光刻设备和器件制造方法与流程

技术特征：
1.一种光刻设备，包括：调节系统，被配置以调节辐射束，所述辐射束包括euv辐射和非euv辐射两者；以及控制器，适于至少部分地基于所述非euv辐射的能量大小与所述euv辐射的能量大小的比率，来控制由所述调节系统递送到衬底的辐射剂量。2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述非euv辐射是duv辐射，并且所述控制器适于至少部分地基于所述duv辐射的能量大小与所述euv辐射的能量大小的比率，来控制由所述调节系统递送到衬底的辐射剂量。3.根据权利要求2所述的光刻设备，包括至少一个传感器，所述至少一个传感器被布置成测量所述duv辐射的能量大小。4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述至少一个传感器被定位成测量所述衬底处的所述duv辐射的所述能量大小。5.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述至少一个传感器被定位成测量在所述调节系统处的所述duv辐射的所述能量大小。6.根据权利要求5所述的光刻设备，其中所述光刻设备包括照射器，并且其中所述调节系统被包括在所述照射器中。7.根据权利要求5所述的光刻设备，其中所述光刻设备是辐射源，并且其中所述调节系统被包括在所述辐射源中。8.根据权利要求2所述的光刻设备，还包括被配置成根据所述源的多个操作参数来确定所述duv辐射的能量大小的模块。9.根据权利要求2所述的光刻设备，其中所述控制器适于至少部分地基于所述比率和校准因子的乘积，来控制由所述调节系统递送到衬底的辐射剂量。10.一种光刻设备，包括：调节系统，被配置以调节辐射束，所述辐射束包括euv辐射和非euv辐射两者；第一模块，被配置成用于产生指示所述euv辐射的能量大小的第一信号；第二模块，被配置成用于产生指示所述非euv辐射的能量大小的第二信号；第三模块，被配置为将所述第二信号乘以校准因子以获得第三信号；第四模块，被配置为将所述第一信号和所述第三信号相加以获得第四信号；以及控制器，被设置成接收所述第四信号，并且适于至少部分地基于所述非euv辐射的能量大小和校准因子的乘积与所述euv辐射的能量大小的和，来控制由所述辐射束递送到衬底的辐射剂量。11.根据权利要求10所述的光刻设备，其中所述非euv辐射是duv辐射，并且所述控制器适于至少部分地基于所述duv辐射的能量大小和校准因子的乘积与所述euv辐射的能量大小的和，来控制由所述调节系统递送到衬底的辐射剂量。12.根据权利要求10所述的光刻设备，其中所述第二模块包括至少一个传感器，所述至少一个传感器被布置成测量所述非euv辐射的能量大小。13.根据权利要求12所述的光刻设备，其中所述至少一个传感器被定位成测量所述衬底处的所述非euv辐射的所述能量大小。14.根据权利要求12所述的光刻设备，其中所述至少一个传感器被定位成测量所述调节系统处的所述非euv辐射的所述能量大小。
15.根据权利要求10所述的光刻设备，其中所述第二模块被配置成根据所述源的多个操作参数推断duv辐射的大小。16.一种制造器件的方法，包括：产生包括euv辐射和非euv辐射两者的辐射束；以及至少部分地基于所述非euv辐射的能量大小与所述euv辐射的能量大小的比率，来控制由所述辐射束递送到衬底的辐射剂量。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述非euv辐射是duv辐射，并且至少部分地基于所述非euv辐射的能量大小与所述euv辐射的能量大小的比率，来控制由所述辐射束递送到衬底的辐射剂量包括：至少部分地基于所述duv辐射的能量大小与所述euv辐射的能量大小的比率，来控制由所述辐射束递送到衬底的辐射剂量。18.根据权利要求16所述的方法，包括感测所述duv辐射的能量大小。19.根据权利要求18所述的方法，其中感测所述duv辐射的能量大小包括：测量所述衬底处的所述duv辐射的所述能量大小。20.根据权利要求18所述的方法，其中感测所述duv辐射的能量大小包括：测量在所述调节系统处的所述duv辐射的所述能量大小。21.根据权利要求16所述的方法，还包括根据所述源的多个操作参数来确定所述duv辐射的能量大小。22.根据权利要求16所述的方法，其中至少部分地基于所述duv辐射的能量大小与所述euv辐射的能量大小的比率来控制由所述辐射束递送到衬底的辐射剂量是至少部分地基于所述比率与校准因子的乘积来执行的。23.一种制造器件的方法，包括：使用辐射源产生辐射束，所述辐射束包括euv辐射和非euv辐射；产生表示所述euv辐射的能量大小的第一信号；产生指示所述非euv辐射的能量大小的第二信号；将所述第二信号乘以校准因子以获得第三信号；将所述第一信号和所述第三信号相加，以获得第四信号；以及将所述第四信号提供给剂量控制器，所述剂量控制器至少部分地基于所述非euv辐射的能量大小和校准因子的乘积与所述euv辐射的能量大小的和，来控制由所述辐射束递送到衬底的辐射剂量。24.根据权利要求23所述的方法，其中所述非euv辐射是duv辐射，并且所述剂量控制器至少部分地基于所述duv辐射的能量大小和校准因子的乘积与所述euv辐射的能量大小的和，来控制由所述调节系统递送到衬底的辐射的剂量。25.根据权利要求23所述的方法，包括感测所述非euv辐射的能量大小。26.根据权利要求25所述的方法，其中感测所述非euv辐射的能量的大小包括：测量在所述衬底处的所述非euv辐射的所述能量大小。27.根据权利要求25所述的方法，其中感测所述非euv辐射的能量大小包括：测量在所述调节系统处的所述非euv辐射的所述能量大小。28.根据权利要求25所述的方法，其中产生指示所述非euv辐射的能量大小的第二信号包括：根据所述源的多个操作参数确定所述非euv辐射的大小。
29.一种方法，包括：接收指示包括euv辐射的辐射束中的带内euv辐射的功率的第一信号；接收指示所述辐射束中的带外辐射的功率的第二信号；产生第三信号，其中所述第三信号基于所述第一信号和所述第二信号；以及将所述第三信号提供给剂量控制器，所述剂量控制器被配置为至少部分地基于所述第三信号来控制所述辐射束的功率。30.根据权利要求29所述的方法，其中所述第二信号基于所述辐射束的组合功率的测量，其中所述组合功率包括所述辐射束中的带内euv辐射的功率和所述辐射束中的带外辐射的功率。31.一种有形的非瞬态计算机可读介质，其上编码有指令，所述指令能够由处理器执行以执行一种方法，所述方法包括：接收指示包括euv辐射的辐射束中的带内euv辐射的功率的第一信号；接收指示所述辐射束中的带外辐射的功率的第二信号；产生第三信号，其中所述第三信号基于所述第一信号和所述第二信号；以及将所述第三信号提供给剂量控制器，所述剂量控制器被配置为至少部分地基于所述第三信号来控制所述辐射束的功率。

技术总结
一种光刻设备和器件制造方法，其中在剂量控制器中考虑来自EUV辐射源的带外辐射量，例如到达衬底的DUV辐射，以提供基于实际有效剂量的剂量控制，从而提供对带外辐射的影响的更好控制，例如带外辐射对抗蚀剂和成像的影响，特别是对由于取决于抗蚀剂类型的抗蚀剂的波长相关灵敏度的变化而对成像性能的影响。长相关灵敏度的变化而对成像性能的影响。长相关灵敏度的变化而对成像性能的影响。


技术研发人员：刘飞 黄壮雄 N
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2020.10.09
技术公布日：2022/5/31