提高灵敏放大器读取可靠性方法、装置、存储介质和终端与流程

本发明涉及灵敏放大器技术领域，尤其涉及的是一种提高灵敏放大器读取可靠性方法、装置、存储介质和终端。

背景技术：

灵敏放大器（senseamplify）是norflash存储芯片内部很重要的电路模块，下图1是常见的norflash内部电路模块框架图，可以看到，通过灵敏放大器对存在芯片内部的存储单元进行读取操作进而区分所选中的存储单元是数据“1”还是数据“0”，如果灵敏放大器的可靠性出了问题，就有可能将存储芯片内部的数据读取错误，从而导致带有norflash的应用端出问题，后果可能十分严重。

如图2所示，norflash中灵敏放大器的原理是将偏置在特定状态下的存储单元电流经过电流电压转换成的sa_i2v电压和参考电流（一般10ua～20ua）经过电流电压转换转换后的sa_vref电压相比较，如果偏置在特定状态下的存储单元电流大于参考电流（此时存储在norflash存储单元内的数据是数据“1”），经过电流电压转换后的sa_i2v会小于sa_vref，相反，如果偏置在特定状态下的存储单元电流小于参考电流（此时存储在norflash存储单元内的数据是数据“0”），sa_i2v会小于sa_vref，如果二者电流完全相同，sa_i2v会等于sa_vref（此时存储在norflash单元内部存储的数据是一个非“0”非“1”的数据）。

如图3所示，是常见norflash存储单元阵列的示意图。每根位线（bitline，缩写为bl）对应一个灵敏放大器，每根位线上连接很多存储单元的漏端，这些存储单元有着各自的字线。选取图3中方框内的一根位线进行说明，图4是一根位线上连接的各个存储单元的示意图，这根位线上的电流icell即是图2右下方方框内的icell。其中icell=icell0 icell1 icell2 icell3 icell4 icell5 icell6 icell7，一般来说图4中存储单元m1～m7的字线都是接0v，常温下此时icell1~icell7的电流很小，都是pa级（norflashcell中data“1”和data“0”存储单元的阈值电压都大于0v），基本可以忽略，所以icell≈icell0，即是偏置在特定状态（读状态）下的存储单元的电流，此时使用图2所示的灵敏放大器的电路结构没有问题。但是当在高温时，icell1~icell7会比常温要大，尤其是实际norflash产品中，每根位线实际上连接的存储单元的数量一般是1024个（即图4中的m0～m7会相应变成m0～m1023），即有1023存储单元会对icell有电流贡献，假如这些字线接0v的存储单元每个都有10na的电流，那么贡献到icell端的电流就是10.23ua，与常见的参考电流（iref）的10ua～20ua来说很接近，此时就有可能导致灵敏放大器的工作异常，严重降低norflash中灵敏放大器的可靠性，从而进一步降低norflash整体的可靠性。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种提高灵敏放大器读取可靠性方法、装置、存储介质和终端，以提高norflash灵敏放大器的可靠性。

本发明的技术方案如下：一种提高灵敏放大器读取可靠性方法，其中，具体包括以下步骤：

获取偏置在特定状态下的存储单元的电流，根据所述存储单元的电流得到偏置电压；

获取比较电流，根据所述比较电流得到比较电压，所述比较电流等于参考电流与附加电流之和，所述附加电流和与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和同增同减；

比较偏置电压与比较电压的大小得出比较结果，并根据比较结果读出所述偏置在特定状态下的存储单元内的数据。

所述的提高灵敏放大器读取可靠性方法，其中，所述特定状态为读状态。

所述的提高灵敏放大器读取可靠性方法，其中，所述附加电流等于与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和。

所述的提高灵敏放大器读取可靠性方法，其中，所述附加电流等于设置在norflash内的一根位线上的所有存储单元施加0v时产生的电流之和，该位线与norflash内的其他位线拥有相同数量的存储单元。

所述的提高灵敏放大器读取可靠性方法，其中，所述根据所述存储单元的电流得到偏置电压，具体过程如下：根据所述存储单元的电流经过电流电压转换，得到偏置电压。

所述的提高灵敏放大器读取可靠性方法，其中，所述根据所述比较电流得到比较电压，具体过程如下：根据所述比较电流经过电流电压转换，得到比较电压。

一种提高灵敏放大器读取可靠性装置，其中，包括：

偏置电压获取模块，获取偏置在特定状态下的存储单元的电流，根据所述存储单元的电流得到偏置电压；

比较电压获取模块，获取比较电流，根据所述比较电流得到比较电压，所述比较电流等于参考电流与附加电流之和，所述附加电流和与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和同增同减；

比较模块，比较偏置电压与比较电压的大小得出比较结果，并根据比较结果读出所述偏置在特定状态下的存储单元内的数据。

所述的提高灵敏放大器读取可靠性装置，其中，在norflash内增设一根位线，该位线与norflash内其他位线拥有相同数量的存储单元，计算该位线上的所有存储单元施加0v时产生的电流之和，该电流之和即为附加电流。

一种存储介质，其中，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述任一项所述的方法。

一种终端设备，其中，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行上述任一项所述的方法。

本发明的有益效果：本发明通过提供一种提高灵敏放大器读取可靠性方法、装置、存储介质和终端，通过为灵敏放大器的参考电流叠加一路附加电流，所述附加电流和与处于读状态的存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和同增同减，这样，参考电流与处于读状态的存储单元的偏置电流的差值是固定的，不会随温度的变化而变化，使得灵敏放大器在不同温度下的可靠性明显得到提高，从而提高了norflash整体的可靠性。

附图说明

图1是现有技术中的norflash内部电路模块框架图。

图2是现有技术中norflash灵敏放大器的电路结构示意图。

图3是现有技术中norflash存储单元阵列的示意图。

图4是现有技术中norflash一根位线上连接的存储单元示意图。

图5是本发明中提高灵敏放大器读取可靠性方法的步骤流程图。

图6是本发明中灵敏放大器的示意图。

图7是本发明中在norflash内增设一根位线的示意图。

图8是本发明中提高灵敏放大器读取可靠性装置示意图。

图9是本发明中终端的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

如图5所示，一种提高灵敏放大器读取可靠性方法，具体包括以下步骤：

s1：获取偏置在特定状态下的存储单元的电流icell，根据所述存储单元的电流icell得到偏置电压sa_i2v；

s2：获取比较电流，根据所述比较电流得到比较电压sa_vref，所述比较电流等于参考电流ivref与附加电流iref_cell之和，所述附加电流iref_cell和与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和同增同减；

s3：比较偏置电压与比较电压的大小得出比较结果，并根据比较结果读出所述偏置在特定状态下的存储单元内的数据。

在某些具体实施例中，所述特定状态为读状态。

在某些具体实施例中，所述附加电流iref_cell等于与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和。

在某些具体实施例中，如图7所示，所述附加电流iref_cell等于设置在norflash内的一根位线上的所有存储单元施加0v时产生的电流之和，该位线与norflash内的其他位线拥有相同数量的存储单元。

其中，如图6和图7所示，所述附加电流iref_cell等于与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和更符合实际情况，这样，使得比较电流和偏置在特定状态下的存储单元的电流icell的差值是固定的（因为两个电流都附加了与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和），不会因为温度的变化而发生变化。但是，因为在实际读操作过程中，并不清楚实际读的是位线上的哪一个存储单元，所以获取与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和比较困难，所以在实际操作上，通过在norflash内增设一根位线，该位线与norflash内的其他位线拥有相同数量的存储单元，通过获取该增设的位线上的所有存储单元施加0v时产生的电流之和作为附加电流iref_cell，虽然该附加电流iref_cell与实际的与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和存在一定误差（误差的来源主要有以下方面：1.附加电流iref_cell多了一个存储单元施加0v时所产生的电流，如位线上有1024个存储单元，本来是应该计算1023个存储单元施加0v时所产生的电流之和，但实际计算的是1024个存储单元施加0v时所产生的电流之和，但计算1024个存储单元施加0v时所产生的电流之和、计算1023个存储单元施加0v时所产生的电流之和之间的误差较小，基本可以忽略不计。2.因为所增设的位线上的存储单元与实际执行读操作的存储单元所在位线上的存储单元实际上是会存在各种差异的（存在一致性的问题），因为差异的问题，导致计算出的附加电流iref_cell和与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和也会存在误差），但该误差基本不会对灵敏放大器读取存储单元数据时的可靠性造成影响，所以本技术方案可以解决现有技术中灵敏放大器读取存储单元数据时的可靠性问题。

如图7所示（如果一根为位线上接有1024个存储单元，图7中存储单元相应变为1024个），无论是什么温度下，图7的附加电流iref_cell会和现有技术中（如图4所示）存储单元阵列中需要读取的位线上字线接0v的所有存储单元的电流相近，例如常温下，iref=10ua，iref_cell=0ua，iref=10ua 0ua=10ua，此时存储单元阵列中一根为线上的电流为icell0 其他icell之和（icell1~icell7），此时iref_cell=其他icell之和，故iref和需要读取的存储单元icell0之差是固定的，无论是常温，高温还是低温，应用此方法，灵敏放大器在不同温度下的可靠性明显得到提高，从而提高了norflash整体的可靠性。

在某些具体实施例中，所述s1中，根据所述存储单元的电流icell经过电流电压转换，得到偏置电压sa_i2v。

在某些具体实施例中，所述s2中，根据所述比较电流经过电流电压转换，得到比较电压sa_vre。

如图8所示，一种提高灵敏放大器读取可靠性装置，包括：

偏置电压获取模块101，获取偏置在特定状态下的存储单元的电流，根据所述存储单元的电流得到偏置电压；

比较电压获取模块102，获取比较电流，根据所述比较电流得到比较电压，所述比较电流等于参考电流与附加电流之和，所述附加电流和与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和同增同减；

比较模块103，比较偏置电压与比较电压的大小得出比较结果，并根据比较结果读出所述偏置在特定状态下的存储单元内的数据。

请参照图9，本发明实施例还提供一种终端。如示，终端300包括处理器301和存储器302。其中，处理器301与存储器302电性连接。处理器301是终端300的控制中心，利用各种接口和线路连接整个终端的各个部分，通过运行或调用存储在存储器302内的计算机程序，以及调用存储在存储器302内的数据，执行终端的各种功能和处理数据，从而对终端300进行整体监控。

在本实施例中，终端300中的处理器301会按照如下的步骤，将一个或一个以上的计算机程序的进程对应的指令加载到存储器302中，并由处理器301来运行存储在存储器302中的计算机程序，从而实现各种功能：获取偏置在特定状态下的存储单元的电流，根据所述存储单元的电流得到偏置电压；获取比较电流，根据所述比较电流得到比较电压，所述比较电流等于参考电流与附加电流之和，所述附加电流和与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和同增同减；比较偏置电压与比较电压的大小得出比较结果，并根据比较结果读出所述偏置在特定状态下的存储单元内的数据。

存储器302可用于存储计算机程序和数据。存储器302存储的计算机程序中包含有可在处理器中执行的指令。计算机程序可以组成各种功能模块。处理器301通过调用存储在存储器302的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理。

本申请实施例提供一种存储介质，所述计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法，以实现以下功能：获取偏置在特定状态下的存储单元的电流，根据所述存储单元的电流得到偏置电压；获取比较电流，根据所述比较电流得到比较电压，所述比较电流等于参考电流与附加电流之和，所述附加电流和与所述存储单元位于同一位线上的其他存储单元施加0v时产生的电流之和同增同减；比较偏置电压与比较电压的大小得出比较结果，并根据比较结果读出所述偏置在特定状态下的存储单元内的数据。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（staticrandomaccessmemory,简称sram），电可擦除可编程只读存储器（electricallyerasableprogrammableread-onlymemory,简称eeprom），可擦除可编程只读存储器（erasableprogrammablereadonlymemory,简称eprom），可编程只读存储器（programmablered-onlymemory,简称prom），只读存储器（read-onlymemory,简称rom），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。