半导体器件的测试方法以及测试装置与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：将所述半导体器件连接至测试装置；将增量步进脉冲操作中的其中一级操作电压作为预设操作电压，并根据所述增量步进脉冲操作的操作脉冲数量、操作电压倍数因子以及操作温度倍数因子，计算得到预设脉冲数量；以所述预设脉冲数量的所述预设操作电压，对所述半导体器件进行预设次数的编程和擦除。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在所述根据所述增量步进脉冲操作的脉冲数量、操作电压倍数因子以及操作温度倍数因子，计算得到预设脉冲数量的步骤之前，还包括：根据爱伦模型计算得到电压加速因子，并根据阿伦尼乌斯模型计算得到温度加速因子；分别根据所述电压加速因子以及所述温度加速因子，计算得到在电压或温度的影响下，将所述增量步进脉冲操作中的所有级操作电压等效至所述预设操作电压时所需的电压等效脉冲数量以及温度等效脉冲数量；分别将所述电压等效脉冲数量以及所述温度等效脉冲数量与所述增量步进脉冲操作的操作脉冲数量按照预设公式进行计算，得到操作电压倍数因子以及操作温度倍数因子。3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述预设操作电压为所述增量步进脉冲操作中的最大操作电压。4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述增量步进脉冲操作包括增量步进脉冲编程以及增量步进脉冲擦除。5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在所述对所述半导体器件进行预设次数的编程和擦除的过程中，不进行编程验证以及擦除验证。6.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在对所述半导体器件进行预设次数的编程的过程中，对所述半导体器件的存储单元阵列写入擦除态。7.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在对所述半导体器件进行预设次数的擦除的过程中，不选择所述半导体器件的字线。8.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在对所述半导体器件进行预设次数的编程的过程中，将所述半导体器件的页缓冲器中的锁存器写入高电平电压。9.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在所述以所述预设脉冲数量的所述预设操作电压，对所述半导体器件进行预设次数的编程和擦除的步骤之前以及之后，还包括：分别记录所述半导体器件的初始表征数据以及应力后表征数据；其中，所述初始表征数据包括所述半导体器件的初始静态电流、初始动态电流以及初始时序，所述应力后表征数据包括所述半导体器件的应力后静态电流、应力后动态电流以及应力后时序。10.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述半导体器件为3dnand闪存存储器。11.根据权利要求10所述的测试方法，所述测试方法覆盖所述3d nand闪存存储器的外围高压电路的高温寿命测试。
12.一种半导体器件的测试装置，其特征在于，所述测试装置包括：使能模块，用于将所述半导体器件连接至所述测试装置；设定模块，用于将增量步进脉冲操作中的其中一级操作电压作为预设操作电压，并根据所述增量步进脉冲操作的操作脉冲数量、操作电压倍数因子以及操作温度倍数因子，计算得到预设脉冲数量；操作模块，用于以所述预设脉冲数量的所述预设操作电压，对所述半导体器件进行预设次数的编程和擦除。

技术总结
本发明提供了一种半导体器件的测试方法以及测试装置，测试方法包括：将半导体器件连接至测试装置，之后，将增量步进脉冲操作中的其中一级操作电压作为预设操作电压，并根据增量步进脉冲操作的操作脉冲数量、操作电压倍数因子以及操作温度倍数因子，计算得到预设脉冲数量，最后，以预设脉冲数量的预设操作电压，对半导体器件进行预设次数的编程和擦除，本发明提供的半导体器件的测试方法，通过以预设操作电压对半导体器件进行编程和擦除，使得半导体器件的外围高压电路可以接收到充分的电压应力，从而，半导体器件在测试后所呈现出的应力表征会更加准确，提高了测试结果的准确性。提高了测试结果的准确性。提高了测试结果的准确性。


技术研发人员：于奎龙 李喜强 豆平涛 管琪 卢志刚 韩坤
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2022.01.19
技术公布日：2022/5/17