一种隔离型三电平DC/DC变换器的制作方法

技术特征：
1.一种隔离型三电平dc/dc变换器,其特征在于，包括：第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、第八晶体管t8、第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3、第四电容c4、第五电容c5、第六电容c6、第七电容c7、第八电容c8、第九电容c9、第十电容c10、谐振电感lr、谐振电容cr、高频隔离变压器tr、全桥整流电路、滤波电容cf、母线正极bus 、母线负极bus-、bus中点n；所述第一晶体管t1的漏极与母线正极bus 连接，其源极与第二晶体管t2的漏极连接；所述第二晶体管t2的源极与第三晶体管t3的漏极连接，第三晶体管t3的源极与第四晶体管t4的漏极连接，第四晶体管t4的源极与母线负极bus-连接；所述第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3、第四电容c4分别并联在所述第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4的源极和漏极的两端；所述第五晶体管t5的漏极与母线正极bus 连接，其源极与第六晶体管t6的漏极连接；所述第六晶体管t6的源极与第七晶体管t7的漏极连接，第七晶体管t7的源极与第八晶体管t8的漏极连接，第八晶体管t2的源极与母线负极bus-连接；所述第五电容c5、第六电容c6、第七电容c7、第八电容c8分别并联在所述第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、第八晶体管t8的漏极和源极的两端；所述第九电容c9的一端与母线正极bus 连接，另一端与第十电容c10的一端连接，第十电容c10的另一端与母线负极bus-连接；所述第二晶体管的源极与谐振电感lr的一端连接，谐振电感lr的另一端连接与所述谐振电容cr的一端连接，谐振电容cr的另一端与所述高频隔离变压器tr的原边线圈的一端连接，高频隔离变压器tr的原边线圈的另一端与第六晶体管的源极连接；所述高频隔离变压器tr的副边的两端分别与所述全桥整流电路的输入端连接，全桥整流电路的输出端分别与所述滤波电容cf的两端连接；所述第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7、第八晶体管t8的栅极用于和控制器连接，控制器用于输出pwm控制信号以控制各个晶体管的导通和关断。2.如权利要求1所述的隔离型三电平dc/dc变换器,其特征在于，所述全桥整流电路包括第一二极管d1、第二二极管d2、第三二极管d3、第四二极管d4以及电感lf；所述第一二极管d1的正极与所述高频隔离变压器tr副边的一端连接，第一二极管d1的副极与电感lf的一端连接，电感lf的另一端与电容cf的一端连接，电容cf的另一端与第三二极管d3的正极连接，第三二极管d3的负极与第一二极管d1的正极连接；所述第四二极管d4的正极与所述第三二极管d3的正极连接，第四二极管d4的负极与所述第二二极管d2的正极连接，所述第二二极管d2的负极与所述电感lf的一端连接；所述高频隔离变压器tr副边的另一端与所述第二二极管的正极连接。3.如权利要求2所述的隔离型三电平dc/dc变换器,其特征在于，还包括第五二极管d51、第六二极管d6、第十一电容c11；所述第六二极管d6的正极与所述第三晶体管的源极连接，第六二极管d6的负极与所述第五二极管d5的正极连接，第五二极管d5的负极与所述第十一电容c11的一端连接，第十一电容c11的另一端与所述第三晶体管t3的源极连接。4.如权利要求3所述的隔离型三电平dc/dc变换器,其特征在于，还包括第七二极管d7、
第八二极管d8和第十二电容c12；所述第八二极管d8的正极与第七晶体管的源极连接，第八二极管d8的负极与所述第七二极管的d7的正极连接，第七二极管d7的负极与所述第十二电容c12的一端连接，第十二电容c12的另一端与所述第七晶体管t7的源极连接；所述bus中点n与所述第七二极管d7的正极连接。

技术总结
本实用新型涉及电路设计技术领域，具体涉及一种隔离型三电平DC/DC变换器，依据本申请的隔离型三电平DC/DC变换器，在同一工况下使DC/DC变换器适合宽输入高电压的应用场合；两个桥臂上的开关管的电压应力均为输入电压的一半；整流二极管的电压应力仅为输出电压，可在全负载范围内实现零电压开关。在全负载范围内实现零电压开关。在全负载范围内实现零电压开关。


技术研发人员：符宇龙 刘刚 潘文武
受保护的技术使用者：深圳时代能创能源科技有限公司
技术研发日：2021.09.28
技术公布日：2022/1/18