值。有很好的实用价值。有很好的实用价值。


技术研发人员:万军 廖海涛 王斌 王辉
受保护的技术使用者:无锡市邑晶半导体科技有限公司
技术研发日:2020.12.03
技术公布日:2021/10/23
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