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一种表征缺陷植入及检出能力的矩阵控制方法与流程

2022-03-01 21:33:27 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种表征缺陷植入及检出能力的矩阵控制方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)完成基础度量指标的定义;(2)完成各过程片段缺陷植入导出指标定义及性能基线的统计分析;(3)完成缺陷检出度量指标的定义;(4)完成缺陷植入检出矩阵状态的展示。2.根据权利要求1所述的一种表征缺陷植入及检出能力的矩阵控制方法,其特征在于,步骤(1)所述的基础度量指标包括项目规模、需求过程引入缺陷数、设计过程引入缺陷数、实现过程引入缺陷数、需求过程检出缺陷数、设计过程检出缺陷数、实现过程检出缺陷数、集成过程检出缺陷数、配置项和系统测试过程检出缺陷数、内部补差过程检出缺陷数、内部泄漏缺陷数、外部泄漏缺陷数。3.根据权利要求1所述的一种表征缺陷植入及检出能力的矩阵控制方法,其特征在于,所述步骤(2)具体为:(2.1)对缺陷引入的过程分别定义导出指标“缺陷引入密度”,所述缺陷引入的过程具体为需求过程、设计过程、实现过程,所述导出指标具体为需求过程引入缺陷密度(个/功能点)、设计过程引入缺陷密度(个/功能点)、实现过程引入功能点(个/功能点);(2.2)对已经交付项目的软件,进行基础数据的统计,所述基础数据包括项目规模(功能点)、需求过程引入的缺陷数(个)、设计过程引入的缺陷数(个)、实现过程引入的缺陷数(个);分别计算得到导出指标:需求引入缺陷密度(个/功能点)=需求过程引入缺陷数/项目规模设计引入缺陷密度(个/功能点)=设计过程引入缺陷数/项目规模实现引入缺陷密度(个/功能点)=实现过程引入缺陷数/项目规模(2.3)对计算的过程引入缺陷密度导出指标,采用数值统计方法,进行基线值的统计,得到均值及标准差。4.根据权利要求1所述的一种表征缺陷植入及检出能力的矩阵控制方法,其特征在于,所述步骤(3)具体为:(3.1)过程pce指标的定义:需求过程pce=需求过程检出缺陷数/需求过程引入缺陷数设计过程pce=设计过程检出缺陷数/设计过程引入缺陷数实现过程pce=实现过程检出缺陷数/实现过程引入缺陷数;(3.2)过程dce指标的定义:集成过程dce=集成过程检出缺陷数/(集成过程检出缺陷数 测试过程检出缺陷数 内部补差过程检出缺陷数 内部泄漏缺陷数 外部泄漏缺陷数)测试过程dce=测试过程检出缺陷数/(测试过程检出缺陷数 内部补差过程检出缺陷数 内部泄漏缺陷数 外部泄漏缺陷数);(3.3)tce及tce'指标定义:tce=(需求过程检出缺陷数 设计过程检出缺陷数 实现过程检出缺陷数 集成过程检出缺陷数 测试过程检出缺陷数)/(需求过程检出缺陷数 设计过程检出缺陷数 实现过程检出缺陷数 集成过程检出缺陷数 测试过程检出缺陷数 内部补差过程检出缺陷数 内部泄漏缺陷数 外部泄漏缺陷数)
tce'=(需求过程检出缺陷数 设计过程检出缺陷数 实现过程检出缺陷数 集成过程检出缺陷数 测试过程检出缺陷数 内部补差过程检出缺陷数)/(需求过程检出缺陷数 设计过程检出缺陷数 实现过程检出缺陷数 集成过程检出缺陷数 测试过程检出缺陷数 内部补差过程检出缺陷数 内部泄漏缺陷数 外部泄漏缺陷数)。5.根据权利要求1所述的一种表征缺陷植入及检出能力的矩阵控制方法,其特征在于,所述步骤(4)具体为:(4.1)利用finereport软件,完成缺陷植入检出矩阵展示样式的前台设计,并在除灰色单元格之外的位置,按照上述指标的定义,将相应的计算公式定义到单元格中;(4.2)根据项目的估计规模,根据过程缺陷引入密度基线,完成项目预计引入缺陷数的估计;(4.3)从缺陷统计的数据库中将缺陷记录读取出来,所述缺陷记录包括缺陷的归属项目、归属版本、引入过程、检出过程;通过单元格中定义的计算公式及过滤条件,完成缺陷实际检出个数的展示。6.一种计算机存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-5中任一项所述的一种表征缺陷植入及检出能力的矩阵控制方法。7.一种计算机设备,包括储存器、处理器及存储在存储器上并可再处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-5中任一项所述的一种表征缺陷植入及检出能力的矩阵控制方法。

技术总结
本发明公开了一种表征缺陷植入及检出能力的矩阵控制方法,包括以下步骤:(1)完成基础度量指标的定义;(2)完成各过程片段缺陷植入导出指标定义及性能基线的统计分析;(3)完成缺陷检出度量指标的定义;(4)完成缺陷植入检出矩阵状态的展示。本发明充分挖掘组织级缺陷测量数据的价值,并将其运用到后续软件研发的过程中;本发明以一种直观的数字矩阵表征项目当前缺陷的整体植入及检出状态,指导项目在研发过程中及时作出调整,尽量将软件缺陷抑制在内部,降低用户外场缺陷的风险。降低用户外场缺陷的风险。降低用户外场缺陷的风险。


技术研发人员:张越兵 徐凯健 韩伟峰 周月平
受保护的技术使用者:中国航发控制系统研究所
技术研发日:2021.10.14
技术公布日:2022/2/28
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