存储器装置及其操作方法与流程

技术特征：
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：多个存储器单元；外围电路，该外围电路被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作，其中，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的至少一个验证电压的验证操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述外围电路以使得在所述编程操作期间所述至少一个验证电压根据所述多个编程循环中的编程循环而增加。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路：在所述多个编程循环当中的第n编程循环中所包括的验证操作期间，将作为与所述多个存储器单元的多个所述目标编程状态当中的至少两种类型的目标编程状态对应的验证电压的第n循环验证电压施加到所述所选字线，其中，n是等于或大于1的自然数；并且在第(n 1)编程循环中所包括的验证操作期间，将分别从所述第n循环验证电压增加阶跃电压的第(n 1)循环验证电压施加到所述所选字线。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述阶跃电压根据与所述第(n 1)循环验证电压对应的目标编程状态的数量来确定。4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路在所述第(n 1)编程循环中所包括的所述验证操作中将所述第n循环验证电压中的一些施加到所述所选字线。5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述阶跃电压是根据与各个第(n 1)循环验证电压对应的目标编程状态而大小不同的电压。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，随着分别与所述至少两种类型的存储器单元的所述目标编程状态对应的阈值电压增加，所述阶跃电压具有更高的电压电平。7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，随着分别与各个第(n 1)循环验证电压所对应的所述目标编程状态对应的阈值电压降低，所述阶跃电压具有更高的电压电平。8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，多个所述第n循环验证电压当中的至少一个验证电压具有负电压电平。9.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，在所述第(n 1)编程循环中所包括的所述验证操作期间，随着所述第(n 1)循环验证电压的电压电平增加，所述第(n 1)循环验证电压首先被施加到所述所选字线。10.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括连接到多条字线的多个存储器单元；外围电路，该外围电路被配置为执行编程操作，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到所述多条字线当中的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的一些验证电压的验证操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述外围电路基于与所述一些验证电压对应的目标编程状态的数量来确定所述一些验证电压的电压电平并且使用所确定的一些验证电压
来执行所述编程操作。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路在所述多个编程循环当中的第(n 1)编程循环之前执行的第n编程循环中所包括的验证操作期间施加与施加到所述所选字线的至少两个验证电压所对应的存储器单元的目标编程状态不同的目标编程状态所对应的验证电压，并且在所述第(n 1)编程循环中所包括的验证操作期间基于与所述至少两个验证电压对应的所述存储器单元的所述目标编程状态施加与所述至少两个验证电压相比增加分别与所述至少两个验证电压对应的阶跃电压的第(n 1)循环验证电压。12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述阶跃电压基于在所述多个编程循环中与至少两个存储器单元的目标编程状态对应的各个验证电压被施加到所述所选字线的次数。13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑包括：计数器，该计数器被配置为对分别与所述多个存储器单元的所述目标编程状态对应的各个验证电压被施加到所述所选字线的次数进行计数；以及阶跃电压存储部，该阶跃电压存储部被配置为根据所述计数器的值的大小来存储所述阶跃电压的电平信息，并且其中，所述控制逻辑被配置为在所述第(n 1)编程循环中所包括的所述验证操作中基于与所述至少两个验证电压对应的计数器值来根据存储在所述阶跃电压存储部中的所述阶跃电压的所述电平信息确定分别与所述至少两个验证电压对应的所述阶跃电压。14.一种操作存储器装置的方法，该存储器装置执行将数据存储在多个存储器单元中的编程操作，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括编程电压施加操作和验证操作，该方法包括以下步骤：将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的字线；以及在所述验证操作中施加分别比在先前编程循环的验证操作中施加的多个验证电压增加阶跃电压的多个验证电压；其中，所述阶跃电压基于与要施加到所述字线的验证电压对应的目标编程状态的数量以及在所述先前编程循环的所述验证操作中施加的所述验证电压的电压电平来确定。15.根据权利要求14所述的方法，其中，要施加到所述字线的所述验证电压的所述电压电平的大小大于分别与施加到所述字线的所述目标编程状态对应的所述验证电压的电压电平。16.根据权利要求14所述的方法，该方法还包括以下步骤：检查与包括在所述字线中的所述多个存储器单元的所述目标编程状态对应的所有验证电压是否被施加到所述字线；以及确定与施加到所述字线的所述验证电压对应的目标编程状态的数量是否小于与要施加到所述字线的所述验证电压对应的目标编程状态的数量。17.根据权利要求14所述的方法，其中，生成要施加的所述验证电压的步骤包括以下步骤：根据与施加到所述字线的所述验证电压对应的所述存储器单元的所述目标编程状态来生成要施加到所述字线的多个验证电压，各个所述验证电压增加相同的阶跃电压。18.根据权利要求14所述的方法，该方法还包括以下步骤：
在所述多个编程循环之一中所包括的验证操作中，将具有正值的验证电压和具有负值的验证电压施加到所述字线。19.根据权利要求14所述的方法，其中，生成要施加的所述验证电压的步骤包括以下步骤：基于与要施加到所述字线的所述验证电压对应的目标编程状态的数量以及在分别包括在所述多个编程循环中的所述验证操作中与各个目标编程状态对应的所述验证电压被施加到所述字线的次数来生成要施加到所述字线的多个验证电压，多个所述验证电压分别从施加到所述字线的所述验证电压增加阶跃电压。20.一种存储器装置，该存储器装置包括：多个存储器单元；外围电路，该外围电路被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作，其中，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的至少一个验证电压的验证操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述外围电路以使得在所述验证操作期间，施加到所述所选字线的至少两个验证电压中的一些具有负电压电平，另一些具有正电压电平。

技术总结
本申请公开了存储器装置及其操作方法。本公开涉及一种包括多个存储器单元的存储器装置。该存储器装置还包括外围电路，该外围电路被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作，该编程操作包括多个编程循环，各个编程循环包括将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的至少一个验证电压的验证操作。该存储器装置另外包括控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路以使得在编程操作期间所述至少一个验证电压根据所述多个编程循环中的编程循环而增加。多个编程循环中的编程循环而增加。多个编程循环中的编程循环而增加。


技术研发人员：黄盛炫
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2021.02.19
技术公布日：2022/1/18