存储器的读操作控制方法及装置以及存储器控制器与流程

技术特征：

1.一种存储器的读操作控制方法，包括：

在第一检测电压下进行读操作，以得到硬信息，并将所述硬信息存储到硬信息缓存中；

在多个第二检测电压并行执行多个读操作，并将基于所述多个读操作产生的软信息存储到软信息缓存中；

基于所述硬信息和所述软信息，采用ldpc译码器确定读操作的最终数据。

2.根据权利要求1所述的读操作控制方法，所述控制方法还包括：从所述硬信息缓存中申请空闲存储单元，以便于将一部分软信息存储到所述空闲存储单元中。

3.根据权利要求2所述的读操作控制方法，所述从所述硬信息缓存中申请空闲存储单元还包括：控制用于存储所述软信息的所述硬信息缓存中的存储单元数量不超过设定阈值。

4.根据权利要求2所述的读操作控制方法，还包括：在所述从所述硬信息缓存中申请空闲存储单元的步骤之前，判断所述软信息缓存中是否存在空闲存储单元，在确定所述软信息缓存中不存在空闲存储单元之后，才去申请所述硬信息缓存中的空闲存储单元。

5.根据权利要求1所述的读操作控制方法，其中，所述多个第二检测电压通过以下步骤得到：以所述第一检测电压为电压初始值，向两侧偏移特定步长，以获得所述多个第二检测电压。

6.根据权利要求1或5所述的读操作控制方法，其中，所述第一检测电压为所述存储器的默认检测电压。

7.根据权利要求1所述的读操作控制方法，其中，所述硬信息缓存和所述软信息缓存均为sram。

8.根据权利要求1所述的读操作控制方法，其中，所述存储器为闪存存储器。

9.根据权利要求1所述的读操作控制方法，其中，所述在多个第二检测电压并行执行多个读操作的步骤只在所述存储器的少部分存储单元上执行。

10.一种存储器的读操作控制装置，包括：

硬信息产生模块，用于在第一检测电压下进行读操作，以得到硬信息；

硬信息缓存，用于存储所述硬信息；

软信息缓存，用于存储软信息；

多个软信息产生单元，所述多个软信息产生单元并行地在多个第二检测电压下执行多个读操作以得到所述软信息，并将所述软信息存储到所述软信息缓存；

ldpc译码器模块，用于基于所述硬信息和所述软信息，采用ldpc译码器确定读操作的最终数据；

控制模块，用于控制所述多个软信息产生单元针对所述硬信息产生模块无法识别的数据执行所述多个读操作。

11.根据权利要求10所述的读操作控制装置，其中，所述多个软信息产生单元包括第一软信息产生单元和第二软信息产生单元，所述第一软信息产生单元获取多个第一软信息，所述第二软信息产生单元获取多个第二软信息，所述ldpc译码器模块交替对所述第一软信息和所述第二软信息进行ldpc译码。

12.根据权利要求10所述的读操作控制装置，其中，所述读操作控制装置还包括：

缓存控制模块，用于管理所述软信息缓存和所述硬信息缓存，并为所述软信息产生单元申请所述硬信息缓存中的空闲存储单元以便于所述软信息产生单元将一部分软信息存储到由所述缓存控制模块为其申请的空闲存储单元中。

13.根据权利要求12所述的读操作控制装置，其中，所述缓存控制模块还用于：控制用于存储所述软信息的所述硬信息缓存中的存储单元数量不超过设定阈值。

14.根据权利要求12所述的读操作控制装置，其中，所述缓存控制模块还用于：在确定所述软信息缓存中没有空闲存储单元后，才去申请所述硬信息缓存中的空闲存储单元。

15.根据权利要求10所述的读操作控制装置，所述多个第二检测电压通过以下步骤得到：以所述第一检测电压为电压初始值，向两侧偏移特定步长，以获得所述多个第二检测电压。

16.根据权利要求10或15所述的读操作控制装置，其中，所述第一检测电压为所述存储器的默认检测电压。

17.根据权利要求10所述的读操作控制装置，其中，所述存储器为闪存存储器。

18.一种存储器控制器，包括如权利要求10至17任一项所述的读操作控制装置和写入控制装置。

19.一种闪存系统，包括存储器和权利要求18所述的存储器控制器。

技术总结
提供一种存储器的读操作控制方法及装置以及存储器控制器。所述读操作控制方法包括：在第一检测电压下进行读操作，以得到硬信息，并将所述硬信息存储到硬信息缓存中；在多个第二检测电压并行执行多个读操作，并将基于所述多个读操作产生的软信息存储到软信息缓存中；基于所述硬信息和所述软信息，采用LDPC译码器确定读操作的最终数据。本实施例并行产生软信息，在软信息缓存不足时借用硬信息缓存中的存储单元存储软信息，由此能够提高软解码效率。

技术研发人员：许龙飞;肖自铧;陈炳军;许伟;倪乐斌;钱龙
受保护的技术使用者：联芸科技(杭州)有限公司
技术研发日：2020.12.30
技术公布日：2021.04.02