存储器器件及其编程操作的制作方法

技术特征：
1.一种存储器器件，包括：存储器串，所述存储器串包括漏极选择栅极(dsg)晶体管、多个存储器单元和源极选择栅极(ssg)晶体管；以及外围电路，所述外围电路耦合到所述存储器串，并且被配置为：响应于在对所述多个存储器单元中的选择存储器单元的编程操作期间的中断，接通所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的至少一个；并且在接通所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的所述至少一个之后，暂停所述编程操作。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述外围电路还被配置为在接通所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的所述至少一个的同时，接通所述选择存储器单元和所述多个存储器单元中的未选择存储器单元，所述未选择存储器单元在所述选择存储器单元与所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的所述至少一个之间。3.根据权利要求1或2所述的存储器器件，其中，在所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的所述至少一个被接通时，所述存储器串的漏极或源极中的至少一个接地。4.根据权利要求1
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3中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述外围电路还被配置为响应于由所述中断触发的另一操作的完成而恢复所述编程操作。5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述另一操作包括读取操作。6.根据权利要求1
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5中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述外围电路被配置为接通所述ssg晶体管。7.根据权利要求6所述的存储器器件，还包括：选择字线，所述选择字线耦合到所述选择存储器单元；以及ssg线，所述ssg线耦合到所述ssg晶体管，其中，所述外围电路包括字线驱动器，所述字线驱动器被配置为：在所述选择字线上施加编程电压，以对所述选择存储器单元进行编程；并且在所述选择字线上施加所述编程电压之后，在所述ssg线上施加ssg电压，以接通所述ssg晶体管。8.根据权利要求7所述的存储器器件，还包括未选择字线，所述未选择字线耦合到所述多个存储器单元中的未选择存储器单元，其中，所述字线驱动器还被配置为在所述选择字线上施加所述编程电压的同时，并且在所述ssg线上施加所述ssg电压的同时，在所述未选择字线上施加通过电压，以接通所述未选择存储器单元。9.根据权利要求7或8所述的存储器器件，其中，所述字线驱动器还被配置为：对所述选择字线上的所述编程电压进行放电；在对所述选择字线上的所述编程电压进行放电之后，在所述选择字线上施加通过电压，以接通所述选择存储器单元；并且在所述选择字线上施加所述通过电压的同时，在所述ssg线上施加所述ssg电压。10.根据权利要求7或8所述的存储器器件，其中，所述字线驱动器还被配置为：对所述选择字线上的所述编程电压进行放电；并且在对所述选择字线上的所述编程电压进行放电的同时，在所述ssg线上施加所述ssg电压。
11.根据权利要求10所述的存储器器件，其中，所述字线驱动器还被配置为在放电的编程电压仍然接通所述选择存储器单元时，施加所述ssg电压。12.根据权利要求7
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11中的任何一项所述的存储器器件，其中，在所述选择字线上施加所述编程电压的同时，发生所述中断。13.一种系统，包括：存储器器件，所述存储器器件被配置为存储数据，并且包括：存储器串，所述存储器串包括漏极选择栅极(dsg)晶体管、多个存储器单元和源极选择栅极(ssg)晶体管；以及外围电路，所述外围电路耦合到所述存储器串，并且被配置为：发起对所述多个存储器单元中的选择存储器单元的编程操作；在所述编程操作期间接收中断命令；响应于接收到所述中断命令，接通所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的至少一个；并且在接通所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的所述至少一个之后，暂停所述编程操作；存储器控制器，所述存储器控制器耦合到所述存储器器件，并且被配置为：将编程命令传输到所述外围电路，以发起所述编程操作；并且在所述编程命令之后将所述中断命令传输到所述外围电路；以及连接器，所述连接器被配置为将所述系统耦合到主机。14.根据权利要求13所述的系统，其中，所述系统是固态驱动器(ssd)或存储器卡。15.一种用于操作包括存储器串的存储器器件的方法，所述存储器串包括漏极选择栅极(dsg)晶体管、多个存储器单元和源极选择栅极(ssg)晶体管，所述方法包括：发起对所述多个存储器单元中的选择存储器单元的编程操作；在所述编程操作期间接收中断命令；响应于接收到所述中断命令，接通所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的至少一个；并且在接通所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的所述至少一个之后，暂停所述编程操作。16.根据权利要求15所述的方法，还包括在接通所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的所述至少一个的同时，接通所述选择存储器单元和所述多个存储器单元中的未选择存储器单元，所述未选择存储器单元在所述选择存储器单元与所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的所述至少一个之间。17.根据权利要求15或16所述的方法，其中，在所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的所述至少一个被接通时，所述存储器串的漏极或源极中的至少一个接地。18.根据权利要求15
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17中的任何一项所述的方法，还包括响应于由所述中断命令触发的另一操作的完成而恢复所述编程操作。19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述另一操作包括读取操作。20.根据权利要求15
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19中的任何一项所述的方法，其中，接通所述dsg晶体管或所述ssg晶体管中的所述至少一个包括接通所述dsg晶体管。21.根据权利要求20所述的方法，还包括：在耦合到所述选择存储器单元的选择字线上施加编程电压，以对所述选择存储器单元
进行编程；以及在所述选择字线上施加所述编程电压之后，在耦合到所述ssg晶体管的ssg线上施加ssg电压，以接通所述ssg晶体管。22.根据权利要求21所述的方法，还包括在所述选择字线上施加所述编程电压的同时，并且在所述ssg线上施加所述ssg电压的同时，在耦合到所述多个存储器单元中的未选择存储器单元的未选择字线上施加通过电压，以接通所述未选择存储器单元。23.根据权利要求21或22所述的方法，还包括：对所述选择字线上的所述编程电压进行放电；在对所述选择字线上的所述编程电压进行放电之后，在所述选择字线上施加通过电压，以接通所述选择存储器单元；以及在所述选择字线上施加所述通过电压的同时，在所述ssg线上施加所述ssg电压。24.根据权利要求21或22所述的方法，还包括：对所述选择字线上的所述编程电压进行放电；以及在对所述选择字线上的所述编程电压进行放电的同时，在所述ssg线上施加所述ssg电压。25.根据权利要求24所述的方法，施加所述ssg电压包括在放电的编程电压仍然接通所述选择存储器单元时，施加所述ssg电压。26.根据权利要求21
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25中的任何一项所述的方法，其中，在所述选择字线上施加所述编程电压的同时，接收所述中断命令。

技术总结
在某些方面中，一种存储器器件包括：存储器串，存储器串包括漏极选择栅极(DSG)晶体管、多个存储器单元和源极选择栅极(SSG)晶体管；以及外围电路，外围电路耦合到存储器串。外围电路被配置为：响应于在对多个存储器单元中的选择存储器单元的编程操作期间的中断，接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个。外围电路还被配置为在接通DSG晶体管或SSG晶体管中的至少一个之后，暂停编程操作。暂停编程操作。暂停编程操作。


技术研发人员：杜智超 王瑜 李海波 姜柯 田野
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.05.19
技术公布日：2021/9/28