存储器件及其编程方法与流程

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

底部电极；

加热器，设置在所述底部电极上且包含多个导热材料，其中所述多个导热材料的电阻率互不相同，所述多个导热材料中的第一导热材料具有外围侧壁部及底板部，所述底板部连接到所述外围侧壁部且被所述外围侧壁部环绕，所述导热材料中的第二导热材料设置在所述多个导热材料中的所述第一导热材料的所述底板部上且在侧向上被所述多个导热材料中的所述第一导热材料的所述外围侧壁部环绕；

相变层，设置在所述加热器上且接触所述多个导热材料；以及

顶部电极，设置在所述相变层上。

技术总结
提供一种存储器件及存储器件的编程方法。所述存储器件包括底部电极、加热器、相变层及顶部电极。加热器设置在底部电极上且包含多个导热材料，所述多个导热材料在电阻率方面互不相同。多个导热材料中的第一导热材料具有外围侧壁部及底板部，底板部连接到外围侧壁部且被外围侧壁部环绕。多个导热材料中的第二导热材料设置在第一导热材料的底板部上且在侧向上被第一导热材料的外围侧壁部环绕。相变层设置在加热器上且接触多个导热材料。顶部电极设置在相变层上。

技术研发人员：吴昭谊
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.01.27
技术公布日：2021.08.03