一种沟槽栅IGBT器件的制作方法

技术特征：
1.一种沟槽栅igbt器件，其特征在于，包括从下到上依次设置的阳极区、缓冲区、漂移区、n阱区和p阱区，还包括从上到下贯穿所述n阱区和p阱区且伸入所述漂移区的沟槽栅以及设置在所述漂移区顶部与所述n阱区连接的深p阱区。2.如权利要求1所述沟槽栅igbt器件，其特征在于，所述深p阱区的结深大于所述沟槽栅的结深。3.如权利要求2所述沟槽栅igbt器件，其特征在于，所述深p阱区的结深与所述沟槽栅的结深差值为7um～8um。4.如权利要求3所述沟槽栅igbt器件，其特征在于，所述深p阱区与所述结深大于等于结宽。5.如权利要求4所述沟槽栅igbt器件，其特征在于，所述深p阱区的纵截面为半椭圆形或梯形。6.如权利要求5所述沟槽栅igbt器件，其特征在于，所述深p阱区与相邻的两个所述沟槽栅的横向间距相等。7.如权利要求6所述沟槽栅igbt器件，其特征在于，所述阳极区为n 接触分区与p型接触分区横向交替设置的阳极区。8.如权利要求7所述沟槽栅igbt器件，其特征在于，所述n 接触分区的掺杂浓度为1e19cm-3～1e21cm-3。9.如权利要求8所述沟槽栅igbt器件，其特征在于，多个所述深p阱区沿着与所述沟槽栅的横向延伸方向周期性间隔设置。10.如权利要求9所述沟槽栅igbt器件，其特征在于，还包括设置在所述漂移区、包围所述沟槽栅的假栅底部且顶部与所述n阱区连接的假栅深p阱区。

技术总结
本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件，包括从下到上依次设置的阳极区、缓冲区、漂移区、N阱区和P阱区，还包括从上到下贯穿所述N阱区和P阱区且伸入所述漂移区的沟槽栅以及设置在所述漂移区顶部与所述N阱区连接的深P阱区。通过在IGBT器件的漂移区设置与N阱区连接的深P阱区，由于深P阱区处在沟槽栅IGBT非沟道区，可以将沟槽栅氧化层底部的电场峰值转移至深P阱区，使雪崩击穿点远离寄生晶闸管电流通路，进而提升沟槽栅IGBT的安全工作区，提升IGBT器件的性能，结构简单。结构简单。结构简单。


技术研发人员：朱利恒 肖强 覃荣震 罗海辉
受保护的技术使用者：株洲中车时代半导体有限公司
技术研发日：2020.08.27
技术公布日：2022/2/28