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一种由氘代基团修饰的芘衍生物及其应用的制作方法

2021-10-23 00:53:00 来源:中国专利 TAG:基团 衍生物 半导体 修饰 及其应用

技术特征:
1.一种由氘代基团修饰的芘衍生物,其特征在于:所述芘衍生物的结构如通式(1)所示:通式(1)中,ar
1-ar8分别独立地表示为单键、取代或未取代的c
6-30
亚芳基、取代或未取代的c
2-30
亚杂芳基;r
1-r8分别独立地表示为取代或未取代的c
6-30
芳基、取代或未取代的c
2-30
杂芳基或者通式(2)所示结构;ra-rf分别独立地表示为氢原子、氕、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的c
1-20
的烷基、取代或未取代的c
3-20
的环烷基、取代或未取代的c
6-30
芳基、取代或未取代的c
2-30
杂芳基;通式(2)中,r9、r
10
表示为取代或未取代的c
6-30
芳基、取代或未取代的c
2-30
杂芳基;取代上述可被取代基团的取代基任选自氘、氚、c1~c
10
烷基、环原子数为6~30芳基、环原子数为5~30杂芳基中的任意一种;通式(1)的r
1-r
10
中至少有一个表示为氘原子取代的c
6-30
芳基或氘原子取代的c
2-30
杂芳基;所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫或氮中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的芘衍生物,其特征在于:所述芘衍生物的结构如通式(1-1)所示:通式(1-1)中,r
1-r8分别独立地表示为取代或未取代的c
6-30
芳基、取代或未取代的c
2-30
杂芳基;取代上述可被取代基团的取代基任选自氘、氚、c1~c
10
烷基、环原子数为6~30芳基、环原子数为5~30杂芳基中的任意一种;
r
1-r8中至少有一个表示为氘原子取代的c
6-30
芳基或氘原子取代的c
2-30
杂芳基;所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫或氮中的一种或多种。3.根据权利要求2所述的芘衍生物,其特征在于:r
1-r8中至少有两个表示为氘原子取代的c
6-30
芳基或c
2-30
杂芳基。4.根据权利要求1所述的芘衍生物,其特征在于:所述芘衍生物的结构如通式(1-2)-通式(1-5)所示:通式(1-2)-通式(1-5)中,a、b、c分别独立地表示为取代或未取代的c
6-30
芳基、取代或未取代的c
2-30
杂芳基;取代上述可被取代基团的取代基任选自氘、氚、c1~c
10
烷基、环原子数为6~30芳基、环原子数为5~30杂芳基中的任意一种;a、b、c中至少有一个表示为氘原子取代的c
6-30
芳基或氘原子取代的c
2-30
杂芳基;所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫或氮中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的芘衍生物,其特征在于:所述芘衍生物的结构如通式(1-6)所示:通式(1-6)中,ar1和ar6分别独立地表示为取代或未取代的c
6-30
亚芳基、取代或未取代的c
2-30
亚杂芳基;r2、r3、r4、r5、r7、r8、r9、r
10
分别独立地表示为取代或未取代的c
6-30
芳基、取代或未取代的c
2-30
杂芳基;取代上述可被取代基团的取代基任选自氘、氚、c1~c
10
烷基、环原子数为6~30芳基、环
原子数为5~30杂芳基中的任意一种;r2、r3、r4、r5、r7、r8、r9、r
10
中至少有一个表示为氘原子取代的c
6-30
芳基或氘原子取代的c
2-30
杂芳基;所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫或氮中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的芘衍生物,其特征在于:所述c
1-10
烷基为甲基、乙基、异丙基、叔丁基中的一种;所述c
6-30
的芳基为苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苯并菲、二联苯基、三联苯基、芴基中的一种;所述c
2-30
杂芳基表示为吡啶基、咔唑基、呋喃基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、噻吩基、二苯并呋喃基、9,9-二甲基芴基、n-苯基咔唑基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、恶唑基、咪唑基、苯并恶唑基、苯并咪唑基中的一种;所述取代基为氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、芴基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、萘啶基、芴基、二苯并呋喃基、n-苯基咔唑基或二苯并噻吩基中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的芘衍生物,其特征在于:所述芘衍生物的具体结构式为以下结构中的任一种:
8.一种有机发光器件,包含阴极、阳极和有机功能层,其特征在于:所述有机功能层中包含权利要求1-7任一项所述芘衍生物。9.根据权利要求8所述的有机发光器件,所述发光层包含第一主体材料、第二主体材料和掺杂材料,其特征在于:所述第一主体材料和第二主体材料中至少有一个为tadf材料,所述掺杂材料为权利要求1-7任一项所述芘衍生物。10.根据权利要求9所述的有机发光器件,所述发光层包含第一主体材料、第二主体材料和掺杂材料,其特征在于:所述第一主体材料和第二主体材料选自通式(2)或通式(3)所示结构,所述掺杂材料为权利要求1-7任一项所述的含双硼的有机电致发光材料;通式(2)中,所述r
6-r9分别独立地表示为经取代或未取代的c
6-30
芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5至30元杂芳基;r6和r7之间可健结成环,r8和r9之间可健结成环;通式(3)中,所述l
1-l2分别独立地表示为单键、经取代或未取代的c
6-30
亚芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5至30元亚杂芳基;
所述r
m-r
n
分别独立地表示为经取代或未取代的c
6-30
芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5至30元杂芳基。

技术总结
本发明涉及一种由氘代基团修饰的芘衍生物及其应用,属于半导体技术领域,本发明提供芘衍生物的结构如通式(1)所示:本发明还公开了上述芘衍生物的应用。本发明提供的芘衍生物具有窄半峰宽、高荧光量子产率,作为OLED发光器件的发光层材料中的掺杂材料使用时,器件的电流效率和外量子效率得到显著提升,同时器件寿命也得到了较大的改善,本发明芘衍生物作为发光层掺杂材料使器件具有良好的光电性能。掺杂材料使器件具有良好的光电性能。掺杂材料使器件具有良好的光电性能。掺杂材料使器件具有良好的光电性能。


技术研发人员:曹旭东 张兆超 李崇
受保护的技术使用者:江苏三月光电科技有限公司
技术研发日:2020.04.21
技术公布日:2021/10/22
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本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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