技术特征：
1.一种系统，其包括：
存储器阵列，其包含多个存储器单元；以及
处理装置，其耦合到所述存储器阵列且对所述存储器阵列执行编程目标设定操作，其中为了执行所述编程目标设定操作，所述处理装置：
确定对应于所述存储器阵列的多个编程分布的一组差异错误计数；
基于所述一组差异错误计数的比较，识别对应于所述多个编程分布的多个谷值裕度；
基于所述多个谷值裕度的值，从规则集合中选择编程目标设定规则；
基于所述编程目标设定规则，执行程序擦除目标设定操作，以调整与所述存储器阵列的擦除分布相关联的电压电平；
确定所述存储器阵列的位错误率ber；
响应于所述ber满足ber控制值，将所述电压电平降低某一电压阶跃；以及
响应于所述ber不满足所述ber控制值，将所述电压电平增大所述电压阶跃。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步在使所述系统投入操作之前，基于工厂默认修整值确定基线ber，其中所述处理装置进一步将所述ber控制值设定为高于所述基线ber某一百分比。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步：
作为循环，重复所述编程目标设定操作，直到达到所述电压水平的平衡为止；以及
在达到所述电压电平的所述平衡之后，在每一后续循环期间，使所述电压电平抖动以在加减一个电压阶跃之间改变。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述处理装置在对所述多个存储器单元执行数十至数百个之间的编程/擦除循环之后执行每一循环。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述ber是基于单个码字或多个码字的均值或中值中的一者。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述编程目标设定规则包括锁定对应于最高程序验证pv目标的编程分布的pv目标。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置进一步基于所述编程目标设定规则来调整所述多个编程分布中的一或多者的一或多个程序验证pv目标。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述程序擦除目标设定操作是实施所述编程目标设定规则以进一步平衡逻辑页类型，使得对于不同的逻辑页类型，所述ber是大致相同的ber，且均衡特定逻辑页类型的相对谷值裕度，使得所述特定逻辑页类型的谷值的读取窗口预算rwb为大致相同的rwb。
9.一种方法，其包括：
通过处理装置将存储器阵列的擦除分布的电压电平预设为高于默认值，所述存储器阵列包括第一逻辑页类型和第二逻辑页类型的多个存储器单元；以及
通过所述处理装置执行编程目标设定操作，所述编程目标设定操作包括：
确定对应于所述第一逻辑页类型的多个编程分布的一组差异错误计数；
基于所述一组差异错误计数的比较，识别对应于所述多个编程分布的多个谷值裕度；
多次调整所述多个谷值裕度中的至少一些的值，以均衡所述第一逻辑页类型的相对谷值裕度，使得所述第一逻辑页类型的谷值的读取窗口预算rwb为大致相同的rwb；
确定所述存储器阵列的位错误率ber；以及
响应于所述ber不满足ber控制值，将所述电压电平增大某一电压阶跃。
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
在使包括所述存储器阵列的存储器装置投入操作之前，基于工厂默认修整值确定基线ber；以及
将所述ber控制值设定为高于所述基线ber某一百分比。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述多次包括预设数目的更新，所述方法进一步包括：
作为循环，重复所述编程目标设定操作，直到达到所述电压水平的平衡为止；
在任何给定循环期间，响应于所述ber满足所述ber控制值，将所述电压电平降低所述电压阶跃；以及
在达到所述电压电平的所述平衡之后，在每一后续循环期间，使所述电压电平抖动以在加减一个电压阶跃之间改变。
12.根据权利要求11所述的系统，其中作为循环重复所述编程目标设定操作包括在对所述多个存储器单元执行数十至数百个之间的编程/擦除循环之后执行每一循环。
13.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：在执行v)和vi)之前：
对于所述多次中的每一次，重复对所述第二逻辑页类型的所述编程目标设定操作；以及
对于所述多次中的每一次，使所述ber在所述第一逻辑页类型与所述第二逻辑页类型之间平衡。
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：
作为循环，重复所述编程目标设定操作，直到达到所述电压水平的平衡为止；
在任何给定循环期间，响应于所述ber满足所述ber控制值，将所述电压电平降低所述电压阶跃；以及
在达到所述电压电平的所述平衡之后，在每一后续循环期间，使所述电压电平抖动以在加减一个电压阶跃之间改变。
15.一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括指令，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行编程目标设定操作，所述编程目标设定操作包括：
确定对应于存储器阵列的多个编程分布的一组差异错误计数，所述存储器阵列包括多个存储器单元；
基于所述一组差异错误计数的比较，识别对应于所述多个编程分布的多个谷值裕度；
基于所述多个谷值裕度的值，从规则集合中选择编程目标设定规则；
基于所述编程目标设定规则，执行程序擦除目标设定操作，以调整与所述存储器阵列的擦除分布相关联的电压电平；
确定所述存储器阵列的位错误率ber；
响应于所述ber满足ber控制值，将所述电压电平降低某一电压阶跃；以及
响应于所述ber不满足所述ber控制值，将所述电压电平增大所述电压阶跃。
16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述编程目标设定操作进一步包括：
在使包括所述存储器阵列的存储器装置投入操作之前，基于工厂默认修整值确定基线ber；以及
将所述ber控制值设定为高于所述基线ber某一百分比。
17.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述编程目标设定操作进一步包括：
作为循环，重复所述编程目标设定操作，直到达到所述电压水平的平衡为止；以及
在达到所述电压电平的所述平衡之后，在每一后续循环期间，使所述电压电平抖动以在加减一个电压阶跃之间改变。
18.根据权利要求17所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中作为循环重复所述编程目标设定操作包括在对所述多个存储器单元执行数十至数百个之间的编程/擦除循环之后执行每一循环。
19.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中具有所述多个谷值裕度中的最低谷值裕度的谷值位于所述擦除分布与邻近于所述擦除分布的编程分布之间，且其中执行所述程序擦除目标设定操作包括降低与所述擦除分布相关联的所述电压电平，以增大所述擦除分布与邻近于所述擦除分布的所述编程分布之间的所述谷值的裕度。
20.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中具有所述多个谷值裕度中的最低谷值裕度的谷值位于所述擦除分布与邻近于所述擦除分布的编程分布之间，且其中所述编程目标设定操作进一步包括确定具有所述最低谷值裕度的所述谷值与所述一组差异错误计数中的最高差异错误计数相关联。
技术总结
本申请案涉及具有位错误率的动态程序擦除目标设定。一种系统包含具有存储器单元的存储器阵列及耦合到其的处理装置。所述处理装置执行编程目标设定操作，所述编程目标设定操作包含：确定对应于所述存储器阵列的编程分布的一组差异错误计数；基于所述一组差异错误计数的比较，识别对应于所述编程分布的谷值裕度；基于所述谷值裕度的值，从规则集合中选择编程目标设定规则；基于所述编程目标设定规则，执行编程目标设定操作，以调整与所述存储器阵列的擦除分布相关联的电压电平；确定所述存储器阵列的位错误率BER；响应于所述BER满足BER控制值，将所述电压电平降低某一电压阶跃；以及响应于所述BER不满足所述BER控制值，将所述电压电平增大所述电压阶跃。
技术研发人员：B·A·利卡宁;M·舍佩雷克;L·J·考德莱
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2020.12.18
技术公布日：2021.06.18
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