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一种PCB板免打孔的陶瓷波导负耦合结构的制作方法

2021-10-22 22:52:00 来源:中国专利 TAG:波导 打孔 耦合 陶瓷 结构

一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构
技术领域
1.本发明涉及陶瓷波导器技术领域,具体涉及一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构。


背景技术:

2.随着现代通信技术的发展,通信设备的小型化是一种必然的趋势,特别是在5g时代,通信设备的小型化显的尤为重要,在5g通信中,滤波器也一直在朝着小型化发展,然而陶瓷波导滤波器很好的解决了设备小型化要求,随着通信技术的发展,频谱资源越来越紧缺,通信频段间隔越来越近,相应的干扰也会越来越严重,所以相应的滤波设备要求对带外的抑制能力要求就越来越高。
3.在组装陶瓷波导负耦合结构时,需要将陶瓷介质谐振器安装在pcb板上,为避免设备短路,在安装前需要在pcb板上进行打孔,这样增加了生产成本的同时还降低了生产效率。


技术实现要素:

4.本发明的目的在于提供一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,包括陶瓷介质谐振器,所述陶瓷介质谐振器的顶端开设有两个调试孔,所述陶瓷介质谐振器的内部开设有耦合通孔,所述耦合通孔位于两个调试孔之间,所述耦合通孔自上而下分为第一负耦合孔和第二负耦合孔以及第三负耦合孔,第一负耦合孔和第二负耦合孔以及第三负耦合孔位于同一轴线,所述第二负耦合孔与第三负耦合孔的连接处设有去银层。
6.作为本发明的一种优选技术方案,所述第一负耦合孔的长度在陶瓷介质谐振器厚度的二分之一到六分之五之间。
7.作为本发明的一种优选技术方案,所述第三负耦合孔的长度在第一负耦合孔长度的五分之一到三分之一之间。
8.作为本发明的一种优选技术方案,所述第二负耦合孔的长度在第一负耦合孔的七分之一到五分之一之间。
9.作为本发明的一种优选技术方案,所述第一负耦合孔、第二负耦合孔以及第三负耦合孔的形状均为圆柱形。
10.作为本发明的一种优选技术方案,所述第二负耦合孔的直径在第一负耦合孔的直径的1.1到1.3倍。
11.作为本发明的一种优选技术方案,所述第三负耦合孔的直径在第一负耦合孔的四分之一到二分之一之间。
12.作为本发明的一种优选技术方案,所述去银层为圆形,所述去银层的直径在第三负耦合孔直径二分之一到六分之五之间。
13.与现有技术相比,本发明的有益效果是:
14.1、在安装陶瓷波导滤波器时,由于本发明的第三负耦合孔和第二负耦合孔的连接处设置有圆形的去银层,使得无需在pcb板上进行打孔,解决了去铜无避让问题,降低了生产成本。
15.2、本发明通过设置阶梯状的第一负耦合孔和第二负耦合孔以及第三负耦合孔,使得左右两个零点频率位置不趋于一致,解决了陶瓷波导滤波器难实现电容耦合的问题,提升对近端频率抑制的能力。
附图说明
16.图1为本发明的结构示意图;
17.图2为现有技术负耦合方案中pcb板的示意图;
18.图3为本发明负耦合方案中pcb板的示意图;
19.图4为现有技术负耦合方案的零点频率图;
20.图5为本发明负耦合方案的零点频率图。
21.图中:1、陶瓷介质谐振器;2、调试孔;3、耦合通孔;30、第一负耦合孔;31、第二负耦合孔;32、第三负耦合孔;4、去银层。
具体实施方式
22.下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
23.请参阅图1,本发明提供了一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构的技术方案:包括陶瓷介质谐振器1,陶瓷介质谐振器的顶端开设有两个调试孔2,陶瓷介质谐振器1的内部还开设有耦合通孔3,耦合通孔3位于两个调试孔2之间,耦合通孔3自上而下分为第一负耦合孔30和第二负耦合孔31以及第三负耦合孔32,第一负耦合孔30和第二负耦合孔31以及第三负耦合孔32位于同一轴线,第二负耦合孔31与第三负耦合孔32的连接处设有去银层4,参照图2,采用现有技术的耦合方案需要在pcb板上设孔洞,参照图3,采用本发明的耦合方案无需在pcb板上设孔洞,简化了生产组装的工序,同时pcb板上可以进行线路优化,解决了去铜无避让问题,降低了生产成本。
24.参照图4,现有技术中的负耦合的方法实现出来的左右两个零点频率位置比较一致,且零点频率很难进行由于在实际产品的使用中,通带的两边带外抑制要求可能不一致,有时需要一个零点更高,另外一个更低,所以零点频率位置出现很一致时反而使得产品设计及生产更难在装配。
25.参照图1,第一负耦合孔30的长度为陶瓷介质谐振器1厚度的二分之一,第三负耦合孔32的长度为第一负耦合孔30长度的五分之一,第二负耦合孔31的长度为第一负耦合孔30的七分之一,第一负耦合孔30、第二负耦合孔31以及第三负耦合孔32的形状均为圆柱形,第二负耦合孔31的直径为第一负耦合孔30的直径的1.1倍,第三负耦合孔32的直径为第一负耦合孔30的四分之一,去银层4呈圆形,去银层4的直径为第三负耦合孔32直径二分之一,
参照图5,采用本发明的负耦合的方法实现出来的左右两个零点频率位置不趋于一致,使得产品设计及生产容易装配。
26.具体使用时,本发明一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,采用本发明的负耦合的方法实现出来的左右两个零点频率位置不趋于一致,使得产品设计及生产容易装配,采用本发明的耦合方案无需在pcb板上设孔洞,简化了生产组装的工序,同时pcb板上可以进行线路优化,解决了去铜无避让问题,降低了生产成本。
27.在本发明的描述中,需要理解的是,指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
28.在本发明中,除非另有明确的规定和限定,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
29.尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。


技术特征:
1.一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,包括陶瓷介质谐振器(1),所述陶瓷介质谐振器的顶端开设有两个调试孔(2),其特征在于:所述陶瓷介质谐振器(1)的内部开设有耦合通孔(3),所述耦合通孔(3)位于两个调试孔(2)之间,所述耦合通孔(3)自上而下分为第一负耦合孔(30)和第二负耦合孔(31)以及第三负耦合孔(32),第一负耦合孔(30)和第二负耦合孔(31)以及第三负耦合孔(32)位于同一轴线,所述第二负耦合孔(31)与第三负耦合孔(32)的连接处设有去银层(4)。2.如权利要求1所述的一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,其特征在于:所述第一负耦合孔(30)的长度在陶瓷介质谐振器(1)厚度的二分之一到六分之五之间。3.如权利要求2所述的一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,其特征在于:所述第三负耦合孔(32)的长度在第一负耦合孔(30)长度的五分之一到三分之一之间。4.如权利要求3所述的一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,其特征在于:所述第二负耦合孔(31)的长度在第一负耦合孔(30)的七分之一到五分之一之间。5.如权利要求1-4任意一项所述的一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,其特征在于:所述第一负耦合孔(30)、第二负耦合孔(31)以及第三负耦合孔(32)的形状均为圆柱形。6.如权利要求5所述的一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,其特征在于:所述第二负耦合孔(31)的直径在第一负耦合孔(30)的直径的1.1到1.3倍。7.如权利要求6所述的一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,其特征在于:所述第三负耦合孔(32)的直径在第一负耦合孔(30)的四分之一到二分之一之间。8.如权利要求7所述的一种pcb板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,其特征在于:所述去银层(4)呈圆形,所述去银层(4)的直径在第三负耦合孔(32)直径二分之一到六分之五之间。

技术总结
本发明公开了一种PCB板免打孔的陶瓷波导负耦合结构,包括陶瓷介质谐振器,所述陶瓷介质谐振器的顶端开设有两个调试孔,所述陶瓷介质谐振器的内部开设有耦合通孔,所述耦合通孔位于两个调试孔之间,所述耦合通孔自上而下分为第一负耦合孔和第二负耦合孔以及第三负耦合孔,所述第二负耦合孔与第三负耦合孔的连接处设有去银层。在安装陶瓷波导滤波器时,由于本发明的第三负耦合孔和第二负耦合孔的连接处设置有圆形的去银层,使得无需在PCB板上进行打孔,解决了去铜无避让问题,降低了生产成本,本发明通过设置阶梯状的第一负耦合孔和第二负耦合孔以及第三负耦合孔,解决了陶瓷波导滤波器难实现电容耦合的问题,提升对近端频率抑制的能力。抑制的能力。抑制的能力。


技术研发人员:吴奎 陈荣达
受保护的技术使用者:苏州艾福电子通讯股份有限公司
技术研发日:2020.04.14
技术公布日:2021/10/21
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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