多孔硅制备装置的制作方法

本实用新型涉及硅材料制备技术领域，特别涉及一种多孔硅制备装置。

背景技术：

随着近年来科学技术的发展，纳米功能材料的研究和使用不断增多。多孔硅作为一种新型的纳米功能材料，以其室温下发光、非常大的内表面积和成本低、无毒害等优点被广泛运用在电池、医学等领域，尤其是在光学生物传感器领域尤为重要。多孔硅是在硅片表面进行特殊工艺处理，使其表面含有大量纳米级孔道的新型功能材料。多孔硅的研究起源于上个世纪，但由于制备工艺的限制，导致多孔硅的研究并未有实质性的突破，至上世纪90年代，国外科学家首次利用电化学腐蚀的方法制备多孔硅并发现其在室温下有强烈的光致发光现象，至此，多孔硅以其独特的优点逐渐成为研究硅基光电集成的热门。

现有的多孔硅制备方法主要为：1、火花放电刻蚀法，利用特定的装置将硅片置于正负极后，通过高压放电产生的火花对硅片进行蚀刻，虽然此方法硅片上无化学残留，但制备条件苛刻，其效率很低。2、化学腐蚀法,直接将硅片放在含氢氟酸的腐蚀液中，进行化学腐蚀，此方法简单易操作但可重复性差，其表面形成不均匀。3、掺杂水热腐蚀法，将硅片置于高压水热釜中，在腐蚀液的作用下，形成多孔硅，但此方法对设备要求高。4、电化学阳极腐蚀法，以硅片作为阳极，在由氢氟酸组成的腐蚀液中，施加合适的电流进行电化学腐蚀。此方法简单，可行且重复性高。

技术实现要素：

电化学阳极腐蚀法是目前制备多孔硅运用最广泛的方法，其主要分为单槽法和双槽法两种。单槽法是将多孔硅当作阳极，石墨或铂片作为阴极，在氢氟酸组成的腐蚀液中，施加合适的电流，对硅片表面进行电化学腐蚀。在实施单槽法时，往往为了使其形成良好的欧姆接触，会在其表面镀一层金属，这大大增加了多孔硅制作成本和难度，且单槽法制备出的多孔硅表面不均匀，且重复率低。双槽法是指将多孔硅放置于两个槽体之间，用石墨或者铂电极作为正负电极，在两个槽中分别加入腐蚀液和导电液。施加合适的电流，使电流均匀的从一个槽经过硅片到达另一个槽。此方法制备的多孔硅在形貌和性能上优于单槽法。

传统的基于双槽法的实验装置大体上分为横置机构与纵置机构。横置机构的双槽实验装置构造简单，其包括左槽、硅片、右槽。在槽与槽之间通常使用机械连接或者用硅片对其进行物理分隔，该方法不仅会涉及连接处可能的泄漏，导致液体联通，而且拆装不易，硅片尺寸制作单一，不便于设备维护。纵置机构大体结构包括外槽和内槽，相比于横置的双槽实验装置，纵置双槽实验装置结构紧凑，占用面积小且不易于渗漏，但纵置双槽实验装置因为结构复杂，导致拆装困难，且不利于溶液回收和再利用。

为了克服现有技术的上述缺陷，本实用新型实施例所要解决的技术问题是提供了一种多孔硅制备装置，其便于装配、维护，且不易泄漏，同时易于腐蚀液的回收再利用，可以实现对多孔硅尺寸的灵活控制和调整。

本实用新型实施例的具体技术方案是：

一种多孔硅制备装置，所述多孔硅制备装置包括：

支架，所述支架包括本体，所述本体上形成有凹陷的容纳腔，形成所述容纳腔的底壁上开设有第一敞口，所述本体具有向上延伸的多根定位杆，所述定位杆的上端具有第一卡扣，所述本体的下端具有第二卡扣；

能安装入所述容纳腔的硅片固定机构，其包括：能嵌入所述容纳腔的两块板体，两块所述板体在相对的一侧上具有一凹槽，所述凹槽的底部开设有第二敞口；两个密封件，每个所述密封件上开设有第三敞口，两个所述密封件分别设置在两个所述板体的所述凹槽中；两个所述密封件之间用于安装硅片，以使所述硅片的两侧分别对准所述第三敞口；

压紧件，所述压紧件沿竖直方向开设有贯穿所述压紧件的第一容纳槽和限位孔，所述压紧件下端具有与所述容纳腔相匹配的按压部，所述支架的定位杆能穿过所述压紧件的所述限位孔并使所述按压部抵住所述硅片固定机构；

盖板，所述盖板能与所述第一卡扣相卡合以使所述盖板压紧所述压紧件；

具有第二容纳槽的容纳件，所述支架能放置在所述第二容纳槽中并通过所述第二卡扣与所述容纳件实现固定。

优选地，所述第一容纳槽和所述第二容纳槽中分别用于充入电解液和腐蚀液，所述电解液和所述腐蚀液中分别用于通入不同极性的电。

优选地，所述容纳件的上端的两侧分别开设有开孔；

所述多孔硅制备装置还包括：电极安装机构，其包括：支撑件，所述支撑件包括导轨，连接在导轨两端的杆体，所述杆体能插入所述开孔；设置在导轨上能滑动的两个移动杆，其中一个所述移动杆用于安装正电极极片，另一个所述移动杆用于安装负电极极片，两个所述移动杆分别能滑动至所述第一容纳槽和所述第二容纳槽处。

优选地，所述凹槽的厚度小于所述密封件的厚度，所述密封件由氟胶制成。

优选地，当两个所述密封件之间安装有硅片时，所述第一容纳槽与所述第二容纳槽之间不连通。

优选地，所述盖板上与所述第一卡扣相对应的位置处开设有第一卡扣导轨，所述第一卡扣卡入所述第一卡扣导轨并转动所述盖板以使所述盖板压紧所述压紧件，所述盖板上开设有与所述第一容纳槽相连通的排气孔。

优选地，所述本体的下端具有支撑部，所述支撑部的底部具有所述第二卡扣；所述第二容纳槽的底部具有与所述第二卡扣相对应的第二卡扣导轨，所述第二卡扣卡入所述第二卡扣导轨并转动所述支架以使所述支架与所述容纳件相固定。

优选地，所述按压部在水平方向上的横截面与所述容纳腔在水平方向上的横截面相同。

优选地，所述支架、所述板体、所述压紧件、所述容纳件均由耐腐蚀的树脂制成。

优选地，所述导轨上具有一滑槽，所述移动杆的上端呈倒“山”形状，所述移动杆的上端能伸入所述滑槽并转动后能挂在所述导轨上。

本实用新型的技术方案具有以下显著有益效果：

本申请中板体和密封件可以为可更换配件，其可以根据单次制作需求量对其特定的形状、尺寸等进行修改和更换，从而满足对硅片尺寸数量的可控性要求。其余的零部件均可装配拆卸，可以在对不同尺寸的硅片进行处理时重复使用，通用性强，如此，能够大大节约成本。

参照后文的说明和附图，详细公开了本实用新型的特定实施方式，指明了本实用新型的原理可以被采用的方式。应该理解，本实用新型的实施方式在范围上并不因而受到限制。本实用新型的实施方式包括许多改变、修改和等同。针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

附图说明

在此描述的附图仅用于解释目的，而不意图以任何方式来限制本实用新型公开的范围。另外，图中的各部件的形状和比例尺寸等仅为示意性的，用于帮助对本实用新型的理解，并不是具体限定本实用新型各部件的形状和比例尺寸。本领域的技术人员在本实用新型的教导下，可以根据具体情况选择各种可能的形状和比例尺寸来实施本实用新型。

图1为本实用新型实施例中多孔硅制备装置的整体示意图；

图2为本实用新型实施例中支架的立体结构示意图；

图3为本实用新型实施例中硅片固定机构的结构示意图；

图4为本实用新型实施例中压紧件的立体结构示意图；

图5为本实用新型实施例中盖板的立体结构示意图；

图6为本实用新型实施例中容纳件的立体结构示意图；

图7为本实用新型实施例中电极安装机构的爆炸图；

图8a-图8h为本实用新型实施例中多孔硅制备装置的装配过程示意图。

以上附图的附图标记：

1、支架；11、本体；12、容纳腔；13、第一敞口；14、定位杆；15、第一卡扣；16、第二卡扣；17、支撑部；2、硅片固定机构；21、板体；211、凹槽；212、第二敞口；22、密封件；221、第三敞口；23、硅片；3、压紧件；31、第一容纳槽；32、限位孔；33、按压部；4、盖板；41、第一卡扣导轨；42、排气孔；5、容纳件；51、第二容纳槽；52、开孔；53、第二卡扣导轨；6、电极安装机构；61、支撑件；611、导轨；6111、滑槽；612、杆体；62、移动杆。

具体实施方式

结合附图和本实用新型具体实施方式的描述，能够更加清楚地了解本实用新型的细节。但是，在此描述的本实用新型的具体实施方式，仅用于解释本实用新型的目的，而不能以任何方式理解成是对本实用新型的限制。在本实用新型的教导下，技术人员可以构想基于本实用新型的任意可能的变形，这些都应被视为属于本实用新型的范围。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

为了装置便于装配、维护，且不易泄漏，同时易于腐蚀液的回收再利用，可以实现对多孔硅尺寸的灵活控制和调整，在本申请中提出了一种多孔硅制备装置，图1为本实用新型实施例中多孔硅制备装置的整体示意图，图2为本实用新型实施例中支架的立体结构示意图，图3为本实用新型实施例中硅片固定机构的结构示意图，图4为本实用新型实施例中压紧件的立体结构示意图，图5为本实用新型实施例中盖板的立体结构示意图，图6为本实用新型实施例中容纳件的立体结构示意图，如图1至图6所示，多孔硅制备装置可以包括：支架1，支架1包括本体11，本体11上形成有凹陷的容纳腔12，形成容纳腔12的底壁上开设有第一敞口13，本体11具有向上延伸的多根定位杆14，定位杆14的上端具有第一卡扣15，本体11的下端具有第二卡扣16；能安装入容纳腔12的硅片固定机构2，其包括：能嵌入容纳腔12的两块板体21，两块板体21在相对的一侧上具有一凹槽211，凹槽211的底部开设有第二敞口212；两个密封件22，每个密封件22上开设有第三敞口221，两个密封件22分别设置在两个板体21的凹槽211中；两个密封件22之间用于安装硅片23，以使硅片23的两侧分别对准第三敞口221；压紧件3，压紧件3沿竖直方向开设有贯穿压紧件3的第一容纳槽31和限位孔32，压紧件3下端具有与容纳腔12相匹配的按压部33，支架1的定位杆14能穿过压紧件3的限位孔32并使按压部33抵住硅片固定机构2；盖板4，盖板4能与第一卡扣15相卡合以使盖板4压紧压紧件3；具有第二容纳槽51的容纳件5，支架1能放置在第二容纳槽51中并通过第二卡扣16与容纳件5实现固定。

通过本申请中的多孔硅制备装置，先将硅片23安装入两个密封件22之间，之后通过板体21夹持住后将整个硅片固定机构2安装入支架1的容纳腔12中；然后将压紧件3通过支架1的定位杆14安装到支架1上，进而压住硅片固定机构2，压紧件3的第一容纳槽31与硅片23的上端面连通；之后将盖板4与第一卡扣15相卡合以使盖板4压紧压紧件3；再将整个支架1放置入容纳件5的第二容纳槽51并通过第二卡扣16与容纳件5实现固定，如此，第二容纳槽51与硅片23的下端面连通。最后，第一容纳槽31和第二容纳槽51中分别充入电解液和腐蚀液，电解液和腐蚀液中分别通入不同极性的电从而对硅片23进行腐蚀。

当硅片23腐蚀结束后，停止通入不同极性的电，将整个支架1从而容纳件5的第二容纳槽51中取出，再将第一容纳槽31中的液体倾倒回收，依次将盖板4、压紧件3拆开，取出硅片固定机构2拆进行清洗，再取出硅片23并对其进行清洗和风干。

本申请中板体21和密封件22可以为可更换配件，其可以根据单次制作需求量对其特定的形状、尺寸等进行修改和更换，从而满足对硅片23尺寸数量的可控性要求。其余的零部件均可装配拆卸，可以在对不同尺寸的硅片23进行处理时重复使用，通用性强，如此，能够大大节约成本。

为了能够更好的了解本申请中的多孔硅制备装置，下面将对其做进一步解释和说明。如图1所示，多孔硅制备装置可以包括：支架1，硅片固定机构2，压紧件3，盖板4和容纳件5。

如图2所示，支架1可以包括本体11，本体11的上端面上形成有凹陷的容纳腔12，容纳腔12用于安装设置硅片固定机构2，并保证压紧件3内的溶液能够进入接触硅片23的上端面。形成容纳腔12的底壁上开设有第一敞口13，第一敞口13可以使得本体11下方的液体能够通过第一敞口13从而接触到硅片固定机构2中夹持硅片23的下端面。本体11具有向上延伸的多根定位杆14，多根定位杆14可以位于容纳腔12的周向上，例如，定位杆14可以是四根，当本体11呈正方体或长方体时，定位杆14位于本体11的四个角处。定位杆14用于引导压紧件3进入预定位置，并作为压紧硅片固定机构2的一部分，承担压紧时所产生的应力。本体11的上表面需要保证与压紧件3之间紧密接触，从而保证密封性。定位杆14的上端具有第一卡扣15，第一卡扣15用于与盖板4之间进行卡合，从而使得盖板4压紧压紧件3。例如，第一卡扣15可以为圆形工状卡扣。本体11的下端具有第二卡扣16，第二卡扣16用于与容纳件5进行卡合以实现支架1与容纳件5之间的固定，可以避免支架1因为浮力原因在具有液体的容纳件5中处于悬浮或漂浮状态。例如，第二卡扣16也可以为圆形工状卡扣。

作为可行的，如图2所示，本体11的下端具有支撑部17，支撑部17的底部具有第二卡扣16。支撑部17用于支撑本体11，同时使得本体11底部与容纳件5之间具有一定的间隙，从而使得容纳件5中的液体能够流至本体11底部。支撑部17可以采用三角形机构，从而起到最大支撑力，防止本体11形变。

在上述实施方式中，支架1可以采用耐腐蚀高强度的树脂制成，可防止纵向压力和内部应力造成支架1变形。

如图3所示，硅片固定机构2能安装入支架1的容纳腔12。硅片固定机构2可以包括：能嵌入容纳腔12的两块板体21和两个密封件22。两块板体21在相对的一侧上具有一凹槽211，凹槽211的底部开设有第二敞口212，第二敞口212使得板体21的上下端面连通。板体21在水平方向上的横截面与容纳腔12在水平方向上的横截面相同。密封件22的形状与凹槽211相匹配，每个密封件22上开设有第三敞口221，第三敞口221使得密封件22的上下端面连通，以作为硅片23与液体接触的反应场所。两个密封件22分别设置在两个板体21的凹槽211中。凹槽211的厚度小于密封件22的厚度，预留出密封件22压缩变形的区间余量。例如，密封件22可以由氟胶制成，具有一定可变形性，在受到纵向压力时会具有向下和向四周变形的趋势和变化，从而达到密封的作用。两个密封件22之间用于安装硅片23，以使硅片23的两侧分别对准第三敞口221使得第三敞口221被盖住，从而达到使两侧溶液隔离的目的。在两块板体21夹持下，两个密封件22压紧硅片23，硅片23的上端面和下端面是相互隔离的，液体通过上方的板体21的第二敞口212、上方的密封件22的第三敞口221对硅片23的上端面进行处理，液体通过下方的板体21的第二敞口212、下方的密封件22的第三敞口221对硅片23的下端面进行处理，彼此无法干涉。由于硅片固定机构2为灵活可拆卸且可替换的零件，因此，可以根据处理的硅片23的尺寸和需要求等进行更改和替换，其余零部件无法更换。

在上述实施方式中，板体21可以采用耐腐蚀高强度的树脂制成，可防止纵向压力和内部应力造成凹槽211变形。

如图4所示，压紧件3沿竖直方向开设有贯穿压紧件3的第一容纳槽31和限位孔32。限位孔32和第一容纳槽31贯穿压紧件3的上下端。限位孔32的分布与定位杆14相对应。压紧件3下端具有与容纳腔12相匹配的按压部33，例如，按压部33在水平方向上的横截面与容纳腔12在水平方向上的横截面相同。如此，支架1的定位杆14能穿过压紧件3的限位孔32，从而起到引导和限位的作用，并使按压部33抵住硅片固定机构2，此时，第一容纳槽31与硅片固定机构2的位于上方的板体21的第二敞口212相对应连通，第一容纳槽31中用于放置电解时所需的液体，例如腐蚀液。而且，支架1与压紧件3可以形成一个整体。同时，按压部33的侧壁能够与支架1本体11容纳腔12的侧壁相紧贴，达到一定的密封效果，防止容纳件5中的溶液从两者的交接处渗入，造成短路或者两种不同溶液的污染。

在上述实施方式中，压紧件3可以采用耐腐蚀高强度的树脂制成，可防止纵向压力和内部应力造成第一容纳槽31变形。

如图5所示，当压紧件3安装在支架1上时，盖板4能与第一卡扣15相卡合以使盖板4压紧压紧件3。在一种可行的实施方式中，盖板4上与第一卡扣15相对应的位置处开设有第一卡扣导轨41，第一卡扣15卡入第一卡扣导轨41并转动盖板4以使盖板4压紧压紧件3，压紧件3进而压紧硅片固定机构2，也压紧硅片固定机构2与支架1，避免容纳件5中液体渗入。盖板4上开设有与第一容纳槽31相连通的排气孔42，排气孔42可以用于向第一容纳槽31通入液体和放入电极极片，也可以防止腐蚀过程中产生的气体使第一容纳槽31内压力过高或发生危险，在反应中及时排出。

在上述实施方式中，压紧件3可以采用耐腐蚀高强度的树脂制成，可防止纵向压力和内部应力造成压紧件3变形。

如图6所示，容纳件5具有第二容纳槽51，支架1能放置在第二容纳槽51中并通过第二卡扣16与容纳件5实现固定。在一种可行的实施方式中，第二容纳槽51的底部具有与第二卡扣16相对应的第二卡扣导轨53，第二卡扣16卡入第二卡扣导轨53并转动支架1以使支架1与容纳件5相固定。在反应结束时，可将除容纳件5以外的机构包括支架1、硅片固定机构2、压紧件3和盖板4一起逆向旋转从容纳件5上拆卸下来，这样就不会松动盖板4使第一容纳槽31内液体无法渗出，以便于溶液回收。当两个密封件22之间安装有硅片23时，第一容纳槽31与第二容纳槽51之间不连通。

在上述实施方式中，容纳件5可以采用耐腐蚀高强度的树脂制成，可防止纵向压力和内部应力造成容纳件5变形。

第一容纳槽31和第二容纳槽51中分别用于充入电解液和腐蚀液，电解液和腐蚀液中分别用于通入不同极性的电，从而实现对硅片23的反应处理。

在一种可行的实施方式中，图7为本实用新型实施例中电极安装机构的爆炸图，如图7所示，容纳件5的上端的两侧分别开设有开孔52，开孔52可以沿竖直方向延伸。多孔硅制备装置可以包括：电极安装机构6，其包括：支撑件61，支撑件61包括导轨611，导轨611沿水平方向延伸，连接在导轨611两端的杆体612，杆体612能插入开孔52；设置在导轨611上能滑动的两个移动杆62，其中一个移动杆62用于安装正电极极片，另一个移动杆62用于安装负电极极片，两个移动杆62分别能滑动至第一容纳槽31和第二容纳槽51处，从而分别伸入至第一容纳槽31和第二容纳槽51中的电解液和腐蚀液中。作为可行的，第一容纳槽31中可以充入腐蚀液，第二容纳槽51中可以充入电解液。

具体而言，导轨611上可以具有一滑槽6111，移动杆62的上端呈倒“山”形状，移动杆62的上端能伸入滑槽6111并转动后能挂在导轨611上，与此同时还能够在滑槽6111中进行自由滑动，不会掉落入第一容纳槽31和第二容纳槽51中。当移动杆62上端需要伸入至滑槽6111中时，其宽度较长的两端与滑槽6111的延伸方向相同，如此可以卡入至滑槽6111中，之后再转动90度，使得移动杆62的上端呈倒“山”形状与导轨611嵌合挂在导轨611上。

在上述实施方式中，电极安装机构6可以采用耐腐蚀高强度的树脂制成，可承受移动杆62和电极极片的重量，防止其发生纵向形变。

本申请中的多孔硅制备装置的装配过程如下，图8a-图8h为本实用新型实施例中多孔硅制备装置的装配过程示意图，如图8a-图8h所示，1、对硅片23进行化学清洗。2、将硅片23裁剪成合适的尺寸，再夹设在两块密封件22之间，之后一起放入两块板体21之间，然后将具有硅片23的硅片固定机构2一起放入支架1的容纳腔12中。3、将压紧件3的限位孔32套入支架1的定位杆14中，压紧件3推入至支架1本体11的上端面，两者之间密封接触。4、将盖板4的第一卡扣导轨41安装入支架1的第一卡扣15上，并转动盖板4进行锁紧，从而压紧压紧件3，使得压紧件3、支架1、硅片固定机构2之间使用保持相互之间的压紧状态。5、将支架1底部的第二卡扣16安装入容纳件5底部的第二卡扣导轨53中，并转动支架1进行锁紧，从而使得支架1固定在容纳件5上。6、在第二容纳槽51中倒入电解液，可以选用nacl，在第一容纳槽31中倒入腐蚀液，例如49％质量比的氢氟酸：95％质量比的酒精＝1:2质量比的腐蚀液。7、将电极极片安装至移动杆62上，并将移动杆62挂至支撑件61的导轨611上，之后将支撑件61的杆体612插入至容纳件5的开孔52中固定牢固，从而保证电极极片的位置不会沿导轨611发生位移。8、对电极极片进行通电，用恒流电源控制合适的电流，具体电流密度由硅片23尺寸、数量决定，腐蚀一定时间，具体时间由硅片23尺寸、数量决定。9、腐蚀结束，关闭电源。10、移除电极安装机构6和其上挂载的电极极片。11、反向转动支架1，使得支架1与容纳件5之间分离，再反向转动盖板4，使得盖板4与支架1进行分离。12、分别倾倒第一容纳槽31中的腐蚀液和第二容纳槽51中的电解液，进行溶液回收。13、将所有部件进行拆解，清洗，取出硅片23，再对硅片23进行清洗和风干。

本申请中所提出的多孔硅制备装置具有以下的优点：

1、本申请中的多孔硅制备装置的零部件均可由耐腐蚀高强度树脂制作而成，可承受一定压力不发生形变或破碎，不会被腐蚀液腐蚀，成本低，便于制作。

2、本多孔硅制备装置具有高度的可拆卸性，便于装置部件维护和更换。

3、本多孔硅制备装置避免使用金属零件，以免遭到腐蚀，避免减少装置使用寿命。

4、本多孔硅制备装置的盖板4和容纳件5均采用卡扣导轨611，支架1采用卡扣，从而使得两者之间装配简单，避免使用螺纹等易损耗的结构。

5、本多孔硅制备装置中的硅片固定机构2包含的板体21和密封件22为可更换配件，可根据单次制作需求量，特定形状对其进行修改和更换，可实现对硅片23尺寸数量的可控性。

6、本多孔硅制备装置中第一卡扣导轨41和第二卡扣导轨53的旋转方向可以相逆，在反应结束后，可将盖板4作为被施力部件，从而将支架1与容纳件5旋转拆卸，且不会改变盖板4与支架1之间的固定连接，从而保证压紧件3、硅片固定机构2和支架1之间的密闭性，防止第一容纳槽31中的溶液与外界接触，便于溶液回收和再利用。

7、本多孔硅制备装置零件化程度高，便于设备放大和批量制作。

披露的所有文章和参考资料，包括专利申请和出版物，出于各种目的通过援引结合于此。描述组合的术语“基本由…构成”应该包括所确定的元件、成分、部件或步骤以及实质上没有影响该组合的基本新颖特征的其他元件、成分、部件或步骤。使用术语“包含”或“包括”来描述这里的元件、成分、部件或步骤的组合也想到了基本由这些元件、成分、部件或步骤构成的实施方式。这里通过使用术语“可以”，旨在说明“可以”包括的所描述的任何属性都是可选的。多个元件、成分、部件或步骤能够由单个集成元件、成分、部件或步骤来提供。另选地，单个集成元件、成分、部件或步骤可以被分成分离的多个元件、成分、部件或步骤。用来描述元件、成分、部件或步骤的公开“一”或“一个”并不说为了排除其他的元件、成分、部件或步骤。

以上仅为本实用新型的几个实施方式，虽然本实用新型所揭露的实施方式如上，但内容只是为了便于理解本实用新型而采用的实施方式，并非用于限定本实用新型。任何本实用新型所属技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施方式的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本实用新型的专利保护范围，仍须以所附权利要求书所界定的范围为准。