结合存储器访问的有缺陷的位线管理的制作方法

技术特征：
1.一种存储器控制器，用于执行存储器访问和验证，所述控制器包括：至存储器阵列的接口，以及控制器，所述控制器用于：在存储器阵列区域中执行存储器访问和验证操作，其中，执行存储器访问和验证操作包括：在施加存储器访问信号之前，确定所述存储器阵列区域中的有缺陷位线的数量，确定存储器访问失败的数量；以及基于所确定的存储器访问失败数量减去所确定的存储器阵列区域中的有缺陷位线的数量与接受的位线失败的阈值数量的比较，判断所述存储器访问操作是否有缺陷。2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述存储器访问和验证操作包括以下一者或多者：擦除和擦除验证或编程和编程验证，并且其中，所述存储器访问信号包括非零擦除或编程电压信号。3.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，确定所述存储器阵列区域中的有缺陷位线的数量包括确定开路的位线的数量。4.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，确定所述存储器阵列区域中的有缺陷位线的数量包括向所述区域的字线施加高于单元的最大阈值电压的电压以及确定读取的位线为逻辑零。5.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，确定所述存储器阵列区域中的有缺陷位线的数量包括确定短接的位线的数量。6.根据权利要求5所述的存储器控制器，其中，确定短接的位线的数量包括确定至少短接到相邻的位线或短接到选择栅极的位线。7.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，在施加存储器访问信号之前，确定所述存储器阵列区域中的有缺陷位线的数量包括：识别短接的位线，以及在施加编程信号之前禁止短接的位线。8.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述存储器访问信号包括编程信号，并且其中，所述控制器用于基于编程电压幅值确定编程信号的起始幅值，所述编程电压幅值基于所述存储器阵列区域中所确定的有缺陷位线的数量从编程验证获得位线的通过数量。9.根据权利要求1所述的存储器控制器，包括耦合到所述接口的存储器阵列，所述存储器阵列包括以下一者或多者：单电平单元(slc)nand存储装置、多电平单元(mlc)nand存储装置、三电平单元(tlc)nand存储装置、四电平单元(qlc)存储装置、使用硫属元素化物相变材料的存储器器件、nor闪存存储器、单电平或多电平相变存储器(pcm)、电阻式存储器、纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器(fetram)、结合了忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(mram)、自旋转移矩mram(stt-mram)、随机存取存储器(ram)、动态ram(d-ram)、双倍数据率同步动态ram(ddr sdram)、静态随机存取存储器(sram)、晶闸管ram(t-ram)或零电容器ram(z-ram)。10.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述控制器用于：在所述存储器阵列区域的读取操作期间，将读取结果识别为弱，以便针对使用开路或短路的位线的读取操作进行软位读取校正。
11.一种用于执行存储器访问和验证的方法，所述方法包括：在存储器区域访问操作期间，确定所述存储器区域中的有缺陷位线的数量；针对所述存储器区域访问操作执行存储器区域访问验证操作，其中，所述存储器区域访问验证操作包括基于所述存储器区域中的有缺陷位线的数量针对所施加的访问电压确定失败位线的数量；以及在所述存储器区域访问包括擦除操作时，基于失败位线的数量减去所述有缺陷位线与可接受失败位线的阈值水平的比较，将所述擦除操作识别为失败或成功。12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述存储器区域访问操作包括编程操作时，执行：确定短接的位线，禁止被识别为短接的位线，并且执行编程和验证操作。13.根据权利要求11所述的方法，其中，确定所述存储器区域中的有缺陷位线的数量包括通过向所述区域的字线施加高于单元的最大阈值电压的电压以及确定读取的位线为逻辑零，从而确定开路的位线的数量。14.根据权利要求11所述的方法，其中，确定所述存储器区域中的有缺陷位线的数量包括通过确定短接到相邻的位线或短接到选择栅极的位线来确定短接的位线的数量。15.根据权利要求11所述的方法，包括：在所述存储器区域的读取操作期间，将读取结果识别为弱，以便针对使用开路或短接的位线的读取操作进行软位读取校正。16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述存储器区域包括以下一者或多者的区域：单电平单元(slc)nand存储装置、多电平单元(mlc)nand存储装置、三电平单元(tlc)nand存储装置、四电平单元(qlc)存储装置、使用硫属元素化物相变材料的存储器器件、nor闪存存储器、单电平或多电平相变存储器(pcm)、电阻式存储器、纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器(fetram)、结合了忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(mram)、自旋转移矩mram(stt-mram)、随机存取存储器(ram)、动态ram(d-ram)、双倍数据率同步动态ram(ddr sdram)、静态随机存取存储器(sram)、晶闸管ram(t-ram)或零电容器ram(z-ram)。17.一种用于执行存储器访问和验证的系统，包括：包括处理器的计算平台；存储器器件；以及通信地耦合到所述存储器器件和所述计算平台的存储器控制器，其中，所述存储器控制器用于：接收访问所述存储器器件的区域的请求，所述请求用于访问所述存储器器件的区域以使得所述存储器控制器确定有缺陷位线，执行存储器访问操作，以及执行所述存储器访问操作的验证，其中，所述执行所述存储器访问操作的验证包括使用有缺陷位线的数量来判断存储器访问操作是成功还是失败。18.根据权利要求17所述的系统，其中，所述存储器访问操作包括擦除或编程操作。19.根据权利要求17所述的系统，其中，所述存储器控制器用于接收命令以执行读取操
作，其中为了执行所述读取操作，所述存储器控制器用于：执行读取操作，并且将与有缺陷位线相关联的读取数据识别为弱结果，用于软位读取校正。20.根据权利要求17所述的系统，其中，所述存储器包括以下一者或多者：单电平单元(slc)nand存储装置、多电平单元(mlc)nand存储装置、三电平单元(tlc)nand存储装置、四电平单元(qlc)存储装置、使用硫属元素化物相变材料的存储器器件、nor闪存存储器、单电平或多电平相变存储器(pcm)、电阻式存储器、纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器(fetram)、结合了忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(mram)、自旋转移矩mram(stt-mram)、随机存取存储器(ram)、动态ram(d-ram)、双倍数据率同步动态ram(ddr sdram)、静态随机存取存储器(sram)、晶闸管ram(t-ram)或零电容器ram(z-ram)。