，从而降低成本。
[0063]第11步，请参阅图3k，将基底晶圆I减薄，并切割基底晶圆I得到半导体器件2的单颗芯片。每颗芯片主要包括基底芯片单元Ia及其上的半导体器件2。
[0064]第12步，请参阅图31，封装基板8上具有焊垫或焊垫凸起9，封装基板8上的焊垫或焊垫凸起9的位置与基底芯片单元Ia底面的焊垫凸起18的位置相对应。将基底芯片单元Ia正装到封装基板8上，基底芯片单元Ia底面的焊垫凸起18与封装基板8上的焊垫或焊垫凸起9通过焊料17进行焊接连为一体。可选地，焊料17也可省略。此时，每个半导体器件2的焊垫得以电性引出到封装基板8的焊垫焊垫凸起9。
[0065]第13步，请参阅图3，采用封装材料12将封装基板8上的各部分予以封装，然后再对封装基板8进行切割以得到封装好的半导体器件芯片。常用的封装材料12包括塑料、陶瓷等。
[0066]上述制造方法的第I步至第3步可以变形为如下的第I’步至第2’步，然后继续上述第4步至第13步。
[0067]第I’步，请参阅图4a，在基底晶圆I上制造完成半导体器件2，半导体器件2在基底晶圆I上具有输入输出焊垫。
[0068]第2’步，请参阅图4b，将基底晶圆I倒置，采用光刻和刻蚀工艺在基底晶圆I上刻蚀通孔6a，通孔6a的底部为半导体器件2的焊垫。
[0069]本申请的实施例二提供了一种新型的用于晶圆级封装的密闭结构，也是以一片晶圆作为一个底面，以光刻胶作为侧壁，以光刻胶或玻璃作为另一个底面来构成密闭结构。实施例二与实施例一相比具有如下区别:首先，实施例一采用倒装方式进行芯片封装，而实施例二采用正装方式进行芯片封装，两者可用于不同的半导体器件。其次，实施例一将半导体器件的焊垫置于密闭结构之外，而实施例二则将半导体器件包围在密闭结构之中。再次，实施例一省略了硅通孔技术，而实施例二采用了硅通孔技术，这样带来的好处是实施例二可以降低芯片封装后的高度。
[0070]请参阅图5，这是本申请用于对半导体器件进行晶圆级封装的密闭结构的实施例三。实施例三与实施例二的区别仅在于:实施例二中半导体器件2的焊垫在所述密闭结构之内，而实施例三中半导体器件2的焊垫在所述密闭结构之外。实施例二的制造方法及变形形式均同样适用于实施例三。
[0071]以上仅为本申请的优选实施例，并不用于限定本申请。对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于晶圆级封装的密闭结构，其特征是，在基底晶圆上制造半导体器件，并在基底晶圆上的各个半导体器件外围以光刻胶形成环形的墙体，还在墙体上方接合有光刻胶或玻璃材质的屋顶，所述基底晶圆、墙体和屋顶构成密闭结构将各个半导体器件包围在内。2.根据权利要求1所述的用于晶圆级封装的密闭结构，其特征是，所述密闭结构具有气密性，内部为真空或者填充气体。3.根据权利要求1所述的用于晶圆级封装的密闭结构，其特征是，所述基底晶圆切割后得到基底芯片单元，基底芯片单元倒装到封装基板上，半导体器件的焊垫或焊垫凸起在所述密闭结构之外，且电性连接至封装基板上的焊垫或焊垫凸起。4.根据权利要求1所述的用于晶圆级封装的密闭结构，所述基底晶圆切割后得到基底芯片单元，基底芯片单元与封装基板之间采用正装方式，半导体器件的焊垫或焊垫凸起在所述密闭结构之内或之外，且通过贯穿基底晶圆的接触孔电极引至基底晶圆另一侧表面的焊垫或焊垫凸起，再电性连接至封装基板上的焊垫或焊垫凸起。5.—种用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，首先在基底晶圆上制造完成半导体器件，半导体器件在基底晶圆上具有输入输出焊垫;然后在基底晶圆上形成光刻胶材料的墙体，墙体呈环状包围在每个半导体器件的外围；半导体器件的焊垫在墙体之外；然后在盖帽晶圆的表面淀积一层防粘层，并在防粘层上形成光刻胶或玻璃材质的屋顶;然后将盖帽晶圆倒置与基底晶圆进行晶圆键合，墙体与屋顶连为一体并在每个半导体器件的外围形成一个密闭结构;半导体器件的焊垫在该密闭结构之外;然后剥离掉带有防粘层的盖帽晶圆；然后在基底晶圆上每个半导体器件的焊垫之上生长焊垫凸块;然后将基底晶圆切割得到每个半导体器件的芯片;然后将半导体器件的芯片倒装至封装基板上，芯片上的焊垫凸起与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体;最后采用封装材料将封装基板上的各部分予以封装，再对封装基板进行切割以得到封装好的半导体器件芯片。6.根据权利要求5所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，墙体和屋顶均为负性光刻胶。7.根据权利要求5所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，形成屋顶后再采用光刻和/或刻蚀工艺去除屋顶的多余部分，以使剩余的屋顶大致相当于墙体的外缘尺寸。8.—种用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，首先在基底晶圆上刻蚀通孔，再将基底晶圆翻过来研磨使通孔贯穿基底晶圆；然后在基底晶圆上制造完成半导体器件，半导体器件的输入输出焊垫位于通孔上方;然后在基底晶圆上形成光刻胶材料的墙体，墙体呈环状包围在每个半导体器件的外围；然后在盖帽晶圆的表面淀积一层防粘层，并在防粘层上形成光刻胶或玻璃材质的屋顶;然后将盖帽晶圆倒置与基底晶圆进行晶圆键合，墙体与屋顶连为一体并在每个半导体器件的外围形成一个密闭结构;然后在通孔中形成与半导体器件的焊垫具有电性连接的接触孔电极;然后在基底晶圆底面形成与接触孔电极具有电性连接的焊垫凸起;然后剥离掉带有防粘层的盖帽晶圆；然后将基底晶圆切割得到每个半导体器件的芯片；然后将半导体器件的芯片正装至封装基板上，芯片底面的焊垫凸起与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体;最后采用封装材料将封装基板上的各部分予以封装，再对封装基板进行切割以得到封装好的半导体器件芯片。9.根据权利要求8所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，将“首先在基底晶圆上刻蚀通孔，再将基底晶圆翻过来研磨使通孔贯穿基底晶圆；然后在基底晶圆上制造完成半导体器件，半导体器件的输入输出焊垫位于通孔上方”改为“首先在基底晶圆上制造完成半导体器件，半导体器件在基底晶圆上具有输入输出焊垫;然后在基底晶圆上刻蚀通孔，通孔底部为半导体器件的焊垫”。10.根据权利要求8或9所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，所述半导体器件的焊垫在墙体之内，同时也在密闭结构之内； 或者，所述半导体器件的焊垫在墙体之外，同时也在密闭结构之外。
【专利摘要】本申请公开了一种用于晶圆级封装的密闭结构，在基底晶圆上制造半导体器件，并在基底晶圆上的各个半导体器件外围以光刻胶形成环形的墙体，还在墙体上方接合有光刻胶或玻璃材质的屋顶，所述基底晶圆、墙体和屋顶构成密闭结构将各个半导体器件包围在内。与现有的用于晶圆级封装的密闭结构相比，本申请仅使用一片晶圆作为一个底面，以光刻胶作为侧壁，以光刻胶或玻璃作为另一个底面来构成密闭结构，这将显著地减小封装后的体积，并能降低封装成本。
【IPC分类】H01L21/56, B81B7/00, B81C1/00, H01L23/31
【公开号】CN105600738
【申请号】CN201510650220
【发明人】祝明国, 胡念楚, 贾斌
【申请人】锐迪科微电子（上海）有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年10月9日
[0063]第11步，请参阅图3k，将基底晶圆I减薄，并切割基底晶圆I得到半导体器件2的单颗芯片。每颗芯片主要包括基底芯片单元Ia及其上的半导体器件2。
[0064]第12步，请参阅图31，封装基板8上具有焊垫或焊垫凸起9，封装基板8上的焊垫或焊垫凸起9的位置与基底芯片单元Ia底面的焊垫凸起18的位置相对应。将基底芯片单元Ia正装到封装基板8上，基底芯片单元Ia底面的焊垫凸起18与封装基板8上的焊垫或焊垫凸起9通过焊料17进行焊接连为一体。可选地，焊料17也可省略。此时，每个半导体器件2的焊垫得以电性引出到封装基板8的焊垫焊垫凸起9。
[0065]第13步，请参阅图3，采用封装材料12将封装基板8上的各部分予以封装，然后再对封装基板8进行切割以得到封装好的半导体器件芯片。常用的封装材料12包括塑料、陶瓷等。
[0066]上述制造方法的第I步至第3步可以变形为如下的第I’步至第2’步，然后继续上述第4步至第13步。
[0067]第I’步，请参阅图4a，在基底晶圆I上制造完成半导体器件2，半导体器件2在基底晶圆I上具有输入输出焊垫。
[0068]第2’步，请参阅图4b，将基底晶圆I倒置，采用光刻和刻蚀工艺在基底晶圆I上刻蚀通孔6a，通孔6a的底部为半导体器件2的焊垫。
[0069]本申请的实施例二提供了一种新型的用于晶圆级封装的密闭结构，也是以一片晶圆作为一个底面，以光刻胶作为侧壁，以光刻胶或玻璃作为另一个底面来构成密闭结构。实施例二与实施例一相比具有如下区别:首先，实施例一采用倒装方式进行芯片封装，而实施例二采用正装方式进行芯片封装，两者可用于不同的半导体器件。其次，实施例一将半导体器件的焊垫置于密闭结构之外，而实施例二则将半导体器件包围在密闭结构之中。再次，实施例一省略了硅通孔技术，而实施例二采用了硅通孔技术，这样带来的好处是实施例二可以降低芯片封装后的高度。
[0070]请参阅图5，这是本申请用于对半导体器件进行晶圆级封装的密闭结构的实施例三。实施例三与实施例二的区别仅在于:实施例二中半导体器件2的焊垫在所述密闭结构之内，而实施例三中半导体器件2的焊垫在所述密闭结构之外。实施例二的制造方法及变形形式均同样适用于实施例三。
[0071]以上仅为本申请的优选实施例，并不用于限定本申请。对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于晶圆级封装的密闭结构，其特征是，在基底晶圆上制造半导体器件，并在基底晶圆上的各个半导体器件外围以光刻胶形成环形的墙体，还在墙体上方接合有光刻胶或玻璃材质的屋顶，所述基底晶圆、墙体和屋顶构成密闭结构将各个半导体器件包围在内。2.根据权利要求1所述的用于晶圆级封装的密闭结构，其特征是，所述密闭结构具有气密性，内部为真空或者填充气体。3.根据权利要求1所述的用于晶圆级封装的密闭结构，其特征是，所述基底晶圆切割后得到基底芯片单元，基底芯片单元倒装到封装基板上，半导体器件的焊垫或焊垫凸起在所述密闭结构之外，且电性连接至封装基板上的焊垫或焊垫凸起。4.根据权利要求1所述的用于晶圆级封装的密闭结构，所述基底晶圆切割后得到基底芯片单元，基底芯片单元与封装基板之间采用正装方式，半导体器件的焊垫或焊垫凸起在所述密闭结构之内或之外，且通过贯穿基底晶圆的接触孔电极引至基底晶圆另一侧表面的焊垫或焊垫凸起，再电性连接至封装基板上的焊垫或焊垫凸起。5.—种用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，首先在基底晶圆上制造完成半导体器件，半导体器件在基底晶圆上具有输入输出焊垫;然后在基底晶圆上形成光刻胶材料的墙体，墙体呈环状包围在每个半导体器件的外围；半导体器件的焊垫在墙体之外；然后在盖帽晶圆的表面淀积一层防粘层，并在防粘层上形成光刻胶或玻璃材质的屋顶;然后将盖帽晶圆倒置与基底晶圆进行晶圆键合，墙体与屋顶连为一体并在每个半导体器件的外围形成一个密闭结构;半导体器件的焊垫在该密闭结构之外;然后剥离掉带有防粘层的盖帽晶圆；然后在基底晶圆上每个半导体器件的焊垫之上生长焊垫凸块;然后将基底晶圆切割得到每个半导体器件的芯片;然后将半导体器件的芯片倒装至封装基板上，芯片上的焊垫凸起与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体;最后采用封装材料将封装基板上的各部分予以封装，再对封装基板进行切割以得到封装好的半导体器件芯片。6.根据权利要求5所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，墙体和屋顶均为负性光刻胶。7.根据权利要求5所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，形成屋顶后再采用光刻和/或刻蚀工艺去除屋顶的多余部分，以使剩余的屋顶大致相当于墙体的外缘尺寸。8.—种用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，首先在基底晶圆上刻蚀通孔，再将基底晶圆翻过来研磨使通孔贯穿基底晶圆；然后在基底晶圆上制造完成半导体器件，半导体器件的输入输出焊垫位于通孔上方;然后在基底晶圆上形成光刻胶材料的墙体，墙体呈环状包围在每个半导体器件的外围；然后在盖帽晶圆的表面淀积一层防粘层，并在防粘层上形成光刻胶或玻璃材质的屋顶;然后将盖帽晶圆倒置与基底晶圆进行晶圆键合，墙体与屋顶连为一体并在每个半导体器件的外围形成一个密闭结构;然后在通孔中形成与半导体器件的焊垫具有电性连接的接触孔电极;然后在基底晶圆底面形成与接触孔电极具有电性连接的焊垫凸起;然后剥离掉带有防粘层的盖帽晶圆；然后将基底晶圆切割得到每个半导体器件的芯片；然后将半导体器件的芯片正装至封装基板上，芯片底面的焊垫凸起与封装基板上的焊垫或焊垫凸起通过焊接连为一体;最后采用封装材料将封装基板上的各部分予以封装，再对封装基板进行切割以得到封装好的半导体器件芯片。9.根据权利要求8所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，其特征是，将“首先在基底晶圆上刻蚀通孔，再将基底晶圆翻过来研磨使通孔贯穿基底晶圆；然后在基底晶圆上制造完成半导体器件，半导体器件的输入输出焊垫位于通孔上方”改为“首先在基底晶圆上制造完成半导体器件，半导体器件在基底晶圆上具有输入输出焊垫;然后在基底晶圆上刻蚀通孔，通孔底部为半导体器件的焊垫”。10.根据权利要求8或9所述的用于晶圆级封装的密闭结构的制造方法，所述半导体器件的焊垫在墙体之内，同时也在密闭结构之内； 或者，所述半导体器件的焊垫在墙体之外，同时也在密闭结构之外。
【专利摘要】本申请公开了一种用于晶圆级封装的密闭结构，在基底晶圆上制造半导体器件，并在基底晶圆上的各个半导体器件外围以光刻胶形成环形的墙体，还在墙体上方接合有光刻胶或玻璃材质的屋顶，所述基底晶圆、墙体和屋顶构成密闭结构将各个半导体器件包围在内。与现有的用于晶圆级封装的密闭结构相比，本申请仅使用一片晶圆作为一个底面，以光刻胶作为侧壁，以光刻胶或玻璃作为另一个底面来构成密闭结构，这将显著地减小封装后的体积，并能降低封装成本。
【IPC分类】H01L21/56, B81B7/00, B81C1/00, H01L23/31
【公开号】CN105600738
【申请号】CN201510650220
【发明人】祝明国, 胡念楚, 贾斌
【申请人】锐迪科微电子（上海）有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年10月9日
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。