一种脉冲宽度调制整流器、制氢的装置及制氢的方法与流程

技术特征：
1.一种脉冲宽度调制整流器，其特征在于，所述脉冲宽度调制整流器应用于制氢的装置，所述脉冲宽度调制整流器包括：可控硅电路和可控交流/直流电路；所述可控硅电路的输入侧用于连接交流电源；所述可控硅电路的输出侧用于连接制氢槽；所述可控交流/直流电路的输入侧用于连接所述交流电源；所述可控交流/直流电路的输出侧用于连接所述制氢槽；所述可控硅电路，用于将所述交流电源的交流电转换为直流电；所述可控交流/直流电路，用于将所述交流电源输出的交流电转换成电压逐渐升高的直流电并为所述制氢槽充电；当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，所述可控硅电路的输入侧连接所述交流电源。2.根据权利要求1所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，还包括：输出电容；所述可控硅电路的输出侧包括所述可控硅电路的正输出端和所述可控硅电路的负输出端；所述输出电容连接在所述可控硅电路的正输出端和所述可控硅电路的负输出端之间；所述可控交流/直流电路，具体用于将所述交流电源输出的交流电转换成电压逐渐升高的直流电并为所述制氢槽和所述输出电容充电。3.根据权利要求2所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，还包括：控制器；所述控制器，用于控制所述可控交流/直流电路将所述交流电源输出的交流电转换成电压逐渐升高的直流电并为所述制氢槽和所述输出电容充电；当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，控制所述可控硅电路的输入侧连接所述交流电源。4.根据权利要求3所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，还包括：第一开关；所述第一开关的第一端用于连接交流电源，所述第一开关的第二端连接所述可控硅电路的输入侧；所述控制器，具体用于当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，闭合所述第一开关，所述可控硅电路的输入侧通过所述第一开关连接所述交流电源。5.根据权利要求4所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，还包括：交流滤波电路；所述交流滤波电路的输入侧连接所述第一开关的第二端；所述交流滤波电路的输出侧连接所述可控硅电路的输入侧；或，所述交流滤波电路的输入侧用于连接所述可控交流/直流电路的输入侧；所述交流滤波电路的输出侧连接所述第一开关的第一端。6.根据权利要求4所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，还包括：交流滤波电路；所述交流滤波电路的输入侧用于连接所述交流电源；所述交流滤波电路的输出侧连接所述可控交流/直流电路的输入侧。7.根据权利要求1所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，所述可控交流/直流电路包括：晶闸管相控整流器。8.根据权利要求1所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，所述可控交流/直流电路包括：不可控交流/直流电路和直流/直流变换电路。9.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述可控硅电路工作于脉冲宽度调制整流模式；或，
所述可控硅电路工作于不可控整流模式。10.根据权利要求1所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，所述可控硅电路工作于脉冲宽度调制整流模式时，所述可控硅电路为以下任意一种：单相可控硅电路、两相可控硅电路、三相可控硅电路和四相可控硅电路。11.根据权利要求2所述的脉冲宽度调制整流器，其特征在于，所述可控硅电路工作于脉冲宽度调制整流模式时，所述可控硅电路为以下任意一种：两电平可控硅电路、三电平可控硅电路、四电平可控硅电路和五电平可控硅电路。12.一种制氢的装置，其特征在于，包括：脉冲宽度调制整流器和制氢槽；所述脉冲宽度调制整流器包括：可控硅电路和可控交流/直流电路；所述可控硅电路的输入侧用于连接交流电源；所述可控硅电路的输出侧连接所述制氢槽；所述可控交流/直流电路的输入侧用于连接所述交流电源；所述可控交流/直流电路的输出侧连接所述制氢槽；所述可控硅电路，用于将所述交流电源的交流电转换为直流电；所述可控交流/直流电路，用于将所述交流电源输出的交流电转换成电压逐渐升高的直流电并为所述制氢槽充电；当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，所述可控硅电路的输入侧连接所述交流电源。13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，还包括：控制器；所述控制器，用于控制所述可控交流/直流电路将所述交流电源输出的交流电转换成电压逐渐升高的直流电并为所述制氢槽充电；当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，控制所述可控硅电路的输入侧连接所述交流电源。14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，还包括：第一开关；所述第一开关的第一端用于连接交流电源，所述第一开关的第二端连接所述可控硅电路的输入侧；所述控制器，具体用于当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，闭合所述第一开关，所述可控硅电路的输入侧通过所述第一开关连接所述交流电源。15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，还包括：交流滤波电路；所述交流滤波电路的输入侧连接所述第一开关的第二端；所述交流滤波电路的输出侧连接所述可控硅电路的输入侧；或，所述交流滤波电路的输入侧用于连接所述可控交流/直流电路的输入侧；所述交流滤波电路的输出侧连接所述第一开关的第一端。16.一种制氢的方法，其特征在于，所述方法应用于脉冲宽度调制整流器，所述脉冲宽度调制整流器包括：可控硅电路和可控交流/直流电路；所述可控硅电路的输入侧用于连接交流电源；所述可控硅电路的输出侧用于连接制氢槽；所述可控交流/直流电路的输入侧用于连接所述交流电源；所述可控交流/直流电路的输出侧用于连接所述制氢槽；所述可控硅电路，用于将所述交流电源的交流电转换为直流电；所述可控交流/直流电路，用于将所述交流电源输出的交流电转换成电压逐渐升高的直流电并为所述制氢槽充电；当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，所述可控硅电路的输入侧连接所述交流电源，所述方法包括：
启动所述可控交流/直流电路；控制所述可控交流/直流电路将所述交流电源输出的交流电转换成电压逐渐升高的直流电并为所述制氢槽充电；当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，控制所述可控硅电路的输入侧连接所述交流电源；所述可控硅电路根据所述制氢槽的制氢量的需求动态调整输出电压的大小。17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述脉冲宽度调制整流器还包括：第一开关；所述第一开关的第一端用于连接交流电源，所述第一开关的第二端连接所述可控硅电路的输入侧；所述当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时，控制所述可控硅电路的输入侧连接所述交流电源，包括：当所述可控交流/直流电路的输出电压大于预设电压时闭合所述第一开关，所述可控硅电路的输入侧通过所述第一开关连接所述交流电源。18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述脉冲宽度调制整流器还包括：交流滤波电路；所述交流滤波电路的输入侧连接所述第一开关的第二端；所述交流滤波电路的输出侧连接所述可控硅电路的输入侧；或，所述交流滤波电路的输入侧用于连接所述可控交流/直流电路的输入侧；所述交流滤波电路的输出侧连接所述第一开关的第一端。

技术总结
本申请公开了一种脉冲宽度调制整流器、制氢的装置及制氢的方法，通过使用脉冲宽度调制整流器中的可控硅电路可以降低谐波电流，且在可控硅电路中可以直接进行无功功率的补偿，制氢系统不需要配备额外的无功补偿装置，降低了制氢的成本。且本申请发现传统脉冲宽度调制整流器不可控交流/直流电路存在问题，将原本脉冲宽度调制整流器中的不可控交流/直流电路替换为可控交流/直流电路，并通过该可控交流/直流电路将交流电源输出的交流电转换成电压逐渐升高的直流电，为制氢槽进行预先充电。为制氢槽进行预先充电。为制氢槽进行预先充电。


技术研发人员：邹海晏 崔德凯 胡勇
受保护的技术使用者：阳光电源股份有限公司
技术研发日：2021.07.05
技术公布日：2021/9/9