半导体装置及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供第一半导体结构，该第一半导体结构包括：第一部件，该第一部件包括互相间隔开的多层膜；以及在该第一部件上的第一结合件；在该第一部件上形成抗粘滞材料层，其中，该抗粘滞材料层覆盖在该多层膜上；提供第二半导体结构，该第二半导体结构包括：第二部件和在该第二部件上的第二结合件；以及将第一结合件和第二结合件结合，以将第一部件和第二部件结合在一起。本发明解决了半导体装置中多层膜的粘滞问题。

技术研发人员：伏广才
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.03.17
技术公布日：2018.10.09