基于TSV的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器

技术特征：
1.基于tsv的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器，其特征在于：包括硅衬底，硅衬底上设有二氧化硅支撑层，二氧化硅支撑层的上方分布有若干个压电薄膜体声波谐振器。2.根据权利要求1所述的基于tsv的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器，其特征在于：所述压电薄膜体声波谐振器的数量为12个，12个压电薄膜体声波谐振器分别为：谐振器a、谐振器b、谐振器c、谐振器d、谐振器e、谐振器f、谐振器g、谐振器h、谐振器i、谐振器j、谐振器k、谐振器l；谐振器a、谐振器b、谐振器c、谐振器d、谐振器e、谐振器f依次串联，谐振器g与谐振器a并联，谐振器h与谐振器b并联，谐振器i与谐振器c并联，谐振器j与谐振器d并联，谐振器k与谐振器e并联，谐振器l与谐振器f并联。3.根据权利要求2所述的基于tsv的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器，其特征在于：12个所述压电薄膜体声波谐振器的结构相同，单个谐振器的结构为：包括谐振器压电薄膜、谐振器压电薄膜的四周均匀分布有四个tsv圆柱，四个tsv圆柱的顶部均通过五棱柱状的顶电极连接在一起，四个tsv圆柱的底部均通过四边形的底电极8连接在一起；底电极与压电薄膜之间设有二氧化硅支撑层；每个tsv铜柱与压电薄膜之间设有二氧化硅隔离层。4.根据权利要求3所述的基于tsv的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器，其特征在于：所述顶电极、底电极的材质均为铜。5.根据权利要求3所述的基于tsv的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器，其特征在于：所述压电薄膜的材料选用aln。

技术总结
本发明公开了一种基于TSV的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器，包括硅衬底，硅衬底上设有二氧化硅支撑层，二氧化硅支撑层的上方分布有若干个压电薄膜体声波谐振器。本发明不仅能够有效减少滤波器的体积，同时提高滤波器的性能。能。能。


技术研发人员：王凤娟 张定熙 余宁梅 杨媛 朱樟明 尹湘坤
受保护的技术使用者：西安理工大学
技术研发日：2021.12.24
技术公布日：2022/5/17