分栅式闪存存储器及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述分栅式闪存存储器的制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧暴露出部分所述半导体衬底，暴露的所述半导体衬底中形成有离子未激活的源漏区；对所述半导体衬底进行热处理，以形成至少覆盖所述栅极结构的侧壁的氧化保护层，并激活所述源漏区中的掺杂离子；形成栅极侧墙，所述栅极侧墙覆盖所述氧化保护层的侧壁。2.如权利要求1所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述氧化保护层的材料为氧化硅，所述热处理为热氧化处理。3.如权利要求2所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述热氧化处理的工艺气体包括氧气，工艺温度为900℃～1000℃，工艺时间为5s～15s。4.如权利要求1所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述氧化保护层的材料为氮氧化硅，所述热处理为氮氧化处理。5.如权利要求4所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述氮氧化处理的工艺气体包括一氧化二氮、氧化氮和二氧化氮中的至少一种，工艺温度为900℃～1200℃，工艺时间为5s～15s。6.如权利要求1所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，在对所述半导体衬底进行热处理之前，还在所述栅极结构上形成掩膜侧墙；以及，在形成所述掩膜侧墙之后，还形成字线栅，所述字线栅在厚度方向上贯穿所述掩膜侧墙及所述栅极结构。7.如权利要求6所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述字线栅之后，所述栅极侧墙还覆盖所述掩膜侧墙远离所述字线栅的侧壁；以及，在形成所述氧化保护层之后，所述氧化保护层还覆盖所述栅极结构两侧的所述半导体衬底的表面以及所述字线栅的表面。8.如权利要求7所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述栅极侧墙包括依次层叠的第一栅极侧墙、第二栅极侧墙和第三栅极侧墙，所述第一栅极侧墙覆盖所述掩膜侧墙远离所述字线栅的侧壁以及所述氧化保护层的侧壁，其中，所述第一栅极侧墙的材料和所述第三栅极侧墙的材料均为氧化硅，所述第二栅极侧墙的材料为氮化硅。9.如权利要求1所述的分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述栅极结构包括自下而上依次层叠的浮栅氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层。10.一种分栅式闪存存储器，其特征在于，所述分栅式闪存存储器包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧暴露出部分所述半导体衬底，暴露出的所述半导体衬底中形成有源漏区；氧化保护层，所述氧化保护层至少覆盖所述栅极结构的侧壁；栅极侧墙，所述栅极侧墙覆盖所述氧化保护层的侧壁。

技术总结
本发明提供一种分栅式闪存存储器及其制造方法，通过对半导体衬底进行热处理，来形成至少覆盖栅极结构的侧壁的氧化保护层，通过所述热处理形成的氧化保护层具有较高的致密性，可以对栅极结构中的电子起到较好的阻挡作用，防止栅极结构中的电子流失。进一步的，氧化保护层与其侧壁上的栅极侧墙相配合，可以进一步增加对栅极结构中电子的阻挡，从而有效防止栅极结构中的电子流失，进而提高分栅式闪存存储器的数据保持能力和可靠性。此外，在对所述半导体衬底进行热处理时，还能够激活半导体衬底中的源漏区中的掺杂离子，故可以省去用于激活掺杂离子的退火工艺，节省工艺制程及工艺时间，提高制程效率。提高制程效率。提高制程效率。


技术研发人员：付博 曹启鹏 王卉 曹子贵
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2021.11.26
技术公布日：2022/3/1