一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

用于模拟行存取速率确定的设备、系统及方法与流程

2021-02-26 11:14:00 来源:中国专利 TAG:存储器 存取 速率 单元 特定

技术特征:
1.一种设备,其包括:外存储器,其经配置以存储行地址且响应于外部地址匹配所述经存储行地址提供匹配信号;及累加器电路,其经配置以响应于所述匹配信号增加电容器上的电荷量。2.根据权利要求1所述的设备,其中所述累加器电路进一步经配置以随着时间的推移通过泄漏电流减少所述电容器上的所述电荷量。3.根据权利要求1所述的设备,其中所述累加器电路提供与所述外存储器提供所述匹配信号的速率成比例的电压。4.根据权利要求3所述的设备,其进一步包括电压对时间vtot电路,所述电压对时间vtot电路经配置以接收命令信号且在接收所述命令信号之后的第一时间提供第一信号且在接收所述命令信号之后的第二时间提供第二信号,其中所述第一时间及所述第二时间与所述电压成比例。5.根据权利要求4所述的设备,其中所述第一时间越短所述电压越高,且其中所述第二时间越短所述电压越低。6.根据权利要求1所述的设备,其中所述外存储器包括多个内容可寻址存储器cam单元,其各自经配置以存储所述行地址的位且响应于所述行地址的所述经存储位匹配所述外部行地址的相关联位提供位匹配信号。7.根据权利要求6所述的设备,其中所述匹配信号是响应于全部所述位匹配信号都被提供而提供。8.一种设备,其包括:多个切片,其经配置以接收外部行地址,每一切片包括:外存储器,其经配置以存储经存储地址且响应于每当所述外部行地址匹配所述经存储地址提供匹配信号;累加器电路,其经配置以提供与提供所述匹配信号的速率成比例的电压;及电压对时间vtot电路,其经配置以确定由所述多个切片中的每一者中的所述累加器电路提供的最高电压及最低电压。9.根据权利要求8所述的设备,其进一步包括堆叠逻辑电路,所述堆叠逻辑电路经配置以接收行地址且将其作为所述外部地址提供到所述多个切片,且进一步经配置以从所述多个切片中的每一者接收所述匹配信号且如果未提供匹配信号,那么将所述接收到的行地址存储于所述多个切片中的一者中。10.根据权利要求9所述的设备,其中所述多个切片中的每一者中的所述外存储器经配置以提供具有指示所述外存储器被占用的第一状态及指示所述外存储器未被占用的第二状态的忙碌信号,其中响应于所述多个切片中的至少一者提供处于所述第二状态的所述忙碌信号,将所述接收到的行地址经写入到其中所述忙碌信号处于所述第二状态的所述多个切片中的一者,且其中响应于全部所述多个切片都提供处于所述第一状态的所述忙碌信号,将所述接收到的行地址经写入到与所述最低电压相关联的所述多个切片中的一者。11.根据权利要求8所述的设备,其中所述多个切片经配置以响应于刷新信号提供与所
述最高电压相关联的所述经存储地址。12.根据权利要求11所述的设备,其中所述多个切片进一步经配置以响应于提供与所述最高电压相关联的所述经存储地址将复位信号提供到与所述最高电压相关联的所述累加器电路,且其中所述累加器电路经配置以响应于所述复位信号将所述电压复位到初始电压。13.根据权利要求8所述的设备,其中所述累加器电路包括:第一晶体管,其经配置以提供第一电流;第二晶体管,其经配置以响应于所述匹配信号而激活,其中当有源时,所述第二晶体管将所述第一电流耦合到载送所述电压的节点;第三晶体管,其经配置以使第二电流从所述节点排出;及电容器,其耦合于所述节点与接地电压之间,其中所述电压在所述第一电流经耦合到所述节点时增加且基于所述第二电流减小。14.根据权利要求13所述的设备,其中所述第一晶体管及所述第三晶体管是可调整晶体管,且其中所述电容器是可调整电容器。15.根据权利要求8所述的设备,其中所述外存储器包括多个内容可寻址存储器cam单元,其各自包括:锁存器部分,其经配置以存储所述经存储地址的经存储位;及比较器部分,其经配置以比较所述经存储位与所述外部地址的位。16.一种方法,其包括:接收行地址;比较所述行地址与多个外存储器,所述多个外存储器各自经配置以存储经存储地址;响应于所述行地址匹配所述经存储地址,增大与所述多个外存储器中的一者相关联的电压;及确定所述多个外存储器中与最大电压相关联的一者。17.根据权利要求16所述的方法,其中增大所述电压包括添加某个量的电荷到电容器,所述方法进一步包括随着时间的推移通过从所述电容器泄漏电荷减小所述电压。18.根据权利要求16所述的方法,其进一步包括:接收刷新信号;从所述多个外存储器中与所述最大电压相关联的所述一者提供所述经存储地址;及将所述最大电压复位到初始电压。19.根据权利要求16所述的方法,其进一步包括确定所述多个外存储器中与最小电压相关联的一者。20.根据权利要求19所述的方法,其中所述方法进一步包括响应于所述行地址与所述多个外存储器中的任何者中的所述经存储地址不匹配而将所述行地址存储于所述多个外存储器中的一者中,其中响应于全部所述多个外存储器都被占用而将所述行地址经存储于所述多个外存储器中与所述最小电压相关联的所述一者中。
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