微机电系统装置及其形成方法及微机电系统结构与流程

技术特征：

1.一种微机电系统装置，包括：

衬底；

内连结构，上覆在所述衬底上；

微机电系统衬底，上覆在所述内连结构上，其中所述微机电系统衬底包括可移动的膜；

介电结构，设置在所述内连结构与所述微机电系统衬底之间；以及

导电接合结构，夹置在所述内连结构与所述微机电系统衬底之间，其中所述导电接合结构在所述介电结构的侧壁之间在侧向上间隔开，其中所述导电接合结构、所述微机电系统衬底及所述内连结构至少局部地界定第一空腔，其中所述可移动的膜上覆在所述第一空腔上且在所述导电接合结构的侧壁之间在侧向上间隔开。

2.根据权利要求1所述的微机电系统装置，其中所述导电接合结构直接接触设置在所述内连结构内的导电接合层，其中所述导电接合层的上表面界定所述第一空腔的底表面。

3.根据权利要求1所述的微机电系统装置，其中，还包括：

第二空腔，界定在所述导电接合结构的外周边与所述介电结构的内侧壁之间。

4.根据权利要求1所述的微机电系统装置，还包括：

空腔介电层，沿所述内连结构的上表面设置，其中所述空腔介电层邻接所述第一空腔且位于所述可移动的膜之下。

5.一种微机电系统结构，包括：

衬底；

内连结构，上覆在所述衬底上，其中所述内连结构包括导电接合层；

微机电系统衬底，上覆在所述内连结构上，其中所述微机电系统衬底包括可移动的膜；

导电接合环结构，夹置在所述内连结构与所述微机电系统衬底之间，其中所述导电接合环结构接触所述内连结构的所述导电接合层，其中所述导电接合环结构、所述微机电系统衬底及所述内连结构至少局部地界定第一空腔，其中所述可移动的膜上覆在所述第一空腔上且在所述导电接合环结构的侧壁之间在侧向上间隔开；以及

介电结构，夹置在所述内连结构与所述微机电系统衬底之间，其中所述导电接合环结构在所述介电结构的内侧壁之间在侧向上间隔开，其中所述介电结构的厚度小于所述导电接合环结构的厚度。

6.根据权利要求5所述的微机电系统结构，还包括：

防粘连结构，沿所述内连结构的上表面设置且设置在所述第一空腔内，其中所述防粘连结构包括朝所述微机电系统衬底延伸的一个或多个突出部，其中所述防粘连结构包含与所述介电结构相同的材料。

7.根据权利要求5所述的微机电系统结构，其中所述导电接合环结构的侧向段延伸跨越所述导电接合层的上表面且直接接触所述导电接合层的所述上表面，其中所述导电接合环结构的下表面包括在垂直方向上设置在所述导电接合层的所述上表面下方的一个或多个突出部。

8.一种形成微机电系统装置的方法，所述方法包括：

在衬底之上形成内连结构；

在所述内连结构之上形成具有第一厚度的介电层堆叠；

将所述介电层堆叠图案化，以沿所述内连结构的上表面界定介电结构及一个或多个停止件结构；

在微机电系统衬底上形成可移动的膜；

在所述微机电系统衬底之上形成隔离介电层；

在所述微机电系统衬底之上形成导电接合环结构，其中所述导电接合环结构具有比所述第一厚度大的第二厚度；以及

执行共晶接合工艺，以将所述导电接合环结构接合到所述内连结构，其中所述共晶接合工艺密封设置在所述导电接合环结构的内侧壁之间的第一空腔。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述导电接合环结构的所述第二厚度在所述共晶接合工艺期间减小，其中当所述隔离介电层的下表面接触所述介电结构的上表面时，所述第二厚度的所述减小停止。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述共晶接合工艺以第一气体压力密封所述第一空腔且以第二气体压力密封第二空腔，其中所述第二空腔界定在所述导电接合环结构的外周边与所述介电结构的侧壁之间。

技术总结
各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置及其形成方法及微机电系统结构，所述微机电系统装置包括设置在衬底与微机电系统衬底之间的导电接合结构。内连结构上覆在衬底上。微机电系统衬底上覆在内连结构上且包括可移动的膜。介电结构设置在内连结构与微机电系统衬底之间。所述导电接合结构夹置在内连结构与微机电系统衬底之间。导电接合结构在介电结构的侧壁之间在侧向上间隔开。导电接合结构、微机电系统衬底及内连结构至少局部地界定空腔。可移动的膜上覆在空腔上且在导电接合结构的侧壁之间在侧向上间隔开。

技术研发人员：林宏桦;洪嘉明;黄信华;谢元智
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.02.13
技术公布日：2020.12.29