阵列基板的制作方法、显示面板及显示装置与流程

技术特征：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括步骤：提供一基底；于所述基底上依次沉积第一金属层和保护层；使用掩膜版对所述保护层进行曝光、显影，形成贯穿的过孔，所述过孔沿其轴线方向上呈上宽下窄设置，其中，显影时的蚀刻时长范围为85s～95s；于所述保护层上沉积透明导电层，所述透明导电层通过所述过孔与所述第一金属层电连接。2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述保护层显影时的蚀刻时长为90s。3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述保护层包括第一保护分层和第二保护分层，所述于所述基底上依次沉积第一金属层和保护层的步骤中，具体为：在所述基底上沉积第一金属层；于所述第一金属层上沉积第一保护分层，再于所述第一保护分层上沉积第二保护分层；其中，所述过孔贯穿所述第一保护分层和第二保护分层，所述第二保护分层的厚度小于第一保护分层的厚度。4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述于所述第一金属层上沉积第一保护分层，再于所述第一保护分层上沉积第二保护分层的步骤具体为：将制程气体第一次通入所述第一金属层所在的制程腔内，其中，所述制程气体为四氢化硅、氮气、氨气及氢气中的混合物；使用扩散片将所述制程气体扩散至所述第一金属层；向所述制程腔内施加射频并加热，以将所述制程气体变成电浆并在所述第一金属层上沉积成第一保护分层；再将所述制程气体第二次通入所述第一金属层所在的制程腔内，并进行扩散、施加射频及加热，以使制程气体变成沉积成第二保护分层。5.如权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二保护分层沉积时的射频能量小于所述第一保护分层沉积时的射频能量；和/或，所述第二保护分层沉积时的气体压力大于所述第一保护分层沉积时的气体压力。6.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一保护分层的沉积厚度为所述第二保护分层的沉积厚度为7.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述过孔包括第一孔段和第二孔段，所述第一孔段形成于所述第一保护分层，所述第二孔段形成于所述第二保护分层，在所述基底至所述透明导电层的方向上，所述第一孔段和第二孔段的开口尺寸逐渐增加。8.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述阵列基板的纵切面上，所述第一孔段与所述第二孔段围合形成阶梯孔，且所述第一孔段的孔壁与所述第二孔段的孔壁相平行设置。9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板、彩膜基板，及夹设于所述
阵列基板与彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板采用如权利要求1至8中任一项所述的阵列基板的制作方法制备。10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括背光模组和与所述背光模组对向设置的显示面板，所述显示面板为如权利要求9所述的显示面板。

技术总结
本申请公开一种阵列基板的制作方法、显示面板及显示装置，其中，所述阵列基板的制作方法包括步骤：提供一基底；于所述基底上依次沉积第一金属层和保护层；使用掩膜版对所述保护层进行曝光、显影，形成贯穿的过孔，所述过孔沿其轴线方向上呈上宽下窄设置，其中，显影时的蚀刻时长范围为85s～95s；于所述保护层上沉积透明导电层，所述透明导电层通过所述过孔与所述第一金属层电连接。本申请技术方案可减少保护层过孔的断裂风险，保证过孔的孔径和坡度尺寸，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。


技术研发人员：张立志 李伟
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2022.03.04
技术公布日：2022/6/28