用于半导体装置制造的玻璃晶片的制作方法

技术特征：
1.一种用于半导体装置(100)的玻璃晶片，它包含：玻璃基材，其包含：顶表面(102)，与顶表面相反的底表面(104)，以及顶表面与底表面之间的边缘表面(106)；布置在玻璃基材顶部的第一涂层(108)，其中，第一涂层是片电阻为100至1,000,000欧姆每平方的经掺杂的晶体硅涂层；以及布置在玻璃基材顶部的具有一层或多层的第二涂层(110)，其中，第二涂层包括含硅涂层，其中，玻璃晶片在400nm至1000nm的整个波长范围上具有小于50％的平均透射率(t)。2.如权利要求1所述的玻璃晶片，其中，在所述波长范围内的每个波长处的透射率小于50％。3.如权利要求1所述的玻璃晶片，其中，玻璃晶片在400nm至2500nm的整个波长范围上具有小于50％的平均透射率(t)。4.如权利要求3所述的玻璃晶片，其中，在所述波长范围内的每个波长处的透射率小于50％。5.如权利要求1所述的玻璃晶片，其中，玻璃晶片在400nm至1000nm的整个波长范围上具有小于30％的透射率(t)。6.如权利要求5所述的玻璃晶片，其中，在所述波长范围内的每个波长处的透射率小于30％。7.如权利要求1所述的玻璃晶片，其中，玻璃晶片在400nm至2500nm的整个波长范围上具有小于30％的透射率(t)。8.如权利要求7所述的玻璃晶片，其中，在所述波长范围内的每个波长处的透射率小于30％。9.如权利要求1所述的玻璃晶片，其中，第一涂层直接布置在玻璃基材的顶表面的顶部，以及第二涂层直接布置在第一涂层的顶部。10.如权利要求1所述的玻璃晶片，其中，第二涂层包括至少两层，以及其中，第一涂层位于第二涂层的所述至少两层之间。11.如权利要求1所述的玻璃晶片，其中，经掺杂的晶体硅涂层是以下一种：磷掺杂的晶体硅、硼掺杂的晶体硅或者砷掺杂的晶体硅。12.如权利要求1所述的玻璃晶片，其中，经掺杂的晶体硅涂层与第二涂层的总厚度小于1000微米(10000埃)。13.如权利要求12所述的玻璃晶片，其中，经掺杂的晶体硅涂层的厚度是至少100埃。14.如权利要求1所述的玻璃晶片，其中，第二涂层包括未掺杂的无定形硅层。15.如权利要求1所述的玻璃晶片，其中，第二涂层包括：氮化硅层、未掺杂的无定形硅层以及二氧化硅层，其中，氮化硅层布置在未掺杂的无定形硅层的顶部，其中，未掺杂的无定形硅层布置在二氧化硅层的顶部，以及其中，二氧化硅层位于经掺杂的纳米晶体硅涂层的顶部。16.如权利要求1所述的玻璃晶片，其还包括玻璃基材的顶表面、底表面和边缘表面顶部的钝化涂层(112)。
17.如权利要求16所述的玻璃晶片，其中，钝化涂层是sin、sio2或sion中的一种。18.如权利要求17所述的玻璃晶片，其中，钝化涂层的厚度是100至10,000埃。19.一种用于半导体装置的玻璃晶片(100)，其包括：玻璃基材，其包含：顶表面(102)，与顶表面相反的底表面(104)，以及顶表面与底表面之间的边缘表面(106)；以及布置在玻璃晶片顶部的具有一层或多层的涂层(110)，其中，涂层包括含硅涂层，以及其中，玻璃晶片在400nm至1000nm的整个波长范围上具有小于50％的平均透射率(t)。20.如权利要求19所述的玻璃晶片，其中，涂层覆盖了玻璃基材的整个顶表面。21.如权利要求19所述的玻璃晶片，其中，涂层覆盖了玻璃基材的一部分顶表面，从边缘表面到朝向顶表面的中心的2mm的径向距离。22.如权利要求19所述的玻璃晶片，其中，在所述波长范围内的每个波长处的透射率小于50％。23.如权利要求19所述的玻璃晶片，其中，玻璃基材在400nm至2500nm的整个波长范围上具有小于50％的平均透射率(t)。24.如权利要求23所述的玻璃晶片，其中，在所述波长范围内的每个波长处的透射率小于50％。25.如权利要求19所述的玻璃晶片，其中，玻璃晶片在400nm至2500nm的整个波长范围上具有小于30％的平均透射率(t)。26.如权利要求25所述的玻璃晶片，其中，在所述波长范围内的每个波长处的透射率小于30％。27.如权利要求19所述的玻璃晶片，其中，玻璃晶片在400nm至1000nm的整个波长范围上具有小于30％的平均透射率(t)。28.如权利要求27所述的玻璃晶片，其中，在所述波长范围内的每个波长处的透射率小于30％。29.如权利要求19所述的玻璃晶片，其中，涂层的厚度小于1微米。30.如权利要求19所述的玻璃晶片，其中，涂层包括未掺杂的无定形硅层。31.如权利要求19所述的玻璃晶片，其中，涂层包括：氮化硅层、未掺杂的无定形硅层以及二氧化硅层，其中，氮化硅层布置在未掺杂的无定形硅层的顶部，其中，未掺杂的无定形硅层布置在二氧化硅层的顶部。32.如权利要求19所述的玻璃晶片，其还包括玻璃基材的顶表面、底表面和边缘表面顶部的钝化涂层(112)。33.如权利要求32所述的玻璃晶片，其中，钝化涂层是sin、sio2或sion中的一种。34.如权利要求32所述的玻璃晶片，其中，钝化涂层的厚度是100至10,000埃。35.一种制造电子装置的方法，该方法包括：将玻璃晶片装载到基材对准器室内的基材支撑体上，其中，基材对准器包括光源以及构造成对来自光源的光束进行检测的光学传感器，其中，玻璃晶片包括：玻璃基材，其包含顶表面(102)、与顶表面相反的底表面(104)以及顶表面与底表面之间的边缘表面(106)；布置在玻璃基材的顶部的第一涂层(108)，其中，
第一涂层是片电阻为100至1,000,000欧姆每平方的经掺杂的晶体硅涂层；以及布置在玻璃基材的顶部的具有一层或多层的第二涂层(110)，其中，第二涂层包括含硅涂层，其中，玻璃晶片在400nm至1000nm的整个波长范围上具有小于50％的平均透射率(t)；转动基材支撑体从而将玻璃晶片放置在基材对准器室中的预定位置，其中，当光学传感器检测到来自光源的光束时，达到所述预定位置；以及将玻璃晶片传输到半导体加工室用于进一步加工。36.一种用于半导体装置的玻璃晶片，其包括：玻璃基材，其包含：顶表面(102)，与顶表面相反的底表面(104)，以及顶表面与底表面之间的边缘表面(106)；以及布置在玻璃基材上的含硅涂层，其中，含硅涂层包括至少两层含硅层，以及其中，相邻层的折射率数值之差大于0.5。37.如权利要求36所述的玻璃晶片，其中，涂层包括：氮化硅层、未掺杂的无定形硅层、二氧化硅层以及磷掺杂的晶体硅层，其中，氮化硅层布置在未掺杂的无定形硅层顶部，其中，未掺杂的无定形硅层布置在二氧化硅层顶部，其中，二氧化硅层布置在磷掺杂的晶体硅层顶部。

技术总结
本文描述了用于半导体制造工艺的玻璃晶片的实施方式。在一些实施方式中，玻璃晶片包括：玻璃基材，其包含顶表面、与顶表面相反的底表面以及顶表面与底表面之间的边缘表面；布置在玻璃基材的顶部的第一涂层，其中，第一涂层是片电阻为100至1,000,000欧姆每平方的经掺杂的晶体硅涂层；以及布置在玻璃基材的顶部的具有一层或多层的第二涂层，其中，第二涂层包括含硅涂层，其中，玻璃晶片在400nm至1000nm的整个波长范围上具有小于50％的平均透射率(T)。(T)。(T)。


技术研发人员：张雅慧 K
受保护的技术使用者：康宁股份有限公司
技术研发日：2020.11.24
技术公布日：2022/7/12