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一种物理不可克隆单元及读取电路的制作方法

2021-07-16 18:52:00 来源:中国专利 TAG:克隆 数据存储 电路 单元 读取

技术特征:
1.一种物理不可克隆单元,其特征在于,包括:第一字线、第二字线、第一位线、第二位线,以及镜像设置的第一晶体管反熔丝和第二晶体管反熔丝,所述第一晶体管反熔丝分别与第一字线、第一位线、第二晶体管反熔丝连接,所述第二晶体管反熔丝还分别与第二字线、第二位线连接,同时通过第一字线向第一晶体管反熔丝和通过第二字线向第二晶体管反熔丝施加编程电压,并拉低第一位线、第二位线的电压形成压差,将第一晶体管反熔丝或第二晶体管反熔丝部分击穿,以进行数据的存储。2.如权利要求1所述的物理不可克隆单元,其特征在于,所述第一晶体管反熔丝包括第一栅极、第一源极、第一漏极,所述第二晶体管反熔丝包括第二栅极、第二源极、第二漏极,所述第一栅极与第一字线连接,所述第一源极与第一位线连接,所述第一漏极与第二漏极连接,所述第二源极与第二位线连接,所述第二栅极与第二字线连接。3.如权利要求2所述的物理不可克隆单元,其特征在于,还包括设于所述第一栅极和第一源极、第一漏极之间的第一厚栅氧化层及第一薄栅氧化层,以及设于所述第二栅极和第二源极、第二漏极之间的第二厚栅氧化层及第二薄栅氧化层。4.一种读取电路,其特征在于,包括电流比较电路、仲裁器,以及如权利要求1至3任一项所述的物理不可克隆单元;所述电流比较电路的第一端与所述第一晶体管反熔丝和第二晶体管反熔丝之间的结点连接,所述电流比较电路的第二端与仲裁器连接,并由所述仲裁器输出读取数据。5.如权利要求4所述的读取电路,其特征在于,所述电流比较电路包括三个并联的电流比较器。
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