一种SONOS器件的制作方法与流程

技术特征：
1.一种sonos器件的制作方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成隧穿氧化层；步骤二、在所述隧穿氧化层上重复形成多个由氮化硅层和氧化层构成的复合层；步骤三、在所述多个复合层上形成绝缘层；步骤四、在所述绝缘层上形成控制栅。2.根据权利要求1所述的sonos器件的制作方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底，所述硅衬底上设有有源区，所述隧穿氧化层形成于所述硅衬底上的所述有源区。3.根据权利要求1所述的sonos器件的制作方法，其特征在于：步骤二中的所述复合层中的所述氮化硅层为所述sonos器件的陷阱层。4.根据权利要求1所述的sonos器件的制作方法，其特征在于：步骤二中形成所述氧化层的方法为在所述氮化硅层上通过热氧化形成。5.根据权利要求1所述的sonos器件的制作方法，其特征在于：步骤二中形成所述氧化层的方法为在所述氮化硅层上通过cvd的方式沉积形成。6.根据权利要求1所述的sonos器件的制作方法，其特征在于：步骤三中的所述绝缘层为高温氧化层。7.根据权利要求1所述的sonos器件的制作方法，其特征在于：步骤四中的所述控制栅为多晶硅控制栅。8.根据权利要求3所述的sonos器件的制作方法，其特征在于：步骤二中多个复合层中的所述氮化硅层用于制造多级陷进能级，以提高深陷进能级的比例。9.根据权利要求8所述的sonos器件的制作方法，其特征在于：步骤二中多个复合层中的所述氮化硅层用于增加电荷被限制在深陷阱中的保留时间，以提高器件的可靠性。

技术总结
本发明提供一种SONOS器件的制作方法，提供衬底，在衬底上形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上重复形成多个由氮化硅层和氧化层构成的复合层；在多个复合层上形成绝缘层；在绝缘层上形成控制栅。本发明通过制造多层氮化硅陷阱层制造出多级的陷阱能级，可以提高深陷阱能级的比例，增加电荷被限制在深陷阱中的保留时间，从而提升器件的可靠性。从而提升器件的可靠性。从而提升器件的可靠性。


技术研发人员：钱亚峰 熊凌昊 黄冠群
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2022.01.24
技术公布日：2022/5/25