存储器装置的控制方法与流程

技术特征：
1.一种存储器装置的控制方法，其特征在于，该存储器装置的控制方法包括下列步骤：a.提供一反相资料以标记一记忆区块的第一资料为反相状态或非反相状态，该反相资料具有至少两个位元；b.在要写入一第二资料时，依据该第一资料及该反相资料决定将该第二资料或一第三资料写入该记忆区块，该第三资料为该第二资料的反相；c.在监测到该记忆区块中有不佳位元时，将该至少两个位元的其中至少一个变更为非0及非1的资料状态；以及d.从多个备用区块中选取其中一个取代该记忆区块，该反相资料标记所选取的备用区块。2.根据权利要求1所述存储器装置的控制方法，其特征在于，当第一资料被标记为非反相状态时，该步骤b包括下列步骤：将该第一资料与该第二资料进行比对，其中该第一资料及该第二资料皆具有一第一数量的位元；计算该第一资料及该第二资料中位置相同但资料状态不同的位元的数量，以产生一第二数量；若该第二数量小于该第一数量的一半，将该第二资料写入该记忆区块中；以及若该第二数量大于该第一数量的一半，将该第三资料写入该记忆区块中，以及变更该反相资料以将写入该记忆区块的该第三资料标记为反相状态。3.根据权利要求2所述存储器装置的控制方法，其特征在于，比对该第一资料与该第二资料的步骤包括：将该第一资料储存至一第一缓冲器；将该第二资料储存至一第二缓冲器；以及比对该第一缓冲器中的第一资料与该第二缓器中的第二资料。4.根据权利要求2所述存储器装置的控制方法，其特征在于，变更该反相资料时，依照一预设顺序变更该反相资料的该至少两个位元的其中一个。5.根据权利要求1所述存储器装置的控制方法，其特征在于，当该第一资料被标记为反相状态时，该步骤b包括下列步骤：将该第二资料反相产生该第三资料；将该第一资料与该第三资料进行比对，该第一资料、该第二资料及该第三资料皆具有一第一数量的位元；计算该第一资料及该第三资料中位置相同但资料状态不同的位元的数量，以产生一第二数量；若该第二数量小于该第一数量的一半，将该第三资料写入该记忆区块中；以及若该第二数量大于该第一数量的一半，将该第二资料写入该记忆区块中，以及变更该反相资料以将写入该记忆区块的第二资料标记为非反相状态。6.根据权利要求5所述存储器装置的控制方法，其特征在于，比对该第一资料及该第三资料的步骤包括：将该第一资料储存至一第一缓冲器；将该第三资料储存至一第二缓冲器；以及
比对该第一缓冲器中的该第一资料与该第二缓器中的该第三资料。7.根据权利要求5所述存储器装置的控制方法，其特征在于，变更该反相资料时，依照一预设顺序变更该反相资料的该至少两个位元的其中一个。

技术总结
本发明公开了一种存储器装置的控制方法，所述存储器装置的控制方法利用一反相资料来标记储存在一记忆区块中的资料为反相状态或非反相状态，以使该记忆区块在写入资料时，该记忆区块中变更资料状态的位元数量不会大于该记忆区块的总位元数的一半，减少能量消耗。本发明的控制方法还可以利用该反相资料来标记具有不佳位元的记忆区块以及选择修复该具有不佳位元的记忆区块的备用区块。有不佳位元的记忆区块的备用区块。有不佳位元的记忆区块的备用区块。


技术研发人员：柯昱州 郑世宏 陈俊嘉
受保护的技术使用者：珠海南北极科技有限公司
技术研发日：2020.11.05
技术公布日：2022/3/18