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高频模块和通信装置的制作方法

2021-11-25 10:16:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种高频模块,其特征在于,具备:模块基板,其具有彼此相向的第一主面和第二主面;功率放大器,其放大发送信号;以及第一电路部件,其中,所述功率放大器具有:第一放大元件和第二放大元件;第一变压器,其具有第一线圈和第二线圈;以及第二变压器,其具有第三线圈和第四线圈,其中,所述第二线圈的一端与所述第一放大元件的输入端子连接,所述第二线圈的另一端与所述第二放大元件的输入端子连接,所述第三线圈的一端与所述第一放大元件的输出端子连接,所述第三线圈的另一端与所述第二放大元件的输出端子连接,所述第四线圈的一端与所述功率放大器的输出端子连接,所述第一放大元件和所述第二放大元件配置于所述第一主面,所述第一电路部件配置于所述第二主面。2.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,所述第一电路部件是配置于所述第二主面的对接收信号进行放大的低噪声放大器。3.根据权利要求2所述的高频模块,其特征在于,所述第一放大元件、所述第二放大元件以及所述第一变压器包含于1个半导体集成电路,所述半导体集成电路配置于所述第一主面。4.根据权利要求2所述的高频模块,其特征在于,所述功率放大器还具有第三放大元件,所述第三放大元件配置于所述第一放大元件和所述第二放大元件的前级,与所述第一变压器连接,所述第一变压器配置于所述第二主面,在俯视所述模块基板的情况下,所述第三放大元件与所述第一变压器至少有一部分重叠。5.根据权利要求2所述的高频模块,其特征在于,所述功率放大器还具有第三放大元件,所述第三放大元件配置于所述第一放大元件和所述第二放大元件的前级,与所述第一变压器连接,所述第一变压器形成于所述模块基板的所述第一主面与所述第二主面之间的内部,在俯视所述模块基板的情况下,所述第三放大元件与所述第一变压器至少有一部分重叠。6.根据权利要求4或5所述的高频模块,其特征在于,还具备:配置于所述第二主面的多个外部连接端子;以及散热用通路导体,其与所述第一放大元件及所述第二放大元件的地电极连接,从所述第一主面起到达所述第二主面,所述散热用通路导体在所述第二主面与所述多个外部连接端子中的被设定为地电位的第一外部连接端子连接。7.根据权利要求6所述的高频模块,其特征在于,
在俯视所述模块基板的情况下,所述第一外部连接端子配置于所述第一变压器与所述低噪声放大器之间。8.根据权利要求2所述的高频模块,其特征在于,所述第二变压器配置于所述第一主面,在俯视所述模块基板的情况下,在所述第二主面上的与所述第二变压器重叠的区域没有配置电路部件。9.根据权利要求2所述的高频模块,其特征在于,所述第二变压器配置于所述第二主面,在俯视所述模块基板的情况下,在所述第一主面上的与所述第二变压器重叠的区域没有配置电路部件。10.根据权利要求2所述的高频模块,其特征在于,所述第二变压器形成于所述模块基板的所述第一主面与所述第二主面之间的内部,在俯视所述模块基板的情况下,在所述第一主面上的与所述第二变压器重叠的区域以及所述第二主面上的与所述第二变压器重叠的区域没有配置电路部件。11.根据权利要求2所述的高频模块,其特征在于,所述第二变压器形成于所述模块基板的所述第一主面与所述第二主面之间的内部,且形成为接近所述第一主面和所述第二主面中的一方,在俯视所述模块基板的情况下,在所述第一主面和所述第二主面中的所述一方的与所述第二变压器重叠的区域没有配置电路部件,在俯视所述模块基板的情况下,在所述第一主面和所述第二主面中的另一方的与所述第二变压器重叠的区域配置有电路部件。12.根据权利要求9所述的高频模块,其特征在于,在俯视所述模块基板的情况下,在所述第二变压器与所述低噪声放大器之间配置有被设定为地电位的外部连接端子。13.根据权利要求9所述的高频模块,其特征在于,还具备控制所述功率放大器的控制电路,所述控制电路配置于所述第一主面。14.一种通信装置,其特征在于,具备:天线;射频信号处理电路,其对利用所述天线发送接收的高频信号进行处理;以及根据权利要求1~13中的任一项所述的高频模块,其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。

技术总结
提供一种高频模块和通信装置。高频模块(1)具备:具有彼此相向的主面(91a及91b)的模块基板(91);功率放大器(10);以及第一电路部件,其中,功率放大器(10)具有:放大元件(12及13);以及具有初级侧线圈(15a)和次级侧线圈(15b)的输出变压器(15),其中,初级侧线圈(15a)的一端与放大元件(12)的输出端子连接,初级侧线圈(15a)的另一端与放大元件(13)的输出端子连接,次级侧线圈(15b)的一端与功率放大器(10A)的输出端子连接,放大元件(12及13)配置于主面(91a),第一电路部件配置于主面(91b)。(91b)。(91b)。


技术研发人员:中井一人 后藤聪 高桥秀享 吴大禄
受保护的技术使用者:株式会社村田制作所
技术研发日:2021.03.09
技术公布日:2021/11/24
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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