用于微LED的光提取的制作方法

技术特征：
1.一种设备，包括：微led阵列，其以第一间距为特征；以及微透镜阵列，其在所述微led阵列上且以不同于所述第一间距的第二间距为特征，所述微透镜阵列中的每个微透镜对应于所述微led阵列中的相应的微led。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述微透镜阵列中的每个微透镜被配置成使得来自所述微led阵列中的对应的微led的光的主光线在穿过所述微透镜之后在不同的相应方向上传播。3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一间距大于所述第二间距。4.根据权利要求3所述的设备，其中，来自所述微led阵列中的每个微led的光的主光线在穿过对应的微透镜之后，在相应方向上朝向所述设备的中线倾斜。5.根据权利要求1所述的设备，其中：所述微led阵列包括微led的二维阵列；所述微透镜阵列包括微透镜的二维阵列；并且所述第一间距和所述第二间距处于第一维度中。6.根据权利要求5所述的设备，其中：所述微led阵列以在第二维度中的第三间距为特征；所述微透镜阵列以在所述第二维度中的第四间距为特征；并且所述第三间距不同于所述第四间距。7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述第一间距不同于所述第三间距。8.根据权利要求6所述的设备，其中，所述第二间距不同于所述第四间距。9.根据权利要求1所述的设备，其中，所述微透镜阵列包括介电材料或有机材料。10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述介电材料包括氧化硅或氮化硅。11.根据权利要求1所述的设备，其中，所述微透镜阵列包括抗反射涂层。12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述微透镜阵列包括球面微透镜或非球面微透镜。13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述微透镜阵列中的每个微透镜被配置成准直来自所述微led阵列中的对应的微led的光。14.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一间距或所述第二间距中的至少一个跨所述设备变化。15.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一间距低于所述第二间距。16.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一间距小于10μm。17.根据权利要求1所述的设备，其中，所述微透镜阵列中的每个微透镜的线性尺寸大于所述微led阵列中的每个微led的线性尺寸。18.一种方法，包括：在微led阵列的介电层上沉积聚合物层，所述微led阵列以在相邻微led的中心之间的第一间距为特征；图案化所述聚合物层以形成聚合物图案，其中，所述聚合物层中的聚合物图案以不同于所述第一间距的第二间距为特征；以及回流所述聚合物图案以在所述聚合物层中形成微透镜阵列，所述微透镜阵列以等于所
述第二间距的第三间距为特征。19.根据权利要求18所述的方法，还包括：蚀刻所述聚合物层中的微透镜阵列和所述微led阵列的介电层，以在所述介电层中形成微透镜阵列，其中，所述聚合物层以与所述介电层的蚀刻速率相当的蚀刻速率为特征。20.根据权利要求18所述的方法，其中：所述聚合物层包括光致抗蚀剂层；并且图案化所述聚合物层包括：通过以下部件将所述光致抗蚀剂层暴露于曝光光线：灰度掩模，其中，所述灰度掩模的光透射率分布与所述聚合物层中的微透镜阵列的高度分布互补；或者二元掩模，所述二元掩模具有与所述聚合物层中的聚合物图案相对应的光透射率图案；以及使用光致抗蚀剂显影剂显影所述光致抗蚀剂层以去除所述光致抗蚀剂层的曝光部分。

技术总结
本文公开的技术涉及用于微LED阵列的光提取结构。根据某些实施例，一种设备包括以第一间距为特征的微LED阵列和微LED阵列上的以由不同于第一间距的第二间距为特征的微透镜阵列。微透镜阵列中的每个微透镜对应于微LED阵列中的相应微LED。在一些实施例中，第一间距大于第二间距，使得来自微LED阵列中的每个微LED的光的主光线在穿过对应的微透镜之后在相应的方向上朝向设备的中线倾斜。的方向上朝向设备的中线倾斜。的方向上朝向设备的中线倾斜。


技术研发人员：迈克尔
受保护的技术使用者：脸谱科技有限责任公司
技术研发日：2020.11.22
技术公布日：2022/7/9