体声波谐振装置的形成方法与流程

技术特征：
1.一种体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：形成第一层，形成所述第一层包括：提供第一基底；一体形成第一电极材料层、压电层以及第二电极材料层，其中，所述第二电极材料层位于所述第一基底上，所述压电层位于所述第二电极材料层上，所述第一电极材料层位于所述压电层上；对所述第一电极材料层进行第一图形化处理，形成第一电极层；在所述压电层上形成空腔预处理层，用于形成空腔，所述空腔预处理层至少覆盖所述第一电极层的第一端，其中，所述第一层的第一侧对应所述第一基底侧，所述第一层的第二侧对应所述空腔预处理层侧；形成第二层，形成所述第二层包括：提供第二基底；接合所述第一层和所述第二层，其中，所述第二层位于所述第二侧；去除所述第一基底；以及对所述第二电极材料层进行第二图形化处理，形成第二电极层。2.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成所述空腔预处理层包括：形成牺牲层，位于所述压电层上，所述牺牲层至少覆盖所述第一电极层的第一端。3.如权利要求2所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括以下至少之一：聚合物、二氧化硅、掺杂二氧化硅、多晶硅。4.如权利要求3所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述聚合物包括以下至少之一：苯并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶、聚酰亚胺。5.如权利要求2所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成所述空腔预处理层还包括：形成第一中间层，位于所述压电层上方，所述第一中间层至少覆盖所述牺牲层，所述第二侧对应所述第一中间层侧。6.如权利要求5所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第一中间层还覆盖所述第一电极层的第二端。7.如权利要求5所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第一中间层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。8.如权利要求7所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述聚合物包括以下至少之一：苯并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶、聚酰亚胺。9.如权利要求7所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述绝缘电介质包括以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。10.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述压电层的材料包括以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。11.如权利要求5所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成所述第二层还包括：形成第二中间层，位于所述第二基底上方。12.如权利要求11所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第二中间层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。13.如权利要求12所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述聚合物包括以下至少之一：苯并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶、聚酰亚胺。14.如权利要求12所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述绝缘电介质包括以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
15.如权利要求11所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成所述第二层还包括：形成薄层，位于所述第二基底与所述第二中间层之间。16.如权利要求15所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述薄层包括：多晶薄层。17.如权利要求16所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述多晶薄层的材料包括以下至少之一：多晶硅、多晶氮化硅、多晶碳化硅。18.如权利要求11所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，接合所述第一层和所述第二层包括：键合所述第一中间层和所述第二中间层，形成第三中间层。19.如权利要求18所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第三中间层的厚度包括：0.1微米至10微米。20.如权利要求5所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，在形成所述第二电极层之后，还包括：去除所述牺牲层，形成所述空腔，其中，所述第一电极层的第一端位于所述空腔中。

技术总结
一种体声波谐振装置的形成方法，涉及半导体制造技术领域，包括：形成第一层，形成第一层包括：提供第一基底；一体形成第一电极材料层、压电层以及第二电极材料层；形成第一电极层；在压电层上形成空腔预处理层；形成第二层，形成第二层包括：提供第二基底；接合第一层和第二层；去除第一基底；形成第二电极层。压电层位于第二电极材料层上，第二电极材料层表面平坦，因此使压电层不包括明显转向的晶体，有助于提高谐振装置的机电耦合系数及谐振装置的Q值。第二基底的加工和有源层的加工分开进行，可使谐振装置的形成方法具有灵活性。一体形成第一电极材料层、压电层以及第二电极材料层。能够提升压电层或第二电极层的晶体质量。能够提升压电层或第二电极层的晶体质量。能够提升压电层或第二电极层的晶体质量。


技术研发人员：邹雅丽 周建 韩兴 王斌
受保护的技术使用者：常州承芯半导体有限公司
技术研发日：2022.03.17
技术公布日：2022/4/12