一种增强反射率的铝基反射膜的制作方法

1.本实用新型涉及铝反射膜技术领域，尤其是一种增强反射率的铝基反射膜。


背景技术：

2.目前技术人员对于反射膜反射率的要求越来越高，尤其是光学应用领域。现有技术中的反射膜一般由玻璃基片和其上的硫化锌、硒化锌、氧化镱膜层组成，这种锌化物反射膜在远红外和中红外波长范围，有吸收光能，所以存在反射率不高的缺点。


技术实现要素：

3.针对现有技术存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种增强反射率的铝基反射膜。
4.为实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：
5.一种增强反射率的铝基反射膜，包括：带有铝膜的基板，镀覆在所述铝膜上的若干层介质膜；所述介质膜包括氧化硅（sio2）膜和镀覆在所述sio2膜表面的氧化锆（zro2）膜，其中所述sio2膜镀覆在所述铝膜表面，所述zro2膜处于所述铝基反射膜的最外层。
6.进一步，所述介质膜的层数为2
‑
8层。
7.进一步，所述基板为k9玻璃。
8.本实用新型增强反射率的铝基反射膜，比现有反射膜的膜层强度高，在近红外和可见光范围内具有较高的反射率，可在近红外和可见光波长范围使用，使用范围得到了扩展。
附图说明
9.图1为本实用新型示例提供的增强反射率的铝基反射膜截面结构示意图；
10.图中：
11.1—基板；2—铝膜；3—介质膜；3
‑
1—sio2膜；3
‑
2—zro2膜。
具体实施方式
12.为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的方案，下面结合本实用新型示例中的附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的示例仅仅是本实用新型的一部分示例，而不是全部的示例。基于本实用新型中的示例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下，所获得的所有其他实施方式都应当属于本实用新型保护的范围。
13.如图1所示的示例，提供了本实用新型一种增强反射率的铝基反射膜，包括：带有铝膜2的基板1，镀覆在铝膜2上的若干层介质膜3；介质膜3包括sio2膜3
‑
1和镀覆在sio2膜2
‑
1表面的zro2膜3
‑
2，其中sio2膜3
‑
1镀覆在铝膜2上，zro2膜3
‑
2处于铝基反射膜的最外层。
14.本示例增强反射率的铝基反射膜，比现有反射膜的膜层强度高，在近红外和可见
光范围内具有较高的反射率，可在近红外和可见光波长范围使用，使用范围得到了扩展。
15.在介质膜3中，介质膜3的层数为2
‑
8层。介质膜3的层数越多，反射率越高，本领域技术人员可以根据反射率的要求决定介质膜3的层数。
16.参见图1，本示例中，介质膜3的层数为2层。
17.在本示例中，基板1为k9玻璃。k9玻璃是用k9料制成的玻璃制品，用于光学镀膜等领域。
18.本示例铝基反射膜可以采用以下方法制备：
19.一、加热，基板1的温度为200℃
‑
300℃时，在基板1表面镀铝膜2；
20.二、加温，铝膜2的温度200℃
‑
300℃时，在铝膜2表面镀2层介质膜3，具体包括：
21.①ꢀ
镀第一层介质膜3：在铝膜2表面镀第一层sio2膜3
‑
1；在第一层sio2膜3
‑
1表面镀第一层zro2膜3
‑
2；
22.②ꢀ
镀第二层介质膜3：在第一层zro2膜3
‑
2表面镀第二层sio2膜3
‑
1；在第二层sio2膜3
‑
1表面镀第二层zro2膜3
‑
2。
23.经过上述步骤，得到本示例的铝基反射膜。
24.在本实用新型的其他实施方式中，如果需要增强铝基反射膜的反射率，在铝膜2的表面需要镀覆更多层的介质膜3，仅需重复操作，将sio2膜3
‑
1和zro2膜3
‑
2间隔镀覆，使zro2膜3
‑
2处于铝基反射膜的最外层。
25.最后，可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的原理和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.一种增强反射率的铝基反射膜，其特征在于，包括：带有铝膜的基板，镀覆在所述铝膜上的若干层介质膜；所述介质膜包括sio2膜和镀覆在所述sio2膜表面的zro2膜，其中所述sio2膜镀覆在所述铝膜表面，所述zro2膜处于所述铝基反射膜的最外层。2.根据权利要求1所述的铝基反射膜，其特征在于，所述介质膜的层数为2
‑
8层。3.根据权利要求1所述的铝基反射膜，其特征在于，所述基板为k9玻璃。

技术总结
本实用新型公开了一种增强反射率的铝基反射膜，包括：带有铝膜的基板，镀覆在铝膜上的若干层介质膜；介质膜包括SiO2膜和镀覆在SiO2膜表面的ZrO2膜，其中SiO2膜镀覆在铝膜表面，ZrO2膜处于铝基反射膜的最外层。本实用新型增强反射率的铝基反射膜，比现有反射膜的膜层强度高，在近红外和可见光范围内具有较高的反射率，可在近红外和可见光波长范围使用，使用范围得到了扩展。围得到了扩展。围得到了扩展。


技术研发人员：刘景峰
受保护的技术使用者：北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
技术研发日：2021.03.09
技术公布日：2021/9/28