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半导体装置的制作方法

2022-05-18 13:58:04 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:第1芯片,具有基板、形成在所述基板的第1面上的第1布线层;以及第2布线层,形成在所述基板的所述第1面的相反侧的第2面上,所述第2布线层包括:第1电源线,提供第1电源电位;第2电源线,提供第2电源电位;以及开关,连接于所述第1电源线与所述第2电源线之间,所述第1芯片包括:第1接地线;第3电源线,提供所述第2电源电位;第1区域,配置有所述第1接地线以及所述第3电源线;第2接地线;第4电源线,提供所述第1电源电位;以及第2区域,配置有所述第1接地线以及所述第4电源线,俯视下所述开关被配置在所述第1区域与所述第2区域之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第2区域包括连接于所述第2接地线与所述第4电源线之间的控制电路,所述控制电路控制所述开关。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,所述第1接地线与所述第2接地线彼此电连接。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第1电源线具有俯视下与所述第2区域重叠的部分,所述第2电源线具有俯视下与所述第1区域重叠的部分,所述第1电源线以及所述第2电源线在所述第1区域与所述第2区域之间连接于所述开关。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第1电源线以及所述第2电源线俯视下沿着第1方向延伸,所述第1区域的至少一部分以及所述第2区域沿着所述第1方向配置,在与所述第1方向垂直的第2方向上,分别排列设有多个所述第1电源线以及所述第2电源线,所述开关共同连接于多个所述第1电源线与多个所述第2电源线之间。6.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第1电源线以及所述第2电源线俯视下沿着第1方向延伸,所述第1区域以及所述第2区域俯视下沿着与所述第1方向正交的第2方向配置,多个所述开关连接于所述第1电源线与所述第2电源线之间。7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,所述第1接地线以及所述第3电源线沿着所述第1方向延伸。8.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,在与所述第1区域以及所述第2区域被排列的第1方向垂直的第2方向上,分别排列设有
多个所述第1电源线以及所述第2电源线,所述第1电源线分别具有位于所述第1区域与所述第2区域之间的第1部分,所述第2电源线分别具有位于所述第1区域与所述第2区域之间的第2部分,所述第1部分与所述第2部分在所述第2方向上交替配置,所述开关连接于所述第2方向上邻接的所述第1部分与所述第2部分之间。9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于,多个所述第1电源线共享所述第1部分,多个所述第2电源线共享所述第2部分。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述开关包括:半导体层,连接于所述第1电源线以及所述第2电源线;栅电极;以及栅极绝缘膜,设置在所述半导体层与所述栅电极之间。11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述栅极绝缘膜形成在所述半导体层的所述第1芯片侧的面上,所述栅电极形成在所述栅极绝缘膜的所述第1芯片侧的面上。12.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,所述栅极绝缘膜形成在所述半导体层的所述第1芯片侧的面的相反侧的面上,所述栅电极形成在所述栅极绝缘膜的所述第1芯片侧的面的相反侧的面上。13.根据权利要求1至12中的任一项所述的半导体装置,其特征在于,由多个所述开关构成的第1开关群与由多个所述开关构成的第2开关群以俯视下将所述第1区域夹于其间的方式配置,属于所述第1开关群的所述开关与属于所述第2开关群的所述开关交替并列地连接。14.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于,在所述第1区域的外侧,所述第1开关群的控制端子以及所述第2开关群的控制端子通过缓冲器彼此连接。15.根据权利要求13或14所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括连接于所述第1开关群的控制端子以及所述第2开关群的控制端子的电容元件。

技术总结
半导体装置包括第1芯片与第2布线层,第1芯片具有基板、形成在所述基板的第1面上的第1布线层,第2布线层形成在所述基板的所述第1面的相反侧的第2面上。所述第2布线层包括被提供第1电源电位的第1电源线、被提供第2电源电位的第2电源线、连接于所述第1电源线与所述第2电源线之间的开关。所述第1芯片包括第1接地线、被提供所述第2电源电位的第3电源线、配置有所述第1接地线以及所述第3电源线的第1区域、第2接地线、被提供所述第1电源电位的第4电源线、配置有所述第1接地线以及所述第4电源线的第2区域。俯视下,所述开关配置在所述第1区域与所述第2区域之间。域与所述第2区域之间。域与所述第2区域之间。


技术研发人员:王文桢 冈本淳 武野纮宜
受保护的技术使用者:株式会社索思未来
技术研发日:2019.10.11
技术公布日:2022/5/17
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