Norflash过擦除的修复方法及Norflash存储阵列与流程

flash存储阵列还包括与共源端vs连接的限流电路，限流电路与第一电容c
s
并联，第一电容cs为nor flash阵列块共源端vs对地总的寄生电容，该方法包括：在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，利用限流电路调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流；根据调节后的nor flash阵列块漏端和源端的电流，对选中的nor flash阵列块进行过擦除修复。在本发明实施例中，通过限流电路调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流，以对选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
附图说明
38.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
39.图1为本发明实施例示出的一种nor flash存储阵列的结构示意图；
40.图2为本发明实施例示出的另一种nor flash存储阵列的结构示意图；
41.图3为本发明实施例示出的又一种nor flash存储阵列的结构示意图；
42.图4为本发明实施例示出的再一种nor flash存储阵列的结构示意图；
43.图5为本发明实施例示出的一种nor flash过擦除的修复方法的流程示意图；
44.图6为本发明实施例示出的另一种nor flash过擦除的修复方法的流程示意图；
45.图7为本发明实施例示出的又一种nor flash过擦除的修复方法的流程示意图；
46.图8为本发明实施例示出的再一种nor flash过擦除的修复方法的流程示意图。
具体实施方式
47.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
48.在本申请中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
49.当前，基于浮栅技术的nor flash阵列块主要包括衬底端，设置于衬底端上的源端、漏端、栅端和浮栅。
50.nor flash阵列块的编程操作基于che原理：源端和衬底偏置0v电压，漏端偏置5v电压，控制栅端偏置10v电压，漏端热电子通过隧穿氧化层被存储至浮栅。此时，存储单元的阈值电压增加，代表写入“0”数据。
51.nor flash阵列块的擦除操作基于fn隧穿原理：源端和漏端悬浮，衬底偏置高压
10v，控制栅端偏置负电压
‑
8v电压，浮栅存储的电子基于fn隧穿机理隧穿至衬底，浮栅电子被擦除。此时，存储单元的阈值电压减小，代表擦除回“1”数据。
52.过擦除是指在nor flash存储阵列进行擦除操作时nor flash阵列块的栅端负压和阱电位压差过大，导致nor flash阵列块的阈值电压变成负值，从而影响nor flash存储阵列的正常运行。
53.在本发明实施例中，本发明示出的nor flash过擦除的修复方法不仅可以用于nor flash阵列块的过擦除修复，还可以用于sonos型存储单元的过擦除修复，对此本发明不加以限制。
54.参见图1，为本发明实施例示出的一种nor flash存储阵列的结构示意图。
55.nor flash存储阵列包括多列nor flash阵列块10，每一列nor flash阵列块10的漏极连接相同的位线bl，每一行nor flash阵列块10的栅端连接相同的字线wl，每一行nor flash阵列块10的源级连接相同的源级线sl，构成共源端vs，共源端vs与第一电容c
s
连接，且接地，nor flash存储阵列还包括与共源端vs连接的限流电路20，限流电路20与第一电容c
s
并联，第一电容cs为nor flash阵列块共源端vs对地总的寄生电容。
56.具体的，为了节约nor flash闪存芯片的面积，nor flash存储阵列常采用物理集中放置，构成一个存储矩阵，且在逻辑上分成多个nor flash阵列块10。该存储阵列包括n个nor flash阵列块10
×
n个nor flash阵列块10，每一行的nor flash阵列块10的栅端连接一条字线wl，每一列的nor flash阵列块10的漏极连接一条位线bl。每一行nor flash阵列块10的源级连接一条的源级线sl，n条源级线sl的连接的公共端构成了共源端vs，共源端vs与第一电容c
s
连接，且接地，共源端vs与地之间连接限流电路20，限流电路20与第一电容c
s
并联。
57.比如，第一列的nor flash阵列块10的栅端连接位线bl1；第二列的nor flash阵列块10的栅端连接位线bl2......第n列的nor flash阵列块10的栅端连接一条位线bln；第一行的nor flash阵列块10的漏极连接字线wl1，第二行的nor flash阵列块10的漏极连接字线wl2......第n行的nor flash阵列块10的漏极连接字线wln。
58.可选的，第一电容cs除了可以是上述示出的nor flash阵列块10共源端vs对地总的寄生电容，也可以是技术人员而外施加的电容，具体的，在nor flash阵列块10共源端vs对地总的寄生电容较小，使共源端vs完全浮空时，技术人员可而外施加一个电容。
59.nor flash存储阵列在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除修复操作的过程中，nor flash存储阵列利用限流电路调节被修复的nor flash阵列块10漏端和源端的电流；并根据调节后的nor flash阵列块10漏端和源端的电流，对选中的nor flash阵列块10进行过擦除修复。
60.在具体实现中，nor flash存储阵列在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除操作之后，nor flash存储阵列容易出现过擦除操作，因此需要针对每一已进行块擦除操作的nor flash阵列块10进行块擦除修复，利用限流电路调节流过自身的电压，以调节流过nor flash阵列块10漏端和源端的电流。流过共nor flash阵列块10漏端和源端的电流为被选中的nor flash阵列块10所连接的位线bl提供可以进行过擦除修复的电流，也就是说，利用调节后nor flash阵列块10漏端和源端的电流调节选中的nor flash阵列块10的阈值电压，使得选中的nor flash阵列块10的阈值电压上升至预设正常电压范围，即对选中的nor flash
阵列块10进行过擦除修复。
61.需要说明的是，预设正常电压范围是预先设置的能使nor flash阵列块10达到工作状态的电压。
62.在本发明实施例中，通过限流电路调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流，以对选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
63.基于上述图1示出的nor flash存储阵列，本发明实施例在具体实现中，还示出了限流电路的一具体结构，如图2所示。
64.限流电路20包括开关管s1。
65.开关管s1，用于控制共源端vs与地线的连接。
66.在具体实现中，nor flash存储阵列在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除修复操作的过程中，确定选中的nor flash阵列块10所处的位线bl和字线wl；将位线bl的电压偏置至预设第一电压，字线wl的电压偏置至预设第二电压，控制开关管s1断开，共源端vs处于浮空状态，根据位线bl的电压调节被修复nor flash阵列块10漏端和源端的电流。选中的nor flash阵列块10漏端和源端基于被修复nor flash阵列块10漏端和源端的电流产生的热电子，将热电子注入nor flash阵列块的浮置栅极，使选中的nor flash阵列块的阈值电压上升至预设正常电压范围。
67.需要说明的是，确定选中的nor flash阵列块10所处的位线bl和字线wl的数量至少为一个。
68.其中，位线bl的数量和字线wl的数量可能相等，也可能是位线bl的数量比字线wl的数量的多，或是字线wl的数量比位线bl的数量的多。
69.具体的，在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除修复操作的过程中，确定选中的nor flash阵列块10在nor flash存储阵列中所处的位线bl和字线wl。对选中的nor flash阵列块10所处的位线bl和字线wl施加高压，使位线bl的电压偏置至预设第一电压，字线wl的电压偏置至预设第二电压，并控制开关管s1断开，也就是说，共源端vs与地线断开，共源端vs处于浮空状态；此时位线bl的电压对第一电容cs充电，nor flash阵列块10中形成nor flash阵列块10漏端到源端的充电电流，同时nor flash阵列块10漏端和源端对衬底端形成反向pn结偏置，漏端和源端也会出现反向pn结电流，从而调节被修复nor flash阵列块10漏端和源端的电流。
70.被修复nor flash阵列块10漏端和源端基于被修复nor flash阵列块10漏端和源端的电流产生热电子，在选中的nor flash阵列块10的栅端电压的作用下跃迁至nor flash阵列块10的浮栅修复过擦除nor flash阵列块10的阈值电压，以使得nor flash阵列块10的阈值电压上升至预设正常电压范围。
71.在本发明实施例中，确定选中的nor flash阵列块所处的位线和字线，将位线bl的电压偏置至预设第一电压，字线wl的电压偏置至预设第二电压，开关管断开，共源端处于浮空状态；根据位线bl的电压调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流。电流流过选中的nor flash阵列块会产生电荷，在选中的nor flash阵列块的栅端电压的作用下跃迁至nor flash阵列块的浮栅修复过擦除nor flash阵列块的阈值电压。在本方案中，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进
行过擦除修复的修复效率。
72.在本发明实施例中，除了上述图2示出的过擦除修复方式外，还可以采用其他的方式实现对nor flash阵列块的过擦除修复，下面分别进行说明。
73.在第一种具体实现中，结合上述本发明实施例图2示出的结构，该nor flash存储阵列，用于在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除修复操作的过程中，将nor flash阵列块10的栅端电压偏置预设第三电压，nor flash阵列块10的衬底端电压偏置预设第四电压，选中的nor flash阵列块10的漏端电压和源端电压置于浮空状态，控制开关管s1断开。基于fn隧穿原理使nor flash阵列块10衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块10。
74.具体的，在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除修复操作的过程中，施加预设第三电压至nor flash阵列块10的栅端，施加预设第四电压至nor flash阵列块10的衬底端，且将nor flash阵列块10的漏端电压和源端电压置于浮空状态，并控制开关管s1断开。选中的nor flash阵列块10发生直接fn隧穿效应，使得nor flash阵列块10内的栅端、控制栅端和沟道内产生强大的电场，nor flash阵列块10的基底，即衬底端的电子通过薄氧化层的隧到浮置栅极，也就是说，电场直接将nor flash阵列块10的基底的电子从薄氧化层吸至浮置栅极，从而利用擦除erase操作修复选中的nor flash阵列块10。
75.需要说明的是，预设第三电压的取值范围包括5v至10v。
76.预设第四电压的取值范围包括
‑
5v至
‑
10v。
77.在本发明实施例中，在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，将选中的nor flash阵列块的栅端偏置预设第三电压，nor flash阵列块的衬底端电压和漏端电压偏置预设第四电压，nor flash阵列块的源端置于浮空状态，控制开关管断开；利用fn隧穿原理使nor flash阵列块衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块。在本方案中，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
78.在第二种具体实现中，结合上述本发明实施例图2示出的结构，该nor flash存储阵列，用于在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除修复操作的过程中，选中的nor flash阵列块10的栅端偏置预设第三电压，选中的nor flash阵列块10的衬底端和源端的电压偏置预设第四电压，选中的nor flash阵列块10的漏端置于浮空状态，控制开关管s1断开；基于fn隧穿原理使nor flash阵列块10衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块10。
79.具体的，施加预设第三电压至选中的nor flash阵列块10的栅端，施加预设第四电压至选中的nor flash阵列块10的衬底端和源端，且将选中的nor flash阵列块10的漏端置于浮空状态，并控制开关管s1断开。选中的nor flash阵列块10发生直接fn隧穿效应，使得nor flash阵列块10内的栅端、控制栅端和沟道内产生强大的电场，选中的nor flash阵列块10的基底，即衬底端的电子通过薄氧化层的隧到浮置栅极，也就是说，电场直接将nor flash阵列块10的基底的电子从薄氧化层吸至浮置栅极，从而利用擦除erase操作修复选中的nor flash阵列块10。
80.在本发明实施例中，选中的nor flash阵列块的栅端偏置预设第三电压，选中的nor flash阵列块的衬底端和源端的电压偏置预设第四电压，选中的nor flash阵列块的漏
端置于浮空状态，控制开关管断开；基于fn隧穿原理使nor flash阵列块衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块。在本方案中，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
81.在第三种具体实现中，结合上述本发明实施例图2示出的结构，该nor flash存储阵列，用于在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，将选中的nor flash阵列块10的栅端偏置预设第三电压，nor flash阵列块10的衬底端电压和漏端电压偏置预设第四电压，nor flash阵列块10的源端置于浮空状态，控制开关管s1断开；基于fn隧穿原理使nor flash阵列块10衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块。
82.具体的，在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，施加预设第三电压至选中的nor flash阵列块10的栅端，分别施加预设第四电压至选中的nor flash阵列块10的衬底端和漏端，且将选中的nor flash阵列块10的源端置于浮空状态，控制开关管s1断开；选中的nor flash阵列块10发生直接fn隧穿效应，使得nor flash阵列块10内的栅端、控制栅端和沟道内产生强大的电场，选中的nor flash阵列块10的基底，即衬底端的电子通过薄氧化层的隧到浮置栅极，也就是说，电场直接将nor flash阵列块10的基底的电子从薄氧化层吸至浮置栅极，从而利用擦除erase操作修复选中的nor flash阵列块10。
83.在本发明实施例中，在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，将选中的nor flash阵列块的栅端偏置预设第三电压，nor flash阵列块的衬底端电压和漏端电压偏置预设第四电压，nor flash阵列块的源端置于浮空状态，控制开关管断开；基于fn隧穿原理使nor flash阵列块衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块。在本方案中，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
84.在第四种具体实现中，结合上述本发明实施例图2示出的结构，该nor flash存储阵列，用于在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除修复操作的过程中，将nor flash阵列块10的栅端偏置预设第三电压，nor flash阵列块10的衬底端电压、漏端电压和源端电压偏置第四电压，控制开关管s1断开；基于fn隧穿原理使nor flash阵列块10衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块10。
85.具体的，在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，施加预设第三电压至nor flash阵列块10的栅端，分别施加预设第四电压至nor flash阵列块10的衬底端、漏端和源端，控制开关管s1断开；选中的nor flash阵列块10发生直接fn隧穿效应，使得nor flash阵列块10内的栅端、控制栅端和沟道内产生强大的电场，选中的nor flash阵列块10的基底，即衬底端的电子通过薄氧化层的隧到浮置栅极，也就是说，电场直接将nor flash阵列块10的基底的电子从薄氧化层吸至浮置栅极，从而利用擦除erase操作修复选中的nor flash阵列块10。
86.在本发明实施例中，在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，将nor flash阵列块的栅端偏置预设第三电压，nor flash阵列块的衬底端电压、漏端电压和源端电压偏置第四电压，控制开关管断开；基于fn隧穿原理使nor flash阵列块衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块。在本方案中，可以同时批量对多个选
中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
87.基于上述图2示出的nor flash存储阵列，本发明实施例在具体实现中，如图3所示，限流电路20还包括：可调电容ca。
88.可调电容ca与第一电容c
s
并联。
89.可调电容ca，用于根据自身的容量大小调节修复nor flash阵列块10漏端和源端的大小，即调节过擦除的编程修复过程中位线bl到共源端充电电流的大小。
90.需要说明的是，可调电容ca的取值范围为1pf至1uf。
91.在具体实现中，在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除修复操作的过程中，确定选中的nor flash阵列块10所处的位线bl和字线wl；将位线bl的电压偏置至预设第一电压，字线wl的电压偏置至预设第二电压，控制开关管s1断开，共源端vs处于浮空状态，根据位线bl的电压和可调电容ca，调节被修复nor flash阵列块10漏端和源端的电流。被修复nor flash阵列块10漏端和源端基于被修复nor flash阵列块10漏端和源端的电流产生热电子，将热电子注入nor flash阵列块10的浮置栅极，使选中的nor flash阵列块10的阈值电压上升至预设正常电压范围。
92.具体的，在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除修复操作的过程中，确定选中的nor flash阵列块10在nor flash存储阵列中所处的位线bl和字线wl。对选中的nor flash阵列块10所处的位线bl和字线wl施加高压，使每一条位线bl的电压均相同，且偏置至预设第一电压，每一条字线wl的电压均相同，且偏置至预设第二电压，控制开关管s1断开，也就是说，共源端vs与地线断开，此时共源端vs处于浮空状态。基于位线bl的电压对第一电容cs和可调电容ca充电，nor flash阵列块10中形成漏端到源端的充电电流，同时漏端和源端对衬底端形成反向pn结偏置，此时漏端和源端也会出现反向pn结电流，从而调节nor flash阵列块10漏端和源端的电流。
93.被修复nor flash阵列块10漏端和源端基于被修复nor flash阵列块10漏端和源端的电流产生热电子，也就是说，选中的nor flash阵列块10会产生电荷，在选中的nor flash阵列块10的栅端电压的作用下跃迁至nor flash阵列块10的浮栅修复过擦除nor flash阵列块10的阈值电压，以使得nor flash阵列块10的阈值电压上升至预设正常电压范围。
94.在本发明实施例中，确定选中的nor flash阵列块所处的位线和字线，确定选中的nor flash阵列块所处的位线和字线；将位线的电压偏置至预设第一电压，字线的电压偏置至预设第二电压，控制开关管断开，共源端处于浮空状态，根据位线的电压和可调电容，调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流。被修复nor flash阵列块漏端和源端基于被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流产生热电子，将热电子注入nor flash阵列块的浮置栅极，使选中的nor flash阵列块的阈值电压上升至预设正常电压范围。在本方案中，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
95.基于上述图1示出的nor flash存储阵列，本发明实施例在具体实现中，还示出了限流电路的另一具体结构，如图4所示。
96.限流电路20包括限流电阻rs。
97.该限流电阻rs，用于根据自身的电阻值调节修复nor flash阵列块10漏端和源端的电流，即调节过擦除的编程修复过程中位线bl到共源端充电电流的大小。
98.需要说明的是，限流电阻rs的取值范围为100ω至100kω。
99.在具体实现中，在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除修复操作的过程中，确定选中的nor flash阵列块10所处的位线bl和字线wl；根据位线bl电压和限流电阻的电阻，调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流。被修复nor flash阵列块10漏端和源端基于被修复nor flash阵列块10漏端和源端的电流产生的热电子，将热电子注入nor flash阵列块10的浮置栅极，使选中的nor flash阵列块10的阈值电压上升至预设正常电压范围。
100.具体的，在对选中的nor flash阵列块10进行块擦除修复操作的过程中，确定选中的nor flash阵列块10所处的位线bl和字线wl；对位线bl施加电压，没有被选中的位线bl的电压浮空，没有被选中的字线的电压偏置到0v，流过限流电阻的电流使共源端vs的电压升高，此时流过选中的nor flash阵列块10的电流会变小，没有被选中存储单元上漏电首先被关断，以调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流。
101.被修复nor flash阵列块10漏端和源端基于被修复nor flash阵列块10漏端和源端的电流产生电荷，在选中的nor flash阵列块10的栅端电压的作用下跃迁至nor flash阵列块10的浮栅修复过擦除nor flash阵列块10的阈值电压，以使得nor flash阵列块10的阈值电压上升至预设正常电压范围。
102.在本发明实施例中，确定选中的nor flash阵列块所处的位线和字线，通过限流电阻调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流。电流流过选中的nor flash阵列块会产生电荷，在选中的nor flash阵列块的栅端电压的作用下跃迁至nor flash阵列块的浮栅修复过擦除nor flash阵列块的阈值电压。在本方案中，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
103.基于上述图1示出的nor flash存储阵列，本发明实施例还对应公开了一种nor flash过擦除的修复方法，该nor flash过擦除的修复方法应用于上述公开的nor flash存储阵列。如图5所示，为本发明实施例示出的一种nor flash过擦除的修复方法的流程示意图，该方法包括：
104.步骤s501：在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，利用限流电路调节被修复的nor flash阵列块10漏端和源端的电流。
105.在具体实现步骤s501的过程中，为了避免nor flash存储阵列中被选中的非易失闪存nor flash阵列块进行块擦除操作的过程中出现影响nor flash存储阵列正常运行的过擦除问题，需要对所有被选中的非易失闪存nor flash阵列块进行过擦除修复。在对选中的nor flash阵列块进行块擦除操作之后，针对每一已进行块擦除操作的nor flash阵列块进行块擦除修复，利用限流电路调节流过自身的电压，以调节流过被修复的nor flash阵列块漏端和源端的电流。
106.步骤s502：根据调节后的nor flash阵列块漏端和源端的电流，对选中的nor flash阵列块进行过擦除修复。
107.在具体实现步骤s502的过程中，利用调节后的被修复的nor flash阵列块漏端和源端的电流调节选中的nor flash阵列块的阈值电压，使得选中的nor flash阵列块的阈值
电压上升至预设正常电压范围，即对选中的nor flash阵列块进行过擦除修复。
108.在本发明实施例中，通过限流电路调节被修复的nor flash阵列块漏端和源端的电流，以对选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
109.基于上述图2示出的nor flash存储阵列，本发明实施例还对应公开了一种nor flash过擦除的修复方法，如图6所示，该方法包括：
110.步骤s601：在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，确定选中的nor flash阵列块所处的位线bl和字线wl。
111.在具体实现步骤s601的过程中，确定选中的nor flash阵列块在nor flash存储阵列中所处的位线bl和字线wl。
112.需要说明的是，位线bl和字线wl的数量至少为一个。
113.步骤s602：将位线bl的电压偏置至预设第一电压，字线wl的电压偏置至预设第二电压，控制开关管断开，共源端vs处于浮空状态，根据位线bl的电压调节被修复的nor flash阵列块漏端和源端的电流。
114.在具体实现步骤s602的过程中，对选中的nor flash阵列块所对应的位线bl和字线wl施加高压，此时选中的nor flash阵列块所对应的位线bl和字线wl的电压不断增加，使位线bl的电压偏置至预设第一电压，字线wl的电压偏置至预设第二电压，并控制开关管断开，共源端vs处于浮空状态，此时位线bl的电压对第一电容cs充电，nor flash阵列块10中形成漏端到源端的充电电流，同时漏端和源端对衬底端形成反向pn结偏置，漏端和源端也会出现反向pn结电流，从而调节nor flash阵列块10漏端和源端的电流。
115.需要说明的是，预设第一电压的取值范围包括0v至10v；预设第二电压的取值范围包括0v至10v。
116.步骤s603：选中的nor flash阵列块漏端和源端基于被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流产生的热电子，将热电子注入nor flash阵列块的浮置栅极，使选中的nor flash阵列块的阈值电压上升至预设正常电压范围。
117.在具体实现步骤s603的过程中，选中的nor flash阵列块漏端和源端基于被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流产生的热电子，此时选中的nor flash阵列块会产生电荷，在选中的nor flash阵列块的栅端电压的作用下跃迁至nor flash阵列块的浮栅修复过擦除nor flash阵列块的阈值电压，以使得nor flash阵列块的阈值电压上升至预设正常电压范围。
118.在本发明实施例中，确定选中的nor flash阵列块所处的位线和字线，将位线bl的电压偏置至预设第一电压，字线wl的电压偏置至预设第二电压，开关管断开，共源端处于浮空状态，根据位线bl的电压调节被修复的nor flash阵列块漏端和源端的电流。电流流过选中的nor flash阵列块会产生电荷，在选中的nor flash阵列块的栅端电压的作用下跃迁至nor flash阵列块的浮栅修复过擦除nor flash阵列块的阈值电压。在本方案中，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
119.可选的，基于上述图6示出的nor flash过擦除的修复方法的流程示意图，还可以
采用其他的方式实现对选中的nor flash阵列块进行过擦除修复。
120.第一种实施方式，在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，将nor flash阵列块的栅端电压偏置预设第三电压，nor flash阵列块的衬底端电压偏置预设第四电压，选中的nor flash阵列块的漏端电压和源端电压置于浮空状态，控制开关管断开；基于fn隧穿原理使nor flash阵列块衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块。
121.第二种实施方式，在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，将选中的nor flash阵列块的栅端偏置预设第三电压，选中的nor flash阵列块的衬底端和源端的电压偏置预设第四电压，选中的nor flash阵列块的漏端置于浮空状态，控制开关管断开；基于fn隧穿原理使nor flash阵列块衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块。
122.需要说明的是，选中的nor flash阵列块衬底端的电压等于共源端vs的电压，且均偏置至预设第四电压。
123.第三种实施方式，在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，将nor flash阵列块的栅端的电压偏置预设第三电压，nor flash阵列块的衬底端电压和漏端电压偏置预设第四电压，nor flash阵列块的源端置于浮空状态，控制开关管断开；基于fn隧穿原理使nor flash阵列块衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块。
124.第四种实施方式，在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，将nor flash阵列块的栅端的电压偏置预设第三电压，nor flash阵列块的衬底端电压、漏端电压和源端电压偏置第四电压，控制开关管断开；基于fn隧穿原理使nor flash阵列块衬底端中的电子隧到浮置栅极，修复选中的nor flash阵列块。
125.需要说明的是，上述本申请实施例公开的nor flash存储阵列中的各个单元具体的原理和执行过程，与上述本申请实施示出的nor flash过擦除的修复方法相同，可参见上述本申请实施例公开的nor flash存储阵列中相应的部分，这里不再进行赘述
126.在本发明实施例中，可以采用各种方式对选中的nor flash阵列块进行过擦除修复。基于fn隧穿原理使nor flash阵列块衬底端中的电子隧到浮置栅极，以修复选中的nor flash阵列块。在本方案中，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
127.基于上述图3示出的nor flash存储阵列，本发明实施例还对应公开了一种nor flash过擦除的修复方法，如图7所示，该方法包括：
128.步骤s701：在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，确定选中的nor flash阵列块所处的位线bl和字线wl。
129.需要说明的是，步骤s701的具体实现过程与上述步骤s601的具体实现过程相同，可相互参见。
130.步骤s702：将位线bl的电压偏置至预设第一电压，字线wl的电压偏置至预设第二电压，控制开关管断开，共源端vs处于浮空状态，根据位线bl的电压和可调电容ca，调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流。
131.在具体实现步骤s702的过程中，对选中的nor flash阵列块所处的位线bl和字线
wl施加高压，使每一条位线bl的电压均相同，且偏置至预设第一电压，每一条字线wl的电压均相同，且偏置至预设第二电压，控制开关断开，也就是说，共源端vs与地线断开，此时共源端vs处于浮空状态。基于位线bl的电压对第一电容cs和可调电容ca充电，nor flash阵列块10中形成nor flash阵列块10漏端到源端的充电电流，同时nor flash阵列块10漏端和源端对衬底端形成反向pn结偏置，漏端和源端也会出现反向pn结电流，从而调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流。
132.需要说明的是，可调电容的取值范围包括1pf～1uf。
133.步骤s703：选中的nor flash阵列块漏端和源端基于被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流产生的热电子，将热电子注入nor flash阵列块的浮置栅极，使选中的nor flash阵列块的阈值电压上升至预设正常电压范围。
134.需要说明的是，步骤s703的具体实现过程与上述步骤s603的具体实现过程相同，可相互参见。
135.在本发明实施例中，确定选中的nor flash阵列块所处的位线和字线，确定选中的nor flash阵列块所处的位线和字线；将位线的电压偏置至预设第一电压，字线的电压偏置至预设第二电压，控制开关管断开，共源端处于浮空状态，根据位线的电压调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流。选中的nor flash阵列块漏端和源端基于被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流产生的热电子，将热电子注入nor flash阵列块的浮置栅极，使选中的nor flash阵列块的阈值电压上升至预设正常电压范围。在本方案中，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
136.基于上述图4示出的nor flash存储阵列，本发明实施例还对应公开了一种nor flash过擦除的修复方法，如图8所示，该方法包括：
137.步骤s801：在对选中的nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，确定选中的nor flash阵列块所处的位线bl和字线wl。
138.需要说明的是，步骤s801的具体实现过程与上述步骤s601的具体实现过程相同，可相互参见。
139.步骤s802：根据位线bl电压和限流电阻的电阻，以调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流。
140.在具体实现步骤s802的过程中，对选中的位线bl施加电压，没有被选中的位线bl的电压浮空，没有被选中的字线的电压偏置到0v，流过限流电阻的电流使共源端vs的电压升高，此时流过选中的nor flash阵列块的电流会变小，没有被选中存储单元上漏电首先被关断，以调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流。
141.限流电阻的取值范围为100ω至100kω。
142.步骤s803：选中的nor flash阵列块漏端和源端基于被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流产生的热电子，将热电子注入nor flash阵列块的浮置栅极，使选中的nor flash阵列块的阈值电压上升至预设正常电压范围。
143.需要说明的是，步骤s803的具体实现过程与上述步骤s603的具体实现过程相同，可相互参见。
144.在本发明实施例中，确定选中的nor flash阵列块所处的位线和字线，通过限流电
阻调节被修复nor flash阵列块漏端和源端的电流。电流流过选中的nor flash阵列块会产生电荷，在选中的nor flash阵列块的栅端电压的作用下跃迁至nor flash阵列块的浮栅修复过擦除nor flash阵列块的阈值电压。在本方案中，可以同时批量对多个选中的nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。
145.本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统或系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的系统及系统实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
146.专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
147.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。