一种芯片与衬板的连接方法、连接结构及电子器件与流程

技术特征：
1.一种芯片与衬板的连接方法，其特征在于，包括步骤：1)在芯片(1)上沉积第一金属层(2)；在衬板(5)上沉积第二金属层(4)；所述第一金属层(2)与第二金属层(4)之间的熔点差在预设范围内；2)将芯片(1)放置在衬板(5)上，使第一金属层(2)与第二金属层(4)之间接触，并对芯片(1)与衬板(5)之间施加预设压力，然后进行烧结，使得第一金属层(2)与第二金属层(4)发生固液互扩散，并生成金属间化合物，从而实现芯片(1)与衬板(5)之间的连接。2.根据权利要求1所述的芯片与衬板的连接方法，其特征在于，在步骤1)中，在熔点较低的金属层上沉积熔点较高的金属层，作为保护层(3)。3.根据权利要求1或2所述的芯片与衬板的连接方法，其特征在于，所述第一金属层(2)为in层，所述第二金属层(4)为ag层；或者所述第一金属层(2)为ag层，所述第二金属层(4)为in层。4.根据权利要求1或2所述的芯片与衬板的连接方法，其特征在于，在步骤1)中，对应熔点较低的金属层与熔点较高的金属层之间的厚度比例为0.2-0.9。5.根据权利要求1或2所述的芯片与衬板的连接方法，其特征在于，在步骤2)中，施加的预设压力为0.15-0.5mpa。6.根据权利要求1或2所述的芯片与衬板的连接方法，其特征在于，在步骤2)中，对应的烧结工艺包括：温度第一段设置50～150s升温至130～150℃，并保温5～10min；温度第二段设置150～250s升温至220～280℃，保证熔点较低的金属层的温度在200-250℃之间；温度恒定后保持10～30min；保温结束后释放芯片(1)与衬板(5)之间的压力，然后快速冷却，完成连接。7.一种芯片与衬板的连接结构，其特征在于，包括连接芯片(1)与衬板(5)的金属间化合物，其中金属间化合物通过两种熔点不同的金属层通过固液互扩散而得到。8.一种电子器件，包括芯片与衬板，其特征在于，还包括如权利要求7所述的芯片(1)与衬板(5)的连接结构，所述芯片(1)与衬板(5)之间通过连接结构实现连接。9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，所述衬板(5)包括依次布置的上铜层(501)、陶瓷层(502)和下铜层(503)。

技术总结
本发明公开了一种芯片与衬板的连接方法、连接结构及电子器件，此连接方法包括步骤：1)在芯片上沉积第一金属层；在衬板上沉积第二金属层；所述第一金属层与第二金属层之间的熔点差在预设范围内；2)将芯片放置在衬板上，使第一金属层与第二金属层之间接触，并对芯片与衬板之间施加预设压力，然后进行烧结，使得第一金属层与第二金属层发生固液互扩散，并生成金属间化合物，从而实现芯片与衬板之间的连接。本发明具有工艺简单、低温连接、高温服役、环境友好度高等优点。友好度高等优点。友好度高等优点。


技术研发人员：刘亮 戴小平 柯攀 曾亮 黄蕾 杜隆纯 刘洋
受保护的技术使用者：湖南国芯半导体科技有限公司
技术研发日：2021.09.23
技术公布日：2022/1/21