具有垂直晶体管的存储器阵列及其形成的制作方法

技术特征：
1.一种包含垂直晶体管的设备，包括：存储器单元，耦合到第一层级(219)处的第一数字线(218-1、218-2)；第二数字线(220-1、220-2)，耦合到主读出放大器(254)的第二层级(221)处；电荷共享装置(222-1、222-2)，位于所述第一和第二层级之间的第三层级(230)处，并且耦合到所述第一数字线(218-1、218-2)和连接器(223-1、223-2)；垂直晶体管(235-1、235-2)，位于所述第三层级(230)处，并且耦合在所述第一数字线(218-1、218-2)和所述连接器(223-1、223-2)之间；以及触点(224-1、224-2)，耦合在所述连接器(223-1、223-2)和所述第二数字线(220-1、220-2)之间。2.根据权利要求1所述的设备，还包括所述第一层级处的总线(225、525)，其中所述电荷共享装置包括位于所述第三层级处并且耦合在所述总线和所述连接器之间的附加垂直晶体管(228-1、228-2、235-1、235-2、238-1、238-2、656)；并且所述附加垂直晶体管的栅极(467)耦合到所述第一数字线。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述附加垂直晶体管包括完全围绕第一半导体柱(358、465)的栅极；并且耦合在所述第一数字线和所述连接器之间的所述垂直晶体管包括：平面栅极，包括在第二半导体柱(358)的相对侧上的导体(357-1、357-2)，使得所述平面栅极不完全包围所述第二半导体柱；或者完全包围第三半导体柱(465)的栅极。4.根据权利要求1所述的设备，还包括：位于所述第二和第三层级之间的第四层级(226)处的总线；以及位于所述第三层级(230)处并且耦合在所述总线和所述第一数字线之间的附加垂直晶体管(235-1、235-2)。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元包括水平平面晶体管(242-1、242-2)和存储元件(250-1、250-2)，所述平面晶体管耦合在所述第一数字线和所述存储元件之间。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述垂直晶体管是垂直薄膜晶体管tft，并且其中与全平面装置分级数字线集成中占据的相当面积相比，所述垂直tft的所述第一数字线和所述第二数字线之间的所述连接和所述触点的面积少二至四(2-4)倍。7.一种包含垂直晶体管的设备，包括：多个交替的第一和第二数字线(220-1、220-2)，位于第一层级(221)处，所述第一和第二数字线中的每一个耦合到主读出放大器(254)；多个交替的第三和第四数字线(218-1、218-2)，位于第二层级(219)处；多个交替的第一(222-1)和第二(222-2)电荷共享装置，在公共轴(253)上对齐并且共同耦合到所述第二层级(219)处的总线(225、525)；多个交替的第一和第二连接器(223-1、223-2)，位于所述第一和第二层级之间的第三层级(226)处；以及多个交替的第一和第二触点(224-1、224-2)，其中：每个相应的第一连接器(223-1)耦合到相应的第一电荷共享装置(222-1)并且选择性
地耦合到相应的第三数字线(218-1)；每个相应的第二连接器(223-2)耦合到相应的第二电荷共享装置(222-2)并且选择性地耦合到相应的第四数字线(218-2)；每个相应的第一触点(224-1)耦合在相应的第一连接器(223-1)和相应的第一数字线(220-1)之间；每个相应的第二触点(224-2)耦合在相应的第二连接器(223-2)和相应的第二数字线(220-2)之间；并且所述第一和第二触点围绕所述公共轴交错排列。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述相应的第一连接器在第一方向上从所述相应的第一电荷共享装置向所述相应的第三数字线延伸；并且所述相应的第二连接器在与所述第一方向相反的第二方向上从所述相应的第二电荷共享装置向所述相应的第四数字线延伸。9.根据权利要求7或8所述的设备，其中相应的第一连接器通过位于所述第一和第三层级之间的第四层级(230)处的相应的第一垂直晶体管(235-1)选择性地耦合到相应的第三数字线；并且相应的第二连接器通过位于所述第四层级处的相应的第二垂直晶体管(235-2)选择性地耦合到相应的第四数字线。10.根据权利要求7所述的设备，其中相应的第一电荷共享装置包括位于所述第一和第三层级之间的第四层级处并且耦合在相应的第一连接器和所述总线之间的相应的第一垂直晶体管(228-1)；并且相应的第二电荷共享装置包括位于所述第四层级处并且耦合在相应的第二连接器和所述总线之间的相应的第二垂直晶体管(228-2)。11.根据权利要求10所述的设备，其中所述相应的第一和第二垂直晶体管是相应的垂直薄膜晶体管tft，并且其中与全平面装置分级数字线集成中占据的相当面积相比，所述相应的垂直tft的所述相应的连接器、所述总线和所述相应的数字线之间的所述相应触点的面积少二至四(2-4)倍。12.根据权利要求7或8所述的设备，还包括：耦合到每个相应的第一数字线的相应的第一组存储器单元(211、511)；以及耦合到每个相应的第二数字线的相应的第二组存储器单元。13.一种用于形成具有垂直晶体管的存储器阵列的方法，包括：在第一和第二存储器单元区域(211-1、211-2、511-1、511-2)之间并且包括第一导体(674)的区域中形成垂直晶体管(228-1、228-2、235-1、235-2、238-1、238-2、656)，其中形成所述垂直晶体管包括：形成与所述第一导体(674)相邻的半导体(683)；在所述半导体(683)中形成多个开口(687)，以由所述半导体在相邻开口(687)之间形成半导体柱(658)；在所述相应的相邻开口中形成相应的介电塞(693)，使得所述相邻开口终止于所述相应的介电塞处；
在与所述半导体柱的相对侧相邻的所述相应的相邻开口中形成相应的电介质(695)，使得所述相应的电介质终止于所述相应的介电塞(693)处；以及在与所述相应的电介质的部分相邻的所述相应的相邻开口中形成相应的第二导体(661)，使得所述相应的介电塞位于所述相应的第二导体和所述第一导体之间。14.根据权利要求13所述的方法，其中：所述相应的电介质形成所述垂直晶体管的栅极电介质(359、466)；并且所述相应的第二导体形成所述垂直晶体管的栅极。15.根据权利要求13所述的方法，还包括：在所述半导体柱(358、465)中形成第一源极/漏极(244-1、245-1)；以及在所述半导体中形成第二源极/漏极(244-2、245-2)，使得所述相应的第二导体位于所述第一和第二源极/漏极之间。16.根据权利要求13到15中任一项所述的方法，其中所述第二源极/漏极将所述垂直晶体管耦合到所述第一导体。17.根据权利要求13所述的方法，还包括在所述半导体中形成所述多个开口之前，在所述半导体的顶部上形成附加电介质。18.根据权利要求17所述的方法，还包括通过去除部分所述附加电介质以暴露所述半导体柱的所述顶部，在所述半导体柱中形成导电植入物；以及通过所述第二导体的所述暴露的顶部导电掺杂所述半导体柱。19.根据权利要求13所述的方法，其中在与所述相应的电介质的所述部分相邻的所述相应的相邻开口中形成所述相应的第二导体包括：通过形成与所述相应的电介质相邻并且与所述相应的导电塞相邻的导电衬垫，用所述导电衬垫(660)给所述相应的相邻开口加衬；以及从所述相应的导电塞的相邻部分和所述相应的电介质的相邻其他部分去除所述导电衬垫，使得所述导电衬垫的相应部分保持与所述相应的电介质的所述部分相邻，以形成所述相应的第二导体。20.根据权利要求13所述的方法，其中在所述相应的相邻开口中形成所述相应的介电塞包括：用介电衬垫(678、684、683、688)对所述相应的相邻第二开口加衬，在与所述介电衬垫相邻的所述相应的相邻第二开口中形成附加电介质；以及去除一部分所述介电衬垫和一部分所述附加电介质，使得所述介电衬垫和所述附加电介质的相应部分保留以形成所述相应的介电塞。21.根据权利要求20所述的方法，其中所述相应的电介质是相应的第一电介质，并且其中用所述介电衬垫对所述相应的相邻开口加衬包括：形成第二电介质，所述第二电介质邻近所述半导体柱的所述相对侧并且邻近所述相应的相邻开口的底部；形成与所述第二电介质相邻的第三电介质；以及形成与所述第三电介质相邻的第四电介质。22.一种用于形成具有垂直晶体管的存储器阵列的方法，包括：在第一和第二存储器单元区域(211、511)之间并且包括第一导体(674)的区域中形成
垂直晶体管(228-1、228-2、235-1、235-2、238-1、238-2、656)，其中形成所述垂直晶体管包括：形成与所述第一导体相邻的半导体(683)；形成与所述半导体相邻的第一电介质(690)；在所述第一电介质中形成开口(687)；用第二电介质(689)给所述开口加衬，使得所述半导体暴露；在邻近所述第二电介质并且邻近所述暴露的半导体的所述开口中形成半导体柱(658)；以及形成与所述第二电介质相邻的第二导体(661)。23.根据权利要求22所述的方法，其中：所述第二导体包括金属；并且所述半导体和所述半导体柱包括多晶硅。24.根据权利要求22所述的方法，其中：所述第二电介质形成所述垂直晶体管的栅极电介质；并且所述第二导体形成所述垂直晶体管的栅极。25.根据权利要求22所述的方法，还包括，在形成所述开口之前，通过所述第一电介质终止于所述半导体上而形成第一隔离区(568)；其中在所述第一电介质中形成所述开口包括在所述第一和第二隔离区之间形成所述开口。26.根据权利要求22所述的方法，其中：所述第一电介质包括邻近所述半导体的第一介电材料和邻近所述第一介电材料的第二介电材料；并且形成与所述第二电介质相邻的所述第二导体包括：去除所述第二介电材料以暴露所述第一介电材料和所述第二介电材料的一部分；以及形成与所述第二电介质的所述暴露部分和所述暴露的第一介电材料相邻的所述第二导体。27.根据权利要求26所述的方法，其中所述第一介电材料包括氧化物，且所述第二介电材料包括氮化物。28.根据权利要求26所述的方法，其中形成与所述第二电介质相邻的所述第二导体还包括去除所述第二导体的一部分以暴露所述第二电介质的一部分；并且所述方法还包括形成第三电介质，所述第三电介质与通过去除所述第二导体的一部分而暴露的所述第二电介质的所述部分相邻，并且与所述第二导体的剩余部分相邻。29.根据权利要求22到28中任一项所述的方法，其中所述第二电介质完全包围所述半导体柱；并且所述第二导体完全包围所述第二电介质。