数据纠错方法、装置、半导体元器件和可读存储介质与流程

技术特征：
1.一种数据纠错方法，其特征在于，所述方法包括：从存储器中读出数据时，每读出一页的数据，对当前页的数据进行第一次纠错，并判断所述第一次纠错是否成功；若所述第一次纠错失败，则确定所述当前页的低页硬判决比特信息、所述当前页的高页硬判决比特信息、所述当前页的类型和所述当前页的对数似然比；将所述低页硬判决比特信息、所述高页硬判决比特信息、所述类型和所述对数似然比输入至预先训练好纠正模型中，以利用所述纠正模型对所述当前页的数据进行第二次纠错，所述纠正模型包括多个编码器和多个解码器，每一个编码器包括一个自注意力模块，每一个解码器包括一个自注意力模块和一个交叉注意力模块。2.根据权利要求1所述的数据纠错方法，其特征在于，每一个编码器还包括一个前馈神经网络和两个求和与归一化层。3.根据权利要求1所述的数据纠错方法，其特征在于，每一个解码器还包括一个前馈神经网络和三个求和与归一化层。4.根据权利要求1所述的数据纠错方法，其特征在于，还包括利用以下方法对所述纠正模型进行训练：通过对所述存储器进行多次读写获得i页读出数据；利用硬判决算法和软判决算法对第i页读出数据进行译码，1≤i≤i；若所述硬判决算法对所述第i页读出数据译码成功或者所述软判决算法对所述第i页读出数据译码成功，则将成功结果作为所述第i页读出数据的标签；若所述硬判决算法对所述第i页读出数据译码失败且所述软判决算法对所述第i页读出数据译码失败，则将失败结果作为所述第i页读出数据的标签；利用带有标签的i页读出数据训练所述纠正模型，直至所述纠正模型对应的损失函数收敛。5.根据权利要求4所述的数据纠错方法，其特征在于，所述损失函数为以下公式：l表示损失函数的损失值，n表示每一次输入至所述纠正模型的读出数据的总页数，n＜i，l
n
表示第n页读出数据的损失值，y
n
表示第n页读出数据的标签，y
n
＝0或1，p
n
表示第n页读出数据正确的预测概率。6.根据权利要求1所述的数据纠错方法，其特征在于，所述对当前页的数据进行第一次纠错，并判断所述第一次纠错是否成功，包括：利用硬判决算法和软判决算法对所述当前页的数据进行第一次纠错；若所述硬判决算法对所述当前页的数据译码成功或者所述软判决算法对所述当前页的数据译码成功，则第一次纠错成功；若所述硬判决算法对所述当前页的数据译码失败且所述软判决算法对所述当前页的数据译码失败，则第一次纠错失败。7.根据权利要求1至6任一项所述的数据纠错方法，其特征在于，还包括：若所述纠正模型输出的概率值大于等于预设的概率阈值，则所述第二次纠错成功；若所述纠正模型输出的概率值小于预设的概率阈值，则所述第二次纠错失败。
8.一种数据纠错装置，其特征在于，所述装置包括：第一纠错单元，用于从存储器中读出数据时，每读出一页的数据，对当前页的数据进行第一次纠错，并判断所述第一次纠错是否成功；信息确定单元，用于若所述第一次纠错失败，则确定所述当前页的低页硬判决比特信息、所述当前页的高页硬判决比特信息、所述当前页的类型和所述当前页的对数似然比；第二纠错单元，用于将所述低页硬判决比特信息、所述高页硬判决比特信息、所述类型和所述对数似然比输入至预先训练好的纠正模型中，以利用所述纠正模型对所述当前页的数据进行第二次纠错。9.一种半导体元器件，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序在所述处理器上运行时执行权利要求1至7任一项所述的数据纠错方法。10.一种可读存储介质，其特征在于，其存储有计算机程序，所述计算机程序在处理器上运行时执行权利要求1至7任一项所述的数据纠错方法。

技术总结
本申请公开了一种数据纠错方法、装置、半导体元器件和可读存储介质。该方法包括：从存储器中读出数据时，每读出一页的数据，对当前页的数据进行第一次纠错，并判断第一次纠错是否成功；若第一次纠错失败，则确定当前页的低页硬判决比特信息、当前页的高页硬判决比特信息、当前页的类型和当前页的对数似然比；将低页硬判决比特信息、高页硬判决比特信息、类型和对数似然比输入至预先训练好纠正模型中，以利用纠正模型对当前页的数据进行第二次纠错，纠正模型包括多个编码器和多个解码器，每一个编码器包括一个自注意力模块，每一个解码器包括一个自注意力模块和一个交叉注意力模块。本申请可以扩展存储类半导体的纠错能力，提高数据读写效率。据读写效率。据读写效率。


技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：深圳宏芯宇电子股份有限公司
技术研发日：2021.10.25
技术公布日：2022/6/14