一种电容式微电子气压传感器及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种电容式微电子气压传感器，其特征在于：包括单晶硅密封腔体和基于上下两电极间距离变化量的电容式气压传感器；

以单晶硅作为衬底，通过单晶硅外延封腔工艺形成密封腔体结构；通过溅射，光刻，腐蚀工艺，在密封腔上表面的依次生长电容器下电极、牺牲层、上电极；最后在对电容器上电极、电容器下电极进行保护的同时，对牺牲层进行各向同性的腐蚀，去除牺牲层；在单晶硅衬底上设置有金属焊盘和引线用来分别引出电容器的上电极、下电极。

2.根据权利要求1所述的电容式微电子气压传感器，其特征在于：所述单晶硅衬底上表面依次生长有氧化硅和氮化硅，并光刻、腐蚀形成接触孔。

3.根据权利要求1所述的电容式微电子气压传感器，其特征在于：所述电容器下电极、上电极、引线及焊盘的材质均为金属。

4.根据权利要求1所述的电容式微电子气压传感器，其特征在于：所述电容器下电极、上电极、引线及焊盘的材质均为Al。

5.根据权利要求1所述的电容式微电子气压传感器，其特征在于：所述牺牲层的材质为磷硅玻璃。

6.根据权利要求1所述的电容式微电子气压传感器，其特征在于：单晶硅衬底中的密封腔体高度为4-6μm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的电容式微电子气压传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1）、采用N型单晶硅作为衬底，通过各向异性反应离子刻蚀工艺在单晶硅衬底上刻蚀浅槽；

步骤2）、在对单晶硅衬底浅槽侧壁进行保护的同时，对单晶硅衬底进行各向同性腐蚀，为接下来的外延单晶硅封腔工艺做准备；

步骤3）、外延生长单晶硅，在单晶硅衬底内部形成密封腔体；

步骤4）、在单晶硅衬底上表面依次生长氧化硅和氮化硅，并光刻、腐蚀形成接触孔；

步骤5）、在氮化硅表面溅射第一层金属，光刻、腐蚀形成焊盘、电互连线以及电容器下电极；

步骤6）、在氮化硅和第一层金属上溅射牺牲层材料，光刻、腐蚀形成牺牲层；

步骤7）、在氮化硅和牺牲层上溅射第二层金属，光刻、腐蚀形成焊盘、电互连线以及电容器上电极，并在电容器上电极上开设有多个通孔，作为腐蚀电容器上下电极间牺牲层的窗口；

步骤8）、在对电容器上电极、电容器下电极进行保护的同时，对牺牲层进行各向同性的腐蚀，露出电容器下极板的引线及焊盘。