用于形成自对准存储器结构的技术的制作方法

技术特征：
1.一种方法，其包括：沿着第一方向将第一多个沟道蚀刻到分层材料组合件中以产生所述分层材料组合件的第一多个区段，所述分层材料组合件包括第一导电材料及第一牺牲材料；将绝缘材料沉积于所述第一多个沟道中的每一者内；将第二牺牲材料沉积到所述分层材料组合件的所述第一多个区段及所述绝缘材料上；沿着第二方向将第二多个沟道蚀刻到所述分层材料组合件中以产生所述第二牺牲材料的第二多个区段，所述第二多个沟道延伸穿过所述第一牺牲材料及所述第二牺牲材料；将第二绝缘材料沉积于所述第二多个沟道中的每一者内；移除所述第一及所述第二牺牲材料以形成所述分层材料组合件的多个腔；及将存储器材料沉积到所述分层材料组合件上以至少部分填充所述多个腔。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在将所述绝缘材料沉积于所述第一多个沟道中的每一者内之后，从所述分层材料组合件移除材料以暴露所述第一牺牲材料的表面。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述移除材料包括化学机械平坦化。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在将所述第二绝缘材料沉积于所述第二多个沟道中的每一者内之后，从所述分层材料组合件移除材料以暴露所述第二牺牲材料的表面。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述移除材料包括化学机械平坦化。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：将第二导电材料沉积到所述存储器材料上，其中所述第二导电材料至少部分填充所述第二多个沟道。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：将第一电极材料沉积于所述第一导电材料与所述第一牺牲材料之间的层中；及在沉积所述第二导电材料之前将第二电极材料沉积到所述存储器材料上。8.根据权利要求7所述的方法，其中沉积所述第二电极材料包括将所述第二电极材料沉积于所述存储器材料及所述第二绝缘材料上方，所述方法进一步包括：对所述分层材料组合件执行材料移除过程以暴露所述第二绝缘材料。9.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第一多个沟道包括：将第一掩模材料沉积到所述第一牺牲材料上；及根据用于蚀刻所述第一多个沟道的第一图案来图案化所述第一掩模材料。10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：在将所述绝缘材料沉积于所述第一多个沟道中的每一者内之后，移除所述第一掩模材料。11.根据权利要求9所述的方法，其中蚀刻所述第二多个沟道包括：将第二掩模材料沉积到所述第二牺牲材料上；及根据用于每一所述第二多个沟道的第二图案来图案化所述第二掩模材料。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一方向与所述第二方向正交。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个腔中的每一者安置于所述绝缘材料及所述第二绝缘材料的区段之间。
14.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在沉积所述存储器材料之后，蚀刻过量存储器材料以暴露所述第二多个沟道。15.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述存储器材料包括：将所述存储器材料选择性地沉积于所述多个腔内。16.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器材料包括硫属化物材料。17.根据权利要求1所述的方法，其中：蚀刻所述第二多个沟道将所述第一多个区段的所述第一牺牲材料划分为第三多个区段。18.一种设备，其包括：多个存储器单元，其通过过程形成，所述过程包括；沿着第一方向将第一多个沟道蚀刻到分层材料组合件中以产生所述分层材料组合件的第一多个区段，所述分层材料组合件包括第一导电材料及第一牺牲材料；将绝缘材料沉积于所述第一多个沟道中的每一者内；将第二牺牲材料沉积到所述分层材料组合件的所述第一多个区段及所述绝缘材料上；沿着第二方向将第二多个沟道蚀刻到所述分层材料组合件中以产生所述第二牺牲材料的第二多个区段，所述第二多个沟道延伸穿过所述第一牺牲材料及所述第二牺牲材料；将第二绝缘材料沉积于所述第二多个沟道中的每一者内；移除所述第一及所述第二牺牲材料以形成所述分层材料组合件的多个腔；及将存储器材料沉积到所述分层材料组合件上以至少部分填充所述多个腔。19.根据权利要求18所述的设备，其中所述过程进一步包括：在沉积所述存储器材料之后将电极材料沉积到所述分层材料组合件上，所述电极材料形成所述存储器材料及所述第二绝缘材料上方的层。20.根据权利要求19所述的设备，其中所述过程进一步包括：移除安置于所述第二绝缘材料的顶面上方的所述电极材料的所述层的一部分以暴露所述第二绝缘材料的所述顶面。21.一种方法，其包括：形成第一导体材料及第一牺牲材料的分层组合件的第一多个区段，所述第一多个区段在第一维度上伸长且通过第一绝缘材料分离；在所述分层组合件的所述第一多个区段及所述第一绝缘材料上方形成第二牺牲材料的第二多个区段，所述第二多个区段在第二维度上伸长且通过第二绝缘材料分离；用存储器材料替换所述第一多个区段中的所述第一牺牲材料；及用第二导体材料替换所述第二多个区段中的所述第二牺牲材料。22.根据权利要求21所述的方法，其中：沿着第一方向形成所述第一多个区段；且沿着不同于所述第二方向的第二方向形成所述第二多个区段，使得所述存储器材料安置于两个第一绝缘材料与两个第二绝缘材料之间。23.根据权利要求21所述的方法，其中用所述存储器材料替换所述第一牺牲材料包括：移除所述第一牺牲材料及所述第二牺牲材料；将所述存储器材料沉积到所述分层组合件上；及
移除所述存储器材料的部分以形成具有与所述第一绝缘材料相同的高度的所述存储器材料的区段。24.根据权利要求21所述的方法，其进一步包括：在所述第一导体材料与所述第一牺牲材料之间形成电极。25.根据权利要求24所述的方法，其中用所述存储器材料替换所述第一牺牲材料包括：移除所述第一牺牲材料及所述第二牺牲材料；及将所述存储器材料选择性地沉积到具有通过移除所述第一牺牲材料及所述第二牺牲材料而暴露的所述电极的所述分层组合件的部分上。

技术总结
本发明描述用于形成自对准存储器结构的技术的方法、系统及装置。方面包含蚀刻包含第一导电材料及第一牺牲材料的分层材料组合件以沿着产生第一组区段的第一方向形成第一组沟道。可将绝缘材料沉积于所述第一组沟道中的每一者内且可将第二牺牲材料沉积到所述第一组区段及所述绝缘材料上。可沿着产生第二组区段的第二方向将第二组沟道蚀刻到所述分层材料组合件中，其中所述第二组沟道延伸穿过所述第一及第二牺牲材料。可将绝缘材料沉积于所述第二组沟道中且移除所述牺牲材料而留下腔。可将存储器材料沉积于所述腔中。将存储器材料沉积于所述腔中。将存储器材料沉积于所述腔中。


技术研发人员：S
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2020.07.22
技术公布日：2022/4/26