薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置与流程

技术特征：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；层叠设置在所述衬底上的半导体层、栅极绝缘层、栅极层和第一辅助层；所述半导体层、所述栅极绝缘层及所述栅极层位于所述衬底和所述第一辅助层之间；所述半导体层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；所述第一辅助层在所述衬底上的正投影覆盖所述栅极层在所述衬底上的正投影；所述第一辅助层在所述衬底上的正投影与所述栅极绝缘层在所述衬底上的正投影及所述沟道区在所述衬底上的正投影重合。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一辅助层包括第一图案和第二图案，所述第一图案位于所述第二图案的外围；所述第一图案在所述衬底上的正投影与所述栅极层在所述衬底上的正投影交叠；所述第一图案为绝缘图案。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一图案的材料为金属氧化物，所述第二图案的材料为金属。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一辅助层的材料为金属氧化物。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一辅助层的厚度为6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料为铟镓锌氧化物。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层、所述栅极绝缘层及所述栅极层依次层叠设置在所述衬底上。8.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1
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7任一项所述的薄膜晶体管。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅线，所述栅线远离所述衬底的一侧设置有第二辅助层；所述第二辅助层与所述第一辅助层同层设置。10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第二辅助层包括第三图案和第四图案，所述第三图案位于所述第四图案的两侧；所述第三图案在所述衬底上的正投影与所述栅线在所述衬底上的正投影交叠；所述第三图案为绝缘图案。11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8
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10任一项所述的阵列基板。12.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成层叠设置的半导体层、栅极绝缘薄膜、栅极薄膜及金属薄膜；所述半导体层、所述栅极绝缘薄膜及所述栅极薄膜位于所述衬底和所述金属薄膜之间；所述半导体层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；对所述金属薄膜进行图案化，形成第一辅助层；对所述栅极薄膜进行图案化，形成栅极层；所述第一辅助层在所述衬底上的正投影覆盖所述栅极层在所述衬底上的正投影；以所述第一辅助层作为掩膜，对所述栅极绝缘薄膜进行图案化，形成栅极绝缘层；所述
第一辅助层在所述衬底上的正投影与所述栅极绝缘层在所述衬底上的正投影重合；以所述第一辅助层作为掩膜，对所述半导体层进行导体化，限定出所述沟道区、所述源极区及所述漏极区；所述第一辅助层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合。13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法还包括：对所述第一辅助层进行氧化处理，以使得所述第一辅助层包括第一图案和第二图案，所述第一图案位于所述第二图案的外围；所述第一图案在所述衬底上的正投影与所述栅极层在所述衬底上的正投影交叠；所述第一图案的材料为金属氧化物。14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，对所述金属薄膜进行图案化，包括：在所述金属薄膜远离所述衬底的一侧形成光刻胶薄膜；利用半色调掩模版技术，对所述光刻胶薄膜进行图案化，形成中间厚外围薄的第一光刻胶层；所述第一光刻胶层外围薄的部分对应待形成的所述第一图案，所述第一光刻胶层中间厚的部分对应待形成的所述第二图案；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属薄膜，形成所述第一辅助层；对所述栅极薄膜进行图案化，包括：以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述栅极薄膜，形成所述栅极层；对所述第一辅助层进行氧化处理，包括：对所述第一光刻胶层进行灰化处理，保留所述第一光刻胶层中间厚的部分，形成第二光刻胶层；以所述第二光刻胶层为掩模，对所述第一辅助层中未被所述第二光刻胶层覆盖的部分进行氧化处理。15.根据权利要求12所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在衬底上形成层叠设置的半导体层、栅极绝缘薄膜、栅极薄膜及金属薄膜，包括：在所述衬底上形成依次层叠设置的所述半导体层、所述栅极绝缘薄膜、所述栅极薄膜及所述金属薄膜。

技术总结
本申请实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用于满足高分辨率显示装置的需求。薄膜晶体管包括：衬底；层叠设置在衬底上的半导体层、栅极绝缘层、栅极层和第一辅助层；半导体层、栅极绝缘层及栅极层位于衬底和第一辅助层之间；半导体层包括沟道区和位于沟道区两侧的源极区和漏极区；第一辅助层在衬底上的正投影覆盖栅极层在衬底上的正投影；第一辅助层在衬底上的正投影与栅极绝缘层在衬底上的正投影及沟道区在衬底上的正投影重合。影重合。影重合。


技术研发人员：张扬 闫梁臣 周斌 刘宁 方金钢 桂学海 宋嘉文 郭清化 刘志
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2021.08.27
技术公布日：2021/11/28