结构体的制造方法与流程

技术特征：
1.一种结构体的制造方法，其具有如下工序：对至少表面由iii族氮化物构成的构件的所述表面实施第一蚀刻的工序；以及对实施了所述第一蚀刻的所述表面实施第二蚀刻的工序，在实施所述第一蚀刻的工序中，在所述表面形成因被蚀刻而新出现的平坦部、以及因与所述平坦部相比难以被蚀刻而产生的相对于所述平坦部隆起的凸部，在实施所述第二蚀刻的工序中，通过蚀刻所述凸部而使所述凸部变低。2.根据权利要求1所述的结构体的制造方法，其中，所述凸部形成在与构成所述构件的iii族氮化物的位错对应的位置。3.根据权利要求1或2所述的结构体的制造方法，其中，所述表面由iii族氮化物的c面构成，所述第一蚀刻从相对于所述表面为垂直的方向对iii族氮化物进行蚀刻，所述第二蚀刻从相对于c面为非垂直的方向对所述凸部进行蚀刻。4.根据权利要求3所述的结构体的制造方法，其中，所述第一蚀刻为光电化学蚀刻。5.根据权利要求3或4所述的结构体的制造方法，其中，所述第二蚀刻是使用酸性或碱性的蚀刻液的湿蚀刻。6.根据权利要求1～5中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述第一蚀刻从相对于所述表面为垂直的方向对iii族氮化物进行蚀刻，所述第二蚀刻将所述凸部机械去除。7.根据权利要求6所述的结构体的制造方法，其中，所述第一蚀刻为光电化学蚀刻。8.根据权利要求6或7所述的结构体的制造方法，其中，所述第二蚀刻为鼓泡清洗。9.根据权利要求6～8中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述第二蚀刻为刷洗。10.根据权利要求1～9中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述第一蚀刻为光电化学蚀刻，通过从上方对所述表面照射紫外光，从而从相对于所述表面为垂直的方向对iii族氮化物进行蚀刻。11.根据权利要求1～10中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述第二蚀刻中，不对所述表面照射紫外光。12.根据权利要求1～11中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述第二蚀刻中，相对于所述平坦部，选择性地对所述凸部进行蚀刻。13.根据权利要求1～12中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述第一蚀刻为光电化学蚀刻，所述光电化学蚀刻的蚀刻液为包含接受电子的氧化剂的、碱性或酸性的蚀刻液。14.根据权利要求1～13中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述第一蚀刻为光电化学蚀刻，所述第一蚀刻中，从所述表面起至所述光电化学蚀刻的蚀刻液的上表面为止的距离为1mm以上且100mm以下。15.根据权利要求1～14中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述第一蚀刻为光电化学蚀刻，所述第一蚀刻中，以在所述表面上配置有掩膜的状态进行所述光电化学蚀刻，所述光电化学蚀刻的蚀刻液为酸性的蚀刻液，
所述掩膜为抗蚀剂掩膜。16.根据权利要求1～15中任一项所述的结构体的制造方法，其中，所述第一蚀刻为光电化学蚀刻，所述光电化学蚀刻以在所述表面上配置有掩膜和导电性构件的状态进行，所述掩膜由非导电性材料构成，所述导电性构件以与所述构件的导电性区域的表面的至少一部分接触的方式设置，所述构件的导电性区域与要实施所述光电化学蚀刻的区域电连接，所述导电性构件的至少一部分以与所述光电化学蚀刻的蚀刻液接触的方式设置。17.根据权利要求1～16中任一项所述的结构体的制造方法，其中，交替地反复进行所述第一蚀刻和所述第二蚀刻。18.根据权利要求1～17中任一项所述的结构体的制造方法，其中，边使所述第二蚀刻中使用的蚀刻液生成液流边进行所述第二蚀刻。19.根据权利要求1～18中任一项所述的结构体的制造方法，其中，边对所述第二蚀刻中使用的蚀刻液施加振动边进行所述第二蚀刻。

技术总结
结构体的制造方法具有如下工序：对至少表面由III族氮化物构成的构件的表面实施第一蚀刻的工序；以及，对实施了第一蚀刻的表面实施第二蚀刻的工序，在实施第一蚀刻的工序中，在表面形成因被蚀刻而新出现的平坦部和因与平坦部相比难以被蚀刻而产生的、相对于平坦部隆起的凸部，在实施第二蚀刻的工序中，通过蚀刻凸部而使凸部变低。凸部而使凸部变低。凸部而使凸部变低。


技术研发人员：堀切文正 福原昇
受保护的技术使用者：住友化学株式会社
技术研发日：2020.07.06
技术公布日：2022/3/18