应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法与流程

技术特征：
1.应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法，其特征在于，所述方法包括：在预设尺寸的矩形平面中生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构；根据所述网栅结构中各正多边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环，且各圆环均不重叠或交错，并将处于圆环内部的正多边形的边消除；分别对各所述圆环的圆心位置进行随机偏移，同时还对各所述圆环的半径进行随机变化以生成圆环-多边形混合随机金属网栅结构。2.根据权利要求1所述的金属网栅结构设计方法，其特征在于，所述正多边形为正六边形。3.根据权利要求2所述的金属网栅结构设计方法，其特征在于，生成多个边数相等的正多边形周期性排布的网栅结构包括：获取矩形平面水平方向尺寸、垂直方向尺寸以及正六边形的预设边长；根据所述正六边形的预设边长分别与所述矩形平面水平方向尺寸以及垂直方向尺寸进行计算，得到所述网栅结构在预设尺寸的矩形平面中水平方向以及垂直方向的顶点数量；根据所述水平方向以及垂直方向的顶点数量进行计算，得到各所述正六边形的各顶点的位置坐标；按照各顶点的位置坐标，将各个相邻的顶点进行连接以生成多个边数相等的正六边形周期性排布的网栅结构。4.根据权利要求3所述的金属网栅结构设计方法，其特征在于，根据所述正六边形的预设边长以及所述矩形平面水平方向尺寸进行计算，得到预设尺寸的矩形平面中水平方向的顶点数量，采用以下公式：i＝abs(size_l/(1.5l)) 1根据所述正六边形的预设边长以及所述矩形平面垂直方向尺寸进行计算，得到预设尺寸的矩形平面中垂直方向的顶点数量，采用以下公式：在以上两个公式中，size_l为矩形平面水平方向尺寸，size_v为矩形平面垂直方向尺寸，l为正六边形的预设边长，i为水平方向的顶点数量，j为垂直方向的顶点数量，abs()表示取其绝对值。5.根据权利要求4所述的金属网栅结构设计方法，其特征在于，根据所述水平方向以及垂直方向的顶点数量进行计算，得到各所述正六边形的各顶点的位置坐标包括：各所述顶点位置为二维矩阵j
×
i分布，则各所述顶点所在位置表示为(p_l
ji
,p_v
ji
)，其中p_l
ji
表示顶点水平方向的坐标，p_v
ji
表示顶点垂直方向的坐标；当计算的第i个顶点为奇数而对应的j为偶数时，则采用公式：p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)-l/4；当对应的j为奇数，则采用公式：p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1) l/4；当计算的第i个顶点为偶数而对应的j为偶数时，则采用公式：p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1) l/4；当对应的j为奇数，则采用公式：p_l
ji
＝1.5l
×
(i-1)-l/4；
而在计算顶点垂直方向的坐标时，则采用公式：6.根据权利要求5所述的金属网栅结构设计方法，其特征在于，根据所述网栅结构中各正多边形的各顶点为圆心分别生成半径相等的圆环时，此时生成圆环的半径应小于或等于正六边形边长的一半。7.根据权利要求6所述的金属网栅结构设计方法，其特征在于，所述对各所述圆环的圆心位置进行随机偏移包括对圆心位置在水平方向和垂直方向进行随机偏移，采用以下公式：sp_l
j,i
＝p_l
j,i
0.75
×
l
×
(2
×
rand(1)-1)
×
factor1/2在上式中，sp_l
ji
为水平方向随机偏移后的圆心位置，sp_v
ji
为垂直方向随机偏移后的圆心位置，p_l
ji
为偏移前水平方向圆心位置，p_v
ji
为偏移前垂直方向的圆心位置，rand(1)为均匀随机生成任意数值的函数，factor1为圆心偏移系数，通过调整所述偏移系数的大小以随机调节圆心偏移的幅度大小。8.根据权利要求7所述的金属网栅结构设计方法，其特征在于，所述对各所述圆环的半径进行随机变化采用以下公式：r0_rand
ji
＝r0
ji
×
factor2 r0
ji
×
(1-factor2)
×
rand(1)在上式中，r0_rand
ji
为任意圆环半径大小随机调整后的半径大小，rand(1)为均匀随机生成任意数值的函数，factor2为半径缩放因子，通过调整所述缩放因子的大小来调整随机圆环半径大小的范围。9.根据权利要求7所述的金属网栅结构设计方法，其特征在于，根据所述rand(1)函数均匀随机生成的任意数值在0-1之间；所述圆心偏移系数factor1以及半径缩放因子factor2的取值均在0-1之间。

技术总结
本申请涉及一种应用于透明电磁屏蔽的混合随机结构金属网栅生成方法。所述方法包括：通过先在预设的矩形平面内生成周期性排列的多个正多边形的网栅结构，再根据各正多边形的顶点为圆心生成圆环，最后对各圆环的圆心位置均进行随意的偏移同时还对各圆环的半径大小进行随机的变化最后生成圆环-多边形混合随机金属网栅结构。在整个结构图案生成过程中，叠加了两次随机变量，因此最后得到的网栅结构图案的随机性得到了极大的增强，这样可以更好的消除莫尔条纹以提高成像质量。消除莫尔条纹以提高成像质量。消除莫尔条纹以提高成像质量。


技术研发人员：廖敦微 郑月军 崔浩 付云起 陈强 丁亮 高冕
受保护的技术使用者：中国人民解放军国防科技大学
技术研发日：2021.11.17
技术公布日：2022/2/8