具有电磁屏蔽件的集成器件的制作方法

技术特征：
1.一种集成器件，包括：第一器件层，包括有源器件和第一器件接合层；第二器件层，包括无源器件和第二器件接合层，所述第二器件层附接至所述第一器件接合层；以及屏蔽件，包括：在所述第一器件接合层的第一平面中的多个接合接触部、在平行于所述第一平面的第二平面中的多个接合层接触部、在所述第二平面中的多个接合层互连、在与所述第一平面相对的平行于所述第二平面的第三平面中的多个过孔、以及在与所述第二平面相对的平行于所述第三平面的第四平面中的多个线端互连，其中所述多个接合层互连将所述多个接合层互连中的至少一个耦合至所述多个接合层互连中的至少另一个，并且所述多个线端互连将所述多个过孔中的至少一个耦合至所述多个过孔中的至少另一个。2.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述屏蔽件耦合至地。3.根据权利要求1所述的集成器件，还包括在所述第一器件层的第一侧处的多个i/o引脚和多个地接触部，并且其中所述第一器件接合层在与所述第一器件层的所述第一侧相对的所述第一器件层的第二侧处。4.根据权利要求3所述的集成器件，其中所述屏蔽件耦合至所述多个地接触部中的至少一个。5.根据权利要求3所述的集成器件，其中所述屏蔽件被配置为包围在所述第一器件层的所述第一侧处的所述多个i/o引脚中的至少一个。6.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述屏蔽件被配置为包围所述有源器件并且屏蔽所述无源器件免受来自所述有源器件的电磁干扰。7.根据权利要求1所述的集成器件，其中所述集成器件被并入到设备中，所述设备选自由音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、以及机动车辆中的设备组成的组。8.一种集成器件，包括：第一器件层，包括有源器件和第一器件接合层；第二器件层，包括无源器件和第二器件接合层，所述第二器件层附接至所述第一器件接合层；以及用于屏蔽电磁(em)波的部件，用于屏蔽em波的所述部件包围所述有源器件，包括在所述第一器件接合层的第一平面中的多个接合接触部、在平行于所述第一平面的第二平面中的多个接合层接触部、在所述第二平面中的多个接合层互连、在与所述第一平面相对的平行于所述第二平面的第三平面中的多个过孔、以及在与所述第二平面相对的平行于所述第三平面的第四平面中的多个线端互连，其中所述多个接合层互连将所述多个接合层互连中的至少一个耦合至所述多个接合层互连中的至少另一个，并且所述多个线端互连将所述多个过孔中的至少一个耦合至所述多个过孔中的至少另一个。9.根据权利要求8所述的集成器件，其中用于屏蔽em波的所述部件耦合至地，并且包括在所述第一器件接合层的第一平面中的多个接合接触部、在平行于所述第一平面的第二平面中的多个接合层接触部、在所述第二平面中的多个接合层互连、在与所述第一平面相对的平行于所述第二平面的第三平面中的多个过孔、以及在与所述第二平面相对的平行于所
述第三平面的第四平面中的多个线端互连，其中所述多个接合层互连将所述多个接合层互连中的至少一个耦合至所述多个接合层互连中的至少另一个，并且所述多个线端互连将所述多个过孔中的至少一个耦合至所述多个过孔中的至少另一个。10.根据权利要求9所述的集成器件，还包括在所述第一器件层的第一侧处的多个i/o引脚和多个地接触部，并且其中所述第一器件接合层在与所述第一器件层的所述第一侧相对的所述第一器件层的第二侧处。11.根据权利要求10所述的集成器件，其中用于屏蔽em波的所述部件耦合至所述多个地接触部中的至少一个。12.根据权利要求10所述的集成器件，其中用于屏蔽em波的所述部件被配置为包围在所述第一器件层的所述第一侧处的所述多个i/o引脚中的至少一个。13.根据权利要求9所述的集成器件，其中用于屏蔽em波的所述部件被配置为包围所述有源器件并且屏蔽所述无源器件免受来自所述有源器件的电磁干扰。14.根据权利要求9所述的集成器件，其中所述集成器件被并入到设备中，所述设备选自由音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器以及机动车辆中的设备组成的组。15.一种用于制造集成器件的方法，所述方法包括：形成第一器件衬底；在所述第一器件衬底中形成有源器件；在所述有源器件周围形成屏蔽件；在所述第一器件衬底的第一侧上形成第一器件接合层；形成第二器件衬底；在所述第二器件衬底中形成无源器件；在所述第二器件衬底的第一侧上形成第二器件接合层；以及将所述第一器件接合层接合至所述第二器件接合层。16.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述屏蔽件包括：在所述第一器件接合层的第一平面中形成多个接合接触部；在平行于所述第一平面的第二平面中形成多个接合层接触部；在所述第二平面中形成多个接合层互连；在与所述第一平面相对的平行于所述第二平面的第三平面中形成多个过孔；以及在与所述第二平面相对的平行于所述第三平面的第四平面中形成多个线端互连，其中所述多个接合层互连将所述多个接合层互连中的至少一个耦合至所述多个接合层互连中的至少另一个，并且所述多个线端互连将所述多个过孔中的至少一个耦合至所述多个过孔中的至少另一个。17.根据权利要求15所述的方法，还包括在所述第一器件层的第一侧处形成多个i/o引脚和多个地接触部，并且其中所述第一器件接合层在与所述第一器件层的所述第一侧相对的所述第一器件层的第二侧处。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述屏蔽件耦合至所述多个地接触部中的至少一个。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述屏蔽件被配置为包围在所述第一器件层的所述第一侧处的所述多个i/o引脚中的至少一个。20.根据权利要求15所述的方法，其中所述屏蔽件被配置为包围所述有源器件并且屏蔽所述无源器件免受来自所述有源器件的电磁干扰。

技术总结
通过屏蔽技术改进从第一晶圆到第二晶圆的晶圆接合工艺的EM耦合。示例可以包括构建由BEOL堆叠体/布线、接合接触部和TSV实施的EM屏蔽件用于集成器件闭环屏蔽平台，以使涡电流引起的来自有源器件的EM干扰最小化。在使用两个不同的器件层/晶圆(有源器件层/晶圆和无源器件层/晶圆)的晶圆到晶圆接合工艺期间，该屏蔽件可以在该有源器件层中实施。该屏蔽件可以通过用于I/O端口和GND接触部两者的图案化的布线来进行设计。线来进行设计。线来进行设计。


技术研发人员：金钟海 J-H
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2020.10.29
技术公布日：2022/6/15