技术特征：
1.一种存储器的编程方法，所述存储器的每个字线连接多个存储单元，其特征在于，所述多个存储单元包括第一存储单元和除了所述第一存储单元的第二存储单元，所述方法包括：
执行第1级编程，以将所述第一存储单元的阈值电压编程至大于等于所述第一存储单元的最终验证电压，将所述第二存储单元的阈值电压编程至大于等于第一级中间验证电压，其中，所述第一级中间验证电压小于最终验证电压，所述第一存储单元的阈值电压大于所述第二存储单元的阈值电压；以及
执行第n级编程，将所述多个第二存储单元的阈值电压配置为大于等于最终验证电压，其中n≥2。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第1级编程至第n级编程中的每一级编程过程中，所述多个第二存储单元的验证电压和最终验证电压配置为小于所述第一存储单元的最终验证电压。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第1级编程包括：
对所述多个第二存储单元施加第一编程电压；
验证所述多个第二存储单元的阈值电压是否大于等于所述第一级中间验证电压；
响应于所述多个第二存储单元的阈值电压小于所述第一级中间验证电压，按第一步长增加所述第一编程电压，并将增加后的第一编程电压重新施加到所述多个第二存储单元；以及
继续执行验证步骤以及重新施加的步骤，直到所述多个第二存储单元的阈值电压大于等于所述第一级中间验证电压。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第1级编程还包括：
对所述第一存储单元施加第n编程电压，使所述第一存储单元的阈值电压大于等于最终验证电压，其中所述最终验证电压为所述第n级编程中所述第一存储单元的验证电压。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第n级编程包括：
对所述多个第二存储单元施加第n编程电压；
验证被施加了第n编程电压而处于不同存储状态的所述第二存储单元的阈值电压是否大于等于最终验证电压；
响应于处于不同存储状态的所述第二存储单元的阈值电压小于所述最终验证电压，按第n步长增加所述第n编程电压，并将增加步长后的第n编程电压重新施加到所述第二存储单元；以及
继续执行验证步骤以及重新施加步骤，直到所述多个第二存储单元的阈值电压大于等于所述最终验证电压。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第n步长小于所述第一步长。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的方法，其特征在于，在执行所述多级编程的第n级编程之前，依次针对所述存储器的多个字线各自连接的存储单元执行所述第1级编程。
8.一种存储器系统，其特征在于，包括：
存储阵列，包括分别与多个存储单元连接的多个字线；
电压提供电路，耦合到所述存储阵列；以及
控制器，配置为控制所述电压提供电路向每个所述字线施加编程电压和验证电压，以对同一所述字线连接的多个存储单元进行编程，
其特征在于，同一所述字线连接的所述多个存储单元包括第一存储单元和除了所述第一存储单元的第二存储单元，
在第1级编程中，所述第一存储单元的阈值电压被配置为大于等于所述第一存储单元的最终验证电压，以及所述多个第二存储单元的阈值电压被配置为大于等于第一级中间验证电压，其中，所述存储单元的第一级中间验证电压小于最终验证电压，所述第一存储单元的阈值电压大于所述第二存储单元的阈值电压；以及
在第n级编程中，所述多个第二存储单元的阈值电压被配置为大于等于最终验证电压，其中n≥2。
9.根据权利要求8所述的存储器系统，其特征在于，所述控制器被配置为控制所述电压提供电路向每个所述字线施加编程电压以使得：
在第1级编程至第n级编程中的每一级编程过程中，所述多个第二存储单元的验证电压和最终验证电压小于所述第一存储单元的最终验证电压。
10.根据权利要求8所述的存储器系统，其特征在于，所述第1级编程包括：
对所述多个第二存储单元施加第一编程电压；
验证所述多个第二存储单元的阈值电压是否大于等于所述第一级中间验证电压；
响应于所述多个第二存储单元的阈值电压小于所述第一级中间验证电压，按第一步长增加所述第一编程电压，并将增加后的第一编程电压重新施加到所述多个第二存储单元；以及
继续执行验证步骤和重新施加步骤，直到所述多个第二存储单元的阈值电压大于等于所述第一级中间验证电压。
11.根据权利要求10所述的存储器系统，其特征在于，所述第1级编程还包括：
对所述第一存储单元施加第n编程电压，使所述第一存储单元的阈值电压大于等于最终验证电压，其中所述最终验证电压为所述第n级编程中所述第一存储单元的验证电压。
12.根据权利要求8所述的存储器系统，其特征在于，所述第n级编程包括：
对所述多个第二存储单元施加第n编程电压；
验证被施加了第n编程电压而处于不同存储状态的所述第二存储单元的阈值电压是否大于等于最终验证电压；
响应于处于不同存储状态的所述第二存储单元的阈值电压小于所述最终验证电压，按第n步长增加所述第n编程电压，并将增加步长后的n编程电压重新施加到所述第二存储单元；以及
继续执行验证步骤和重新施加步骤，直到所述多个第二存储单元的所述阈值电压大于等于对应的所述最终验证电压。
13.根据权利要求12所述的存储器系统法，其特征在于，所述第n步长小于所述第一步长。
14.根据权利要求8至13任意一项所述的存储器系统，其特征在于，在执行所述多级编程的第n级编程之前，依次针对所述存储器的多个字线各自连接的存储单元执行所述第1级编程。
15.根据权利要求14所述的存储器系统，其特征在于，所述存储器阵列包括单级单元slc闪存存储器阵列、多级单元mlc闪存存储器阵列、三级单元tlc闪存存储器阵列、四级单元qlc闪存存储器阵列和五级单元plc闪存存储器阵列中的任意一个。
技术总结
本申请提供一种存储器的系统及编程方法。存储器的每个字线连接多个存储单元，多个存储单元包括第一存储单元和除了所述第一存储单元的第二存储单元，编程方法包括：执行第1级编程，以将第一存储单元的阈值电压编程至大于等于第一存储单元的最终验证电压，将第二存储单元的阈值电压编程至大于等于第一级中间验证电压，其中，存储单元的第一级中间验证电压小于最终验证电压，第一存储单元的阈值电压大于第二存储单元的阈值电压；以及执行第N级编程，将多个第二存储单元的阈值电压配置为大于等于最终验证电压，其中N≥2。
技术研发人员：董志鹏;李海波
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.06.17
技术公布日：2021.08.20
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
