半导体封装的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装，包括：下封装，包括下基板和至少一个下半导体芯片；中介层基板，在所述下封装上，所述中介层基板包括穿透所述中介层基板的多个孔；热辐射结构，包括所述中介层基板的顶表面上的支撑部和所述中介层基板的孔中的多个突出部；以及导热层，在所述下半导体芯片和所述热辐射结构的突出部之间。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导热层包括与所述热辐射结构的材料不同的材料。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述导热层包括焊膏材料或热界面材料中的至少一种。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：所述下封装还包括所述下基板和所述中介层基板之间的下模塑层，所述下模塑层包括延伸部，并且所述延伸部在所述下半导体芯片的顶表面和所述中介层基板的底表面之间。5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述下模塑层的所述延伸部与所述导热层物理接触。6.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述中介层基板的孔的侧壁与所述下模塑层的所述延伸部的侧壁对准。7.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述下模塑层与所述中介层基板的底表面物理接触。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导热层还在所述热辐射结构和所述中介层基板之间。9.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：上封装，在所述中介层基板和所述热辐射结构上；以及上连接结构，在所述中介层基板和所述上封装之间，其中，所述上连接结构与所述热辐射结构横向间隔开。10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述支撑部的高度是所述上连接结构的高度的0.7倍到0.9倍。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，相邻的两个孔之间在横向方向上的间隔在20μm到50μm的范围中。12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述支撑部在横向方向上的宽度在30μm到500μm的范围中。13.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，当在平面图中观察时，所述中介层基板的孔与所述至少一个下半导体芯片重叠。14.一种半导体封装，包括：下封装，包括下基板和至少一个下半导体芯片；中介层基板，在所述下封装上，所述中介层基板包括穿透所述中介层基板的多个孔；以及热辐射结构，在所述中介层基板上，所述热辐射结构包括：
多个第一部分，在所述中介层基板的孔中并且与所述下半导体芯片竖直地重叠，以及多个第二部分，在所述中介层基板的顶表面上并且连接到所述第一部分，其中，所述热辐射结构与所述中介层基板的孔的侧壁间隔开并且与所述下半导体芯片的顶表面间隔开。15.根据权利要求14所述的半导体封装，还包括：导热层，在所述下半导体芯片和所述热辐射结构的第一部分之间，其中，所述导热层包括与所述热辐射结构的材料不同的材料。16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中：所述下封装还包括所述下基板和所述中介层基板之间的下模塑层，所述下模塑层包括所述下半导体芯片和所述中介层基板之间的延伸部，并且所述下模塑层的所述延伸部与所述导热层的外壁物理接触。17.根据权利要求14所述的半导体封装，还包括：上基板，在所述中介层基板和所述热辐射结构上；以及上连接结构，在所述中介层基板和所述上基板之间，其中，第二部分的高度是所述上连接结构的高度的0.7倍到0.9倍。18.一种半导体封装，包括：下封装，包括下基板、至少一个下半导体芯片、下模塑层和多个下连接结构；中介层基板，在所述下封装上，所述中介层基板包括穿透所述中介层基板的多个孔，在平面图中所述多个孔与所述下半导体芯片重叠；上封装，在所述中介层基板上，所述上封装包括上基板和至少一个上半导体芯片；多个上连接结构，在所述上基板和所述中介层基板之间并且耦合到所述上基板和所述中介层基板；热辐射结构，包括所述中介层基板的顶表面上的支撑部和所述多个孔中的突出部；以及导热层，在所述热辐射结构和所述下半导体芯片之间，所述导热层包括与所述热辐射结构的材料不同的材料，其中，所述上连接结构与所述热辐射结构的所述支撑部横向间隔开。19.根据权利要求18所述的半导体封装，其中：所述突出部的底表面的高度比所述中介层基板的顶表面的高度低，并且所述突出部的底表面的高度比所述至少一个下半导体芯片的顶表面的高度高。20.根据权利要求18所述的半导体封装，其中：所述下模塑层在所述下基板和所述中介层基板之间，所述下模塑层在所述至少一个下半导体芯片的顶表面和所述中介层基板的底表面之间延伸，并且所述下模塑层与所述导热层物理接触。

技术总结
提供了一种半导体封装，包括：下封装，所述下封装包括下基板和下半导体芯片；中介层基板，在所述下封装上并且具有穿透所述中介层基板的多个孔；热辐射结构，所述热辐射结构包括所述中介层基板的顶表面上的支撑部和所述中介层基板的孔中的多个突出部；以及导热层，在所述下半导体芯片和所述热辐射结构的突出部之间。之间。之间。


技术研发人员：金东暤 金知晃 朴桓必 沈钟辅
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.09.08
技术公布日：2022/6/4