一种三维堆叠存储芯片模块的制作方法

技术特征：
1.一种三维堆叠存储芯片模块，包括芯片本体(1)，其特征在于：所述芯片本体(1)的下端固定连接有底座(2)，且底座(2)的外表面连接有固定轴(3)，并且固定轴(3)的外表面套接有吸盘(4)，所述底座(2)的上表面固定连接有固定块(5)，且固定块(5)的一侧连接有长轴(6)，并且长轴(6)的外表面套接有支撑块(7)，所述支撑块(7)的一侧连接有连接轴(8)，且连接轴(8)的外表面套接有第一挡板(9)，并且第一挡板(9)的一侧连接有合页(11)，所述合页(11)与第二挡板(12)相互连接，且第二挡板(12)的一侧与第一挡板(9)相互连接，所述支撑块(7)的一侧连接有限位块(10)。2.根据权利要求1所述的一种三维堆叠存储芯片模块，其特征在于：所述底座(2)的正视呈倒“t”字型结构，且底座(2)到支撑块(7)的高度大于支撑块(7)的厚度。3.根据权利要求1所述的一种三维堆叠存储芯片模块，其特征在于：所述吸盘(4)与固定轴(3)的连接方式为转动连接，且吸盘(4)关于芯片本体(1)的纵向中心线呈对称分布。4.根据权利要求1所述的一种三维堆叠存储芯片模块，其特征在于：所述支撑块(7)与长轴(6)的连接方式为转动连接，且支撑块(7)的侧视呈“u”字型结构。5.根据权利要求1所述的一种三维堆叠存储芯片模块，其特征在于：所述支撑块(7)与限位块(10)的连接方式为固定连接，且限位块(10)到支撑块(7)顶端的距离小于第一挡板(9)的高度。6.根据权利要求1所述的一种三维堆叠存储芯片模块，其特征在于：所述连接轴(8)与支撑块(7)的连接方式为转动连接，且支撑块(7)的高度大于第一挡板(9)的长度。7.根据权利要求1所述的一种三维堆叠存储芯片模块，其特征在于：所述第一挡板(9)和第二挡板(12)都关于芯片本体(1)的纵向中心线呈对称分布，且第一挡板(9)和第二挡板(12)的宽度都大于芯片本体(1)的宽度。

技术总结
本实用新型公开了一种三维堆叠存储芯片模块，包括芯片本体，所述芯片本体的下端固定连接有底座，且底座的外表面连接有固定轴，并且固定轴的外表面套接有吸盘，所述底座的上表面固定连接有固定块，且固定块的一侧连接有长轴，并且长轴的外表面套接有支撑块，所述支撑块的一侧连接有连接轴，且连接轴的外表面套接有第一挡板，并且第一挡板的一侧连接有合页。该三维堆叠存储芯片模块，通过第一挡板和第二挡板可对芯片本体进行防护，有利于减少芯片本体在收纳过程中受到的撞击和灰尘污染，且通过翻转第二挡板、第一挡板和支撑块，可将第一挡板和第二挡板收纳至底座的上表面，有利于减少芯片本体的使用空间。芯片本体的使用空间。芯片本体的使用空间。


技术研发人员：刘伯阳
受保护的技术使用者：亿芯微半导体科技（深圳）有限公司
技术研发日：2021.10.19
技术公布日：2022/4/15