半导体部件的制造方法以及半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体部件的制造方法，测定包含第一导电型的第一半导体层在内的半导体基板的第一质量，在所述第一半导体层的上表面形成第一开口，测定形成有所述第一开口的所述半导体基板的第二质量，在所述第一开口的内部形成第二导电型的第二半导体层时，使所述第二半导体层中的第二导电型的杂质浓度根据所述第一质量与所述第二质量的质量差而变化。2.根据权利要求1所述的半导体部件的制造方法，其中，在所述第一开口的形成中，在所述上表面之上形成具有第二开口的第一层，该第二开口与形成所述第一开口的位置对应地设置，测定沿所述上表面的第一方向上的所述第二开口的长度，将所述第一层用作掩模而形成所述第一开口，在形成所述第二半导体层时，使所述第二半导体层中的第二导电型的所述杂质浓度进一步根据所述长度而变化。3.根据权利要求1或2所述的半导体部件的制造方法，其中，所述第二半导体层是将包含半导体材料的第一气体和包含第二导电型的杂质的第二气体供给至所述半导体基板而形成的，在形成所述第二半导体层时，通过使所述第二气体的流量或压力根据所述质量差而变化，从而使所述第二半导体层中的第二导电型的所述杂质浓度变化。4.根据权利要求1或2所述的半导体部件的制造方法，其中，所述第一开口在沿着所述上表面的第一方向上形成有多个。5.根据权利要求1或2所述的半导体部件的制造方法，其中，所述第一半导体层以及所述第二半导体层包含从由硅、碳化硅以及氮化镓构成的组中选择的至少1种。6.一种半导体装置的制造方法，实施权利要求1至5中任一项所述的半导体部件的制造方法，在所述第一半导体层的所述上表面以及所述第二半导体层的上表面形成第二导电型的第一半导体区域，在所述第一半导体层之上形成栅极电极，在所述第一半导体区域的上表面形成第一导电型的第二半导体区域，在所述第二半导体区域之上形成与所述第二半导体区域电连接的第一电极，在所述第一半导体层之下形成与所述第一半导体层电连接的第二电极。

技术总结
实施方式提供能够减少杂质量差的半导体部件的制造方法以及半导体装置的制造方法。在实施方式的半导体部件的制造方法中，测定包含第一导电型的第一半导体层的半导体基板的第一质量。在所述第一半导体层的上表面形成第一开口。测定形成有所述第一开口的所述半导体基板的第二质量。在所述第一开口的内部形成第二导电型的第二半导体层时，使所述第二半导体层中的第二导电型的杂质浓度根据所述第一质量与所述第二质量的质量差而变化。与所述第二质量的质量差而变化。与所述第二质量的质量差而变化。


技术研发人员：横山昇 佐藤和幸
受保护的技术使用者：东芝电子元件及存储装置株式会社
技术研发日：2021.01.22
技术公布日：2022/3/18