技术特征：
1.一种存储器控制方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元，且所述存储器控制方法包括：
使用多个读取电压电平来读取所述多个存储单元中的多个第一存储单元，以获得所述多个第一存储单元的第一临界电压分布；
获得所述第一临界电压分布相较于所述多个第一存储单元的原始临界电压分布的偏移信息；
获得对应于所述第一临界电压分布的第一可靠度信息；
根据所述第一可靠度信息的统计特性还原出对应于所述原始临界电压分布的原始可靠度信息；
根据所述偏移信息调整所述原始可靠度信息，以获得对应于所述第一临界电压分布的第二可靠度信息；以及
根据所述第二可靠度信息更新与所述多个第一存储单元有关的可靠度信息。
2.根据权利要求1所述的存储器控制方法，其中所述多个读取电压电平在所述第一临界电压分布上划分出多个电压范围，且所述第一临界电压分布包括基于所述多个电压范围所呈现的存储单元个数分布。
3.根据权利要求2所述的存储器控制方法，其中所述存储单元个数分布反映临界电压落于所述多个电压范围的其中之一内存储单元的总数。
4.根据权利要求3所述的存储器控制方法，其中获得所述第一临界电压分布相较于所述多个第一存储单元的所述原始临界电压分布的所述偏移信息的步骤包括：
根据所述总数与默认数目之间的差值获得所述偏移信息。
5.根据权利要求2所述的存储器控制方法，其中获得所述第一临界电压分布相较于所述多个第一存储单元的所述原始临界电压分布的所述偏移信息的步骤包括：
根据所述存储单元个数分布决定分布曲线；以及
根据所述分布曲线的特征参数获得所述偏移信息。
6.根据权利要求5所述的存储器控制方法，其中所述特征参数包括所述分布曲线的斜率值与低点位置的其中之一。
7.根据权利要求1所述的存储器控制方法，其中根据所述第一可靠度信息的所述统计特性还原出对应于所述原始临界电压分布的所述原始可靠度信息的步骤包括：
根据所述第一可靠度信息的所述统计特性决定调整值；以及
根据所述调整值调整所述第一可靠度信息，以获得所述原始可靠度信息。
8.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：
连接接口单元，用以连接至主机系统；
可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元；以及
存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，
其中所述存储器控制电路单元用以发送读取指令序列，以指示使用多个读取电压电平来读取所述多个存储单元中的多个第一存储单元，以获得所述多个第一存储单元的第一临界电压分布，
所述存储器控制电路单元还用以获得所述第一临界电压分布相较于所述多个第一存储单元的原始临界电压分布的偏移信息，
所述存储器控制电路单元还用以获得对应于所述第一临界电压分布的第一可靠度信息，
所述存储器控制电路单元还用以根据所述第一可靠度信息的统计特性还原出对应于所述原始临界电压分布的原始可靠度信息，
所述存储器控制电路单元还用以根据所述偏移信息调整所述原始可靠度信息，以获得对应于所述第一临界电压分布的第二可靠度信息，并且
所述存储器控制电路单元还用以根据所述第二可靠度信息更新与所述多个第一存储单元有关的可靠度信息。
9.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中所述多个读取电压电平在所述第一临界电压分布上划分出多个电压范围，且所述第一临界电压分布包括基于所述多个电压范围所呈现的存储单元个数分布。
10.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述存储单元个数分布反映临界电压落于所述多个电压范围的其中之一内存储单元的总数。
11.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中获得所述第一临界电压分布相较于所述多个第一存储单元的所述原始临界电压分布的所述偏移信息的操作包括：
根据所述总数与默认数目之间的差值获得所述偏移信息。
12.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中获得所述第一临界电压分布相较于所述多个第一存储单元的所述原始临界电压分布的所述偏移信息的操作包括：
根据所述存储单元个数分布决定分布曲线；以及
根据所述分布曲线的特征参数获得所述偏移信息。
13.根据权利要求12所述的存储器存储装置，其中所述特征参数包括所述分布曲线的斜率值与低点位置的其中之一。
14.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中根据所述第一可靠度信息的所述统计特性还原出对应于所述原始临界电压分布的所述原始可靠度信息的操作包括：
根据所述第一可靠度信息的所述统计特性决定调整值；以及
根据所述调整值调整所述第一可靠度信息，以获得所述原始可靠度信息。
15.一种存储器控制电路单元，其特征在于，用以控制可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元，且所述存储器控制电路单元包括：
主机接口，用以连接至主机系统；
存储器接口，用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块；以及
存储器管理电路，连接至所述主机接口与所述存储器接口，
其中所述存储器管理电路用以发送读取指令序列，以指示使用多个读取电压电平来读取所述多个存储单元中的多个第一存储单元，以获得所述多个第一存储单元的第一临界电压分布，
所述存储器管理电路还用以获得所述第一临界电压分布相较于所述多个第一存储单元的原始临界电压分布的偏移信息，
所述存储器管理电路还用以获得对应于所述第一临界电压分布的第一可靠度信息，
所述存储器管理电路还用以根据所述第一可靠度信息的统计特性还原出对应于所述原始临界电压分布的原始可靠度信息，
所述存储器管理电路还用以根据所述偏移信息调整所述原始可靠度信息，以获得对应于所述第一临界电压分布的第二可靠度信息，并且
所述存储器管理电路还用以根据所述第二可靠度信息更新与所述多个第一存储单元有关的可靠度信息。
16.根据权利要求15所述的存储器控制电路单元，其中所述多个读取电压电平在所述第一临界电压分布上划分出多个电压范围，且所述第一临界电压分布包括基于所述多个电压范围所呈现的存储单元个数分布。
17.根据权利要求16所述的存储器控制电路单元，其中所述存储单元个数分布反映临界电压落于所述多个电压范围的其中之一内存储单元的总数。
18.根据权利要求17所述的存储器控制电路单元，其中获得所述第一临界电压分布相较于所述多个第一存储单元的所述原始临界电压分布的所述偏移信息的操作包括：
根据所述总数与默认数目之间的差值获得所述偏移信息。
19.根据权利要求16所述的存储器控制电路单元，其中获得所述第一临界电压分布相较于所述多个第一存储单元的所述原始临界电压分布的所述偏移信息的操作包括：
根据所述存储单元个数分布决定分布曲线；以及
根据所述分布曲线的特征参数获得所述偏移信息。
20.根据权利要求19所述的存储器控制电路单元，其中所述特征参数包括所述分布曲线的斜率值与低点位置的其中之一。
21.根据权利要求15所述的存储器控制电路单元，其中根据所述第一可靠度信息的所述统计特性还原出对应于所述原始临界电压分布的所述原始可靠度信息的操作包括：
根据所述第一可靠度信息的所述统计特性决定调整值；以及
根据所述调整值调整所述第一可靠度信息，以获得所述原始可靠度信息。
技术总结
本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：使用多个读取电压电平来读取多个第一存储单元，以获得第一存储单元的第一临界电压分布；获得第一临界电压分布相较于第一存储单元的原始临界电压分布的偏移信息；获得对应于第一临界电压分布的第一可靠度信息；根据第一可靠度信息的统计特性还原出对应于原始临界电压分布的原始可靠度信息；根据所述偏移信息调整原始可靠度信息，以获得对应于第一临界电压分布的第二可靠度信息；以及根据第二可靠度信息更新与第一存储单元有关的可靠度信息。藉此，可提高解码效能。
技术研发人员：曾士家;欧沥元;林晓宜;林纬
受保护的技术使用者：群联电子股份有限公司
技术研发日：2021.03.10
技术公布日：2021.05.25
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